蚀刻溶液,用于制造压电元件的方法以及蚀刻方法

    公开(公告)号:CN103666477A

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201310439370.0

    申请日:2013-09-24

    CPC classification number: H01L41/332 C09K13/08 H01L41/0477 H01L41/1876

    Abstract: 本发明提供了一种用于蚀刻压电薄膜的蚀刻溶液,用于制造压电元件的方法以及蚀刻方法,其中所述压电薄膜具有在形成于衬底(substrate)上的下部电极上生长成柱状结构的钙钛矿结构的薄膜,并且在薄膜与所述下部电极的界面上具有烧绿石层,其中所述蚀刻溶液至少包含:包含缓冲氢氟酸(BHF)、氟化氢(HF)以及稀释的氢氟酸(DHF)这三个中至少任一个的氢氟酸型化学制品;以及硝酸,并且具有按重量计小于10%的盐酸浓度以及为1/4或更小的盐酸与硝酸的重量比(盐酸/硝酸)。本发明还提供了一种制造压电元件的方法以使用蚀刻溶液执行蚀刻。

    流道结构、制造该流道结构的方法、以及液体喷射头

    公开(公告)号:CN102649363A

    公开(公告)日:2012-08-29

    申请号:CN201210046942.4

    申请日:2012-02-27

    CPC classification number: B41J2/16 B41J2/1628 B41J2/1646

    Abstract: 本发明公开了流道结构、制造该流道结构的方法、以及液体喷射头。该流道结构包括:第一基板,其中设置有第一流道部分;第一粘合层,其设置在所述第一基板上;第一贵金属层,其包含金,并且设置在第一基板上的第一粘合层上方;第二基板,其中设置有第二流道部分;第二粘合层,其设置在所述第二基板上;第二贵金属层,其包含金,并且设置在第二基板上的第二粘合层上方;和Au管状结构,其布置在第一和第二贵金属层之间,所述第一和第二贵金属层跨所述Au管状结构彼此面对,所述Au管状结构具有中空部,所述中空部用作连通第一和第二流道部分的连通流道部分,所述Au管状结构的金含量不低于90at%。

    流道结构、制造该流道结构的方法、以及液体喷射头

    公开(公告)号:CN102649363B

    公开(公告)日:2015-12-02

    申请号:CN201210046942.4

    申请日:2012-02-27

    CPC classification number: B41J2/16 B41J2/1628 B41J2/1646

    Abstract: 本发明公开了流道结构、制造该流道结构的方法、以及液体喷射头。该流道结构包括:第一基板,其中设置有第一流道部分;第一粘合层,其设置在所述第一基板上;第一贵金属层,其包含金,并且设置在第一基板上的第一粘合层上方;第二基板,其中设置有第二流道部分;第二粘合层,其设置在所述第二基板上;第二贵金属层,其包含金,并且设置在第二基板上的第二粘合层上方;和Au管状结构,其布置在第一和第二贵金属层之间,所述第一和第二贵金属层跨所述Au管状结构彼此面对,所述Au管状结构具有中空部,所述中空部用作连通第一和第二流道部分的连通流道部分,所述Au管状结构的金含量不低于90at%。

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