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公开(公告)号：CN105706243B
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201480060668.3
申请日：2014-11-10
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物半导体膜及具备金属氧化物半导体膜的设备，所述金属氧化物半导体膜至少含有铟作为金属成分，在将膜中的铟浓度设为DI(atoms/cm3)，且将膜中的氢浓度设为DH(atoms/cm3)时，满足以下关系式(1)：0.1≤DH/DI≤1.8 (1)。
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公开(公告)号：CN103688364B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280035996.9
申请日：2012-06-19
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , G01T1/24 , G09F9/30 , H01L21/336 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66969 , H01L21/02565 , H01L27/1225 , H01L27/14612 , H01L27/14614 , H01L27/14632 , H01L27/14659 , H01L27/14687 , H01L27/148 , H01L27/156 , H01L27/322 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/66742 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 一种场效晶体管的制造方法。所述场效晶体管的制造方法包括：在配置于栅极上的栅极绝缘层上，使第一氧化物半导体膜成膜；使第二氧化物半导体膜成膜，第二氧化物半导体膜的阳离子组成与第一氧化物半导体膜的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜低的导电率；在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；使第三氧化物半导体膜成膜，第三氧化物半导体膜的阳离子组成与第一氧化物半导体膜的阳离子组成不同、且具有比第一氧化物半导体膜低的导电率；在氧化性环境下以超过300℃进行热处理；以及在第三氧化物半导体膜上形成源极及漏极。
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公开(公告)号：CN115104189B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202180013673.9
申请日：2021-02-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种光检测元件，其具有：光电转换层，包含含有金属原子的半导体量子点QD1的集合体及与半导体量子点QD1配位的配体L1；及空穴传输层，配置于光电转换层上且包含含有金属原子的半导体量子点QD2的集合体及与半导体量子点QD2配位的配体L2，半导体量子点QD2的带隙Eg2大于半导体量子点QD1的带隙Eg1，且半导体量子点QD2的带隙Eg2与半导体量子点QD1的带隙Eg1之差为0.10eV以上。本发明也提供一种包含光检测元件的图像传感器。
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公开(公告)号：CN102403361A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110265137.6
申请日：2011-09-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种可以在低温下制作、并显示出高场效应迁移率的薄膜晶体管。本发明是具备包含氧化物半导体层的活性层的薄膜晶体管，活性层(12)从栅电极侧起沿膜厚方向包含具有第一电子亲和力χ1的第一区域A1和具有小于第一电子亲和力χ1的第二电子亲和力χ2的第二区域A2，并且形成以第一区域A1作为阱层、以第二区域A2和栅绝缘膜(15)作为势垒层的阱型势。这里，将活性层(12)设为包含由a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层，使第二区域A2的b/(a+b)大于第一区域A1的b/(a+b)。
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公开(公告)号：CN115104189A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202180013673.9
申请日：2021-02-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/10
Abstract: 本发明提供一种光检测元件，其具有：光电转换层，包含含有金属原子的半导体量子点QD1的集合体及与半导体量子点QD1配位的配体L1；及空穴传输层，配置于光电转换层上且包含含有金属原子的半导体量子点QD2的集合体及与半导体量子点QD2配位的配体L2，半导体量子点QD2的带隙Eg2大于半导体量子点QD1的带隙Eg1，且半导体量子点QD2的带隙Eg2与半导体量子点QD1的带隙Eg1之差为0.10eV以上。本发明也提供一种包含光检测元件的图像传感器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111032700A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880051402.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 一种固化性组合物、固化性组合物的固化物或包含上述固化物的透镜单元，所述固化性组合物包含：氧化物粒子，至少包含铟及锡，且键合有具有烃基和对氧化物粒子的键合部位的配体；及聚合性化合物，组合物中的上述氧化物粒子的含量相对于组合物的总固体成分为18质量％以上。
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公开(公告)号：CN115066757A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202180013675.8
申请日：2021-02-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/0248 , B82Y20/00 , H01L21/368 , H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种半导体膜，其包含含有Pb原子的半导体量子点的集合体和与半导体量子点配位的配体，1价以下的Pb原子的个数相对于2价Pb原子的个数之比为0.20以下。也提供一种包含半导体膜的光检测元件及图像传感器。也提供一种半导体膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN111032700B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201880051402.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 一种固化性组合物、固化性组合物的固化物或包含上述固化物的透镜单元，所述固化性组合物包含：氧化物粒子，至少包含铟及锡，且键合有具有烃基和对氧化物粒子的键合部位的配体；及聚合性化合物，组合物中的上述氧化物粒子的含量相对于组合物的总固体成分为18质量％以上。
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公开(公告)号：CN102403361B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201110265137.6
申请日：2011-09-08
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/26 , H01L21/363
Abstract: 本发明提供一种可以在低温下制作、并显示出高场效应迁移率的薄膜晶体管。本发明是具备包含氧化物半导体层的活性层的薄膜晶体管，活性层(12)从栅电极侧起沿膜厚方向包含具有第一电子亲和力χ1的第一区域A1和具有小于第一电子亲和力χ1的第二电子亲和力χ2的第二区域A2，并且形成以第一区域A1作为阱层、以第二区域A2和栅绝缘膜(15)作为势垒层的阱型势。这里，将活性层(12)设为包含由a(In2O3)·b(Ga2O3)·c(ZnO)构成的氧化物半导体层，使第二区域A2的b/(a+b)大于第一区域A1的b/(a+b)。
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公开(公告)号：CN1955116A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610132083.5
申请日：2006-10-24
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C09K11/7774 , C01B13/14 , C01F17/0025 , C01P2002/30 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C04B35/01 , C04B35/44 , C04B35/6261 , C04B35/6262 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3241 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3418 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6581 , C04B2235/761 , C04B2235/762 , C04B2235/764 , C04B2235/79 , C04B2235/9653 , H01S3/0606 , H01S3/0615 , H01S3/0621 , H01S3/08095 , H01S3/09415 , H01S3/1603 , H01S3/1613 , H01S3/164 , H01S3/1643 , H01S3/1691
Abstract: 本发明的石榴石型化合物以下述一般式表示。一般式：A1(III)3－2xA2(II)xA3(III)xB(III)2C1(III)3－xC2(IV)xO12(其中，罗马数字：离子价数；A1、A2及A3：A结点的元素、B：B结点的元素、C1及C2：C结点的元素，A1、A2、B、C1及C2分别为上述离子价数的至少1种元素，A3：从由3价的稀土类(La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu)构成的组中选择的至少1种元素，A1和A3为不同的元素，0＜x＜1.5(其中，x＝1.0除外)，O：氧原子)。
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