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公开(公告)号:CN116264877A
公开(公告)日:2023-06-16
申请号:CN202180066173.1
申请日:2021-06-11
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H10N30/853
Abstract: 本发明提供一种压电层叠体及压电元件,该压电层叠体在基板上依次具备下部电极层、压电膜,其中,下部电极层中的与压电膜接触的区域由金属层构成,金属层的(111)面相对于基板的表面具有1°以上的斜率,压电膜包含含有Pb的钙钛矿型氧化物。
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公开(公告)号:CN110418855B
公开(公告)日:2020-12-11
申请号:CN201880018079.7
申请日:2018-02-01
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种有效地制造包含透明且为极薄膜的银合金层的透明光学膜的透明光学膜的制造方法及使用了透明光学膜的制造方法的透明多层膜的制造方法。具有以下工序:成膜工序,包含将厚度为6nm以下的银层通过真空蒸镀进行成膜的银蒸镀工序、及将由标准电极电位大于银的高标准电极电位金属构成的高标准电极电位金属层通过真空蒸镀进行成膜的高标准电极电位金属蒸镀工序,并且在基材上至少将银层和高标准电极电位金属层进行层叠成膜;以及合金化工序,通过在50℃以上且400℃以下的温度下进行加热处理,在银层中使高标准电极电位金属扩散来形成银合金层。
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公开(公告)号:CN110418855A
公开(公告)日:2019-11-05
申请号:CN201880018079.7
申请日:2018-02-01
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种有效地制造包含透明且为极薄膜的银合金层的透明光学膜的透明光学膜的制造方法及使用了透明光学膜的制造方法的透明多层膜的制造方法。具有以下工序:成膜工序,包含将厚度为6nm以下的银层通过真空蒸镀进行成膜的银蒸镀工序、及将由标准电极电位大于银的高标准电极电位金属构成的高标准电极电位金属层通过真空蒸镀进行成膜的高标准电极电位金属蒸镀工序,并且在基材上至少将银层和高标准电极电位金属层进行层叠成膜;以及合金化工序,通过在50℃以上且400℃以下的温度下进行加热处理,在银层中使高标准电极电位金属扩散来形成银合金层。
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公开(公告)号:CN116134186A
公开(公告)日:2023-05-16
申请号:CN202180059941.0
申请日:2021-05-26
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor: 梅田贤一
IPC: C30B25/06
Abstract: 本发明提供一种带压电膜的基板及压电元件,带压电膜的基板在基板上依次具备下部电极层、压电膜及缓冲层,压电膜包含含有铅作为A位的主成分的钙钛矿型氧化物,缓冲层包含由MdN1‑dOe表示的金属氧化物。其中,M由能够在钙钛矿型氧化物的A位置换的1种以上的金属元素构成且电负性低于0.95,在0<d<1且将电负性设定为X时,1.41X‑1.05≤d≤A1·exp(‑X/t1)+y0,A1=1.68×1012,t1=0.0306,y0=0.59958。
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公开(公告)号:CN111902739B
公开(公告)日:2022-05-13
申请号:CN201880091646.1
申请日:2018-12-20
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种环境耐久性优异的防反射膜及光学部件。防反射膜具备配置于基材侧的电介质多层膜及层叠设置于电介质多层膜的以水合氧化铝为主要成分的微细凹凸层。电介质多层膜由具有相对高的折射率的高折射率层和具有相对低的折射率的低折射率层的交替层构成,电介质多层膜作为高折射率层及低折射率层中的1个层而包含由氮化硅构成的阻挡层,阻挡层的密度为2.7g/cm3以上且厚度为15nm以上且150nm以下。
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公开(公告)号:CN113966552A
公开(公告)日:2022-01-21
申请号:CN202080042854.X
申请日:2020-05-20
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L41/187
Abstract: 本发明提供一种具备包括含有Pb的钙钛矿型氧化物的压电体层的、即使在高湿环境下驱动可靠性也高的压电元件。压电元件在基板上依次具备下部电极层、生长控制层、包含含有铅作为A位的主成分的钙钛矿型氧化物而构成的压电体层、以及上部电极层。生长控制层包含由MdN1‑dOe表示的金属氧化物,M是可置换钙钛矿型氧化物的A位的一种以上的金属元素。将M的电负性设为X时,1.41X‑1.05≤d≤A1·exp(‑X/t1)+y0,A1=1.68×1012,t1=0.0306,y0=0.59958,钙钛矿型氧化物用(Pba1αa2)(Zrb1Tib2βb3)Oc表示,0.5<a1/(b1+b2+b3)<1.07。
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公开(公告)号:CN110476088B
公开(公告)日:2021-02-19
申请号:CN201880021859.7
申请日:2018-02-01
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备平坦的超薄膜的含银金属层的光学薄膜及其制造方法、及具备光学薄膜的光学元件、以及具备该光学元件的光学系统。设为如下光学薄膜:从基材侧依次层叠中间层、含有银的含银金属层及电介质层而成,在中间层与含银金属层之间具备Hamaker常数为7.3×10‑20J以上的锚金属扩散控制层,在锚金属扩散控制层与含银金属层之间具备包含锚金属的氧化物的锚区域,该锚金属具有小于含银金属层的表面能且比锚金属扩散控制层的表面能大的表面能,在含银金属层与电介质层之间具备包含锚金属的氧化物的罩体区域,含银金属层、锚区域及罩体区域的总计膜厚为6nm以下。
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公开(公告)号:CN110476088A
公开(公告)日:2019-11-19
申请号:CN201880021859.7
申请日:2018-02-01
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备平坦的超薄膜的含银金属层的光学薄膜及其制造方法、及具备光学薄膜的光学元件、以及具备该光学元件的光学系统。设为如下光学薄膜:从基材侧依次层叠中间层、含有银的含银金属层及电介质层而成,在中间层与含银金属层之间具备Hamaker常数为7.3×10-20J以上的锚金属扩散控制层,在锚金属扩散控制层与含银金属层之间具备包含锚金属的氧化物的锚区域,该锚金属具有小于含银金属层的表面能且比锚金属扩散控制层的表面能大的表面能,在含银金属层与电介质层之间具备包含锚金属的氧化物的罩体区域,含银金属层、锚区域及罩体区域的总计膜厚为6nm以下。
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公开(公告)号:CN103608906B
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201280029028.7
申请日:2012-06-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L21/368 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L21/02554 , H01L21/02592 , H01L21/02628 , H01L22/10 , H01L27/14687 , H01L27/14698 , H01L29/78693 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种非晶质氧化物薄膜的制造方法及薄膜晶体管,所述非晶质氧化物薄膜的制造方法包括以下步骤:前处理步骤,对包含有机成分及In的第一氧化物前驱物膜,在小于所述有机成分的热分解温度的温度下使所述有机成分的键结状态选择性地变化,而获得特定的第二氧化物前驱物膜;以及后处理步骤,将残存于所述第二氧化物前驱物膜中的所述有机成分去除,使所述第二氧化物前驱物膜转变为包含所述In的非晶质氧化物薄膜。
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公开(公告)号:CN111656226B
公开(公告)日:2021-12-24
申请号:CN201880087849.3
申请日:2018-11-29
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种具备平坦的超薄膜的含银金属层的光学薄膜及其制造方法、以及具备光学薄膜的光学元件、及具备其光学元件的光学系统。一种光学薄膜,其设置在基材上,所述光学薄膜中,从基材侧起依次具备中间层、含有银的含银金属层及电介质层,含银金属层的中间层侧的界面区域具备包含锚金属的氧化物的锚区域,含银金属层的电介质层侧的界面区域具备包含锚金属的氧化物的罩体区域,包含锚区域及罩体区域的含银金属层的膜厚为6nm以下,含银金属层含有标准电极电位高于银的金属即高标准电极电位金属,并且,在含银金属层的膜厚方向上,高标准电极电位金属的浓度分布的峰值位置比银的浓度分布的峰值位置更靠中间层侧。
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