公开(公告)号：CN117084003A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280024500.1

申请日：2022-03-10

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小林宏之 ,  中村诚吾 ,  望月文彦 ,  田中秀明 ,  井上健一郎 ,  豊岛安志

IPC: H10N30/853

Abstract: 在压电元件(1)及压电元件的制造方法中，在不降低压电特性的情况下实现高耐压及驱动稳定性。一种压电元件，其在基板(11)上依次具备下部电极层(12)、以钙钛矿型氧化物为主成分的压电膜(15)及上部电极层(18)，其中，上部电极层包含氧化物导电层，在压电膜与氧化物导电层(18a)之间，具备包含氧化物导电层的构成元素和OH基的界面层(16)，界面层具有非晶态结构且厚度为1nm以上且5nm以下，在通过X射线光电子能谱测定而获得的界面层中的结合能的强度分布中，将源自与金属键合的氧的1s轨道的结合能的峰值强度设为α，将源自构成OH基的氧的1s轨道的结合能的峰值强度设为γ时的峰值强度比γ/α为0.35以上。

公开(公告)号：CN101029966B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200710085000.6

申请日：2007-02-26

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 荻洼真也 ,  木村宏一 ,  望月文彦

IPC: G02B26/08 ,  B81B3/00 ,  G03B21/00

CPC classification number: G02B26/0841

Abstract: 本发明公开了微机电装置及阵列、光调制装置及阵列和图像形成设备。过渡时间是从可移动部分沿第一方向旋转移位且停止的状态开始到驱动部分向可移动部分施加物理作用力来沿不同于第一方向的第二方向旋转移位可移动部分并且可移动部分到达最终位移位置的状态的时间。弹性支持部分的弹性力值和过渡时间具有的关系是，当弹性支持部分的弹性力值等于特定值时，过渡时间取局部最大值。弹性支持部分的弹性力值等于或者小于过渡时间取局部最大值时的所述特定值。

公开(公告)号：CN101051115A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710092100.1

申请日：2007-04-04

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 荻洼真也 ,  木村宏一 ,  望月文彦 ,  中村博亲

IPC: G02B26/08 ,  G02B27/00

CPC classification number: G02B26/0841 ,  H01F2007/068 ,  H01H47/04 ,  H01H59/0009 ,  H02N1/006

Abstract: 一种微机电调制装置，包括多个于此定义的可移动部分，以及多个于此定义的驱动部分，其中设置于此定义的动态拉入电压小于于此定义的保持电压，并且驱动部分通过驱动电压来驱动可移动部分，所述驱动电压大于或等于保持电压，其值小于或等于10V。

公开(公告)号：CN117084002A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202280024352.3

申请日：2022-03-10

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 望月文彦 ,  中村诚吾 ,  小林宏之

IPC: H10N30/853

Abstract: 提供一种抑制了压电特性降低的廉价的压电元件(1)及压电元件的制造方法。一种压电元件，其在基板(11)上依次具备下部电极层(12)、以钙钛矿型氧化物为主成分的压电膜(15)及上部电极层(18)，其中，上部电极层的至少最靠压电膜侧的区域由包含In的氧化物导电层构成，关于压电膜与上部电极层的氧化物导电层之间的界面区域，通过X射线光电子能谱测定获得的结合能的强度分布中，将源自与氧键合的In的3d5/2轨道的结合能的峰值强度设为α，将源自与OH基键合的In的3d5/2轨道的结合能的峰值强度设为γ时的峰值强度比γ/α满足γ/α≤0.25。

公开(公告)号：CN116648131A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310141311.9

申请日：2023-02-08

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 望月文彦 ,  小林宏之 ,  向山明博

IPC: H10N30/50 ,  H10N30/853 ,  H10N30/093 ,  H10N30/076 ,  C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及压电层叠体、压电元件及压电层叠体的制造方法，获得一种长期可靠性优异的压电层叠体及压电元件。所述压电层叠体依次具备下部电极层、及包含含Pb钙钛矿型氧化物的压电膜，所述压电膜中，包含作为构成元素的氧超过自然丰度的质量数为18的氧原子18O。

公开(公告)号：CN103688364B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201280035996.9

申请日：2012-06-19

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 小野雅司 ,  高田真宏 ,  望月文彦 ,  田中淳 ,  铃木真之

IPC: H01L29/786 ,  G01T1/24 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14614 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14659 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/148 ,  H01L27/156 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种场效晶体管的制造方法。所述场效晶体管的制造方法包括：在配置于栅极上的栅极绝缘层上，使第一氧化物半导体膜成膜；使第二氧化物半导体膜成膜，第二氧化物半导体膜的阳离子组成与第一氧化物半导体膜的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜低的导电率；在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；使第三氧化物半导体膜成膜，第三氧化物半导体膜的阳离子组成与第一氧化物半导体膜的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜低的导电率；在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及在第三氧化物半导体膜上形成源极及漏极。

公开(公告)号：CN102082170B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201010255843.8

申请日：2010-08-16

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 滨威史 ,  铃木真之 ,  田中淳 ,  望月文彦

IPC: H01L29/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3262 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明提供一种非晶态氧化物半导体材料，场效应晶体管和显示装置。所述非晶态氧化物半导体材料包含含有In、Ga和Zn的非晶态氧化物半导体，其中当In∶Ga∶Zn＝a∶b∶c表示所述氧化物半导体的元素组成比时，所述元素组成比由下列范围限定：a+b＝2，并且b＜2，并且c＜4b-3.2，并且c＞-5b+8，并且1≤c≤2。

公开(公告)号：CN101399310A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810168097.1

申请日：2008-09-27

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 菱沼庆一 ,  望月文彦

IPC: H01L41/08 ,  H01L41/09 ,  B41J2/14

CPC classification number: B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1628 ,  B41J2/1631 ,  B41J2/1642 ,  B41J2/1646 ,  B41J2002/1425 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

Abstract: 提供一种高性能压电器件，具有良好的耐湿性，可有效防止水分向压电膜进入。上述压电器件的特征在于包括：基板；第一电极，成膜在上述基板上；压电膜，通过气相生长法成膜在上述第一电极上的至少一部分；第二电极，成膜在上述压电膜上，该第二电极的水蒸气透过率在1g/m2/day以下；以及至少一层的保护膜，至少覆盖上述第二电极及上述压电膜的周缘部，且在与除了上述周缘部以外的上述压电膜对应的位置具有开口。