公开(公告)号：CN106128946A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610702029.3

申请日：2012-05-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉村尚 ,  栗林秀直 ,  小野泽勇一 ,  仲野逸人 ,  尾崎大辅

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7395

Abstract: n型FS层(14)具有使在施加额定电压时扩散的耗尽层停止于n型FS层(14)内部的总杂质量，并具有n‑型漂移层(1)的总杂质量。此外，n型FS层(14)具有如下的浓度梯度，即n型FS层(14)的杂质浓度从p+型集电极层(15)向p型基极层(5)减少，且其扩散深度为大于或等于20μm。并且，在n型FS层(14)与p+型集电极层(15)之间包括n+型缓冲层(13)，该n+型缓冲层(13)的峰值杂质浓度比n型FS层(14)的峰值杂质浓度要高，为大于或等于6×1015cm‑3，且小于或等于p+型集电极层(15)的峰值杂质浓度的十分之一。因此，能够提供一种场阻断(FS)绝缘栅双极晶体管，兼顾改善发生短路时对元器件损坏的耐受性以及抑制热失控损坏，并且，能减少导通电压的变化。

公开(公告)号：CN106062960A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011602.X

申请日：2015-08-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小野泽勇一

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 从半导体基板的背面侧注入质子，除了使半导体基板内部的缺陷恢复，还使半导体基板的正面侧中的沟道形成区的缺陷恢复。由此，减少栅极阈值电压的偏差，减少施加反向电压时的漏电流。提供一种半导体装置，具备：在背面侧具有包含质子的n型杂质区的半导体基板；和在半导体基板的正面侧对质子具有阻挡效果的阻挡金属部。

公开(公告)号：CN105814694A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201580002976.5

申请日：2015-08-13

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 胁本博树 ,  泷下博 ,  吉村尚 ,  田村隆博 ,  小野泽勇一

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L27/04 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/36 ,  H01L21/221 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/324 ,  H01L27/0664 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/32 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66128 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/8611

Abstract: 提供一种半导体装置，具备：n型的半导体基板；p型的阳极区，形成在半导体基板的正面侧；n型的场停止区，在半导体基板的背面侧以质子作为施主而形成；以及n型的阴极区，形成在比场停止区更靠近半导体基板的背面侧的位置，场停止区中的深度方向的施主的浓度分布具有第一峰值和第二峰值，第二峰值比第一峰值更靠近半导体基板的背面侧，并且第二峰值的浓度比第一峰值更低，阳极区与阴极区之间的至少一部分区域中的载流子寿命比阳极区和阴极区中的任一载流子寿命更长。

公开(公告)号：CN113767477B

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202080026724.7

申请日：2020-10-07

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田村隆博 ,  小野泽勇一

IPC: H10D62/10 ,  H10D30/60 ,  H10D30/01 ,  H10D8/00 ,  H10D8/01

Abstract: 提供半导体装置，该半导体装置具备：包含体施主的半导体基板；以及第一导电型的第一缓冲区，其设置于半导体基板的下表面侧，并且在半导体基板的深度方向上具有一个以上的掺杂浓度峰和一个以上的氢浓度峰，第一缓冲区的掺杂浓度峰中的最靠近半导体基板的下表面的最浅浓度峰的掺杂浓度为半导体基板的所述体施主浓度的50倍以下。最浅浓度峰的掺杂浓度可以低于在半导体基板的上表面与下表面之间流通额定电流的1/10的电流的情况下的基准载流子浓度。

公开(公告)号：CN111095565B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201880050073.8

申请日：2018-11-21

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 田村隆博 ,  小野泽勇一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供半导体装置，缓和接触开口的端部处的电流集中。半导体装置具备：阳极区；阴极区；设置于阴极区的上方的埋入区；层间绝缘膜，配置于半导体基板的上表面的上方，并且设置有使阳极区的一部分露出的接触开口；以及在接触开口中与阳极区接触的上表面侧电极，埋入区包含端部埋入区，所述端部埋入区在垂直于半导体基板的上表面的截面中，从接触开口的下方的区域，通过接触开口的端部的下方，连续地设置到层间绝缘膜的下方的区域，在与半导体基板的上表面平行的第1方向上，设置于层间绝缘膜的下方的端部埋入区比设置于接触开口的下方的端部埋入区短。

公开(公告)号：CN113299643A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202011577395.3

申请日：2020-12-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 三塚要 ,  小野泽勇一

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/866 ,  H01L21/8232 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。优选避免破坏感测IGBT。所述半导体装置具备：半导体基板；晶体管部，其设置于半导体基板；电流感测部，其用于检测流经晶体管部的电流；发射电极，其被设定为晶体管部的发射极电位；感测电极，其与电流感测部电连接；齐纳二极管，其电连接到发射电极与感测电极之间。所述半导体装置的制造方法包括：在晶体管部设置半导体基板的步骤；设置对流经晶体管部的电流进行检测的电流感测部的步骤；设置被设定为晶体管部的发射极电位的发射电极的步骤；设置与电流感测部电连接的感测电极的步骤；设置电连接到发射电极与感测电极之间的齐纳二极管的步骤。

公开(公告)号：CN104903997B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201480004196.X

申请日：2014-06-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小野泽勇一 ,  泷下博 ,  吉村尚

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/263 ,  H01L21/268 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 首先，在n‑型半导体基板的正面侧形成正面元件结构。接着，通过电子射线照射及炉退火在n‑型半导体基板整体形成缺陷(12)，来调整载流子寿命。接着，对n‑型半导体基板的背面进行研磨，使n‑型半导体基板的厚度变薄。然后，从n‑型半导体基板的研磨后的背面侧离子注入n型杂质，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成n+型阴极层(4)。从n‑型半导体基板的背面侧进行氢离子注入(14)，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成具有氢浓度在块状基板的氢浓度以上的氢注入区域。接着，通过激光退火使n+型阴极层(4)活性化，之后形成阴极电极。因而，不会使漏电流增加，且不会使制造线发生污染，能廉价、局部性地进行载流子寿命控制。

公开(公告)号：CN111095569A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201980004053.1

申请日：2019-03-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 吉村尚 ,  小野泽勇一 ,  泷下博 ,  目黑美佐稀 ,  洼内源宜 ,  儿玉奈绪子

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/322 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/868

Abstract: 提供一种半导体装置，具备：半导体基板；氢施主，设置在半导体基板的深度方向的内部，具有比半导体基板的掺杂剂的掺杂浓度高的掺杂浓度，在从半导体基板的一个主面起算沿半导体基板的深度方向分开了预先设定的距离的第一位置具有掺杂浓度分布的峰，并在比第一位置更靠一个主面侧的位置具有掺杂浓度比峰小的掺杂浓度分布的拖尾；以及晶体缺陷区，在半导体基板的深度方向上，在比第一位置更浅的位置具有晶体缺陷密度的中心峰。

公开(公告)号：CN106062960B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201580011602.X

申请日：2015-08-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小野泽勇一

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 从半导体基板的背面侧注入质子，除了使半导体基板内部的缺陷恢复，还使半导体基板的正面侧中的沟道形成区的缺陷恢复。由此，减少栅极阈值电压的偏差，减少施加反向电压时的漏电流。提供一种半导体装置，具备：在背面侧具有包含质子的n型杂质区的半导体基板；和在半导体基板的正面侧对质子具有阻挡效果的阻挡金属部。

公开(公告)号：CN109065441A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201811227807.3

申请日：2014-06-17

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 小野泽勇一 ,  泷下博 ,  吉村尚

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/08 ,  H01L29/32 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/0615 ,  H01L21/2605 ,  H01L21/263 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/32 ,  H01L29/36 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 首先，在n‑型半导体基板的正面侧形成正面元件结构。接着，通过电子射线照射及炉退火在n‑型半导体基板整体形成缺陷(12)，来调整载流子寿命。接着，对n‑型半导体基板的背面进行研磨，使n‑型半导体基板的厚度变薄。然后，从n‑型半导体基板的研磨后的背面侧离子注入n型杂质，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成n+型阴极层(4)。从n‑型半导体基板的背面侧进行氢离子注入(14)，在n‑型半导体基板的背面的表面层形成具有氢浓度在块状基板的氢浓度以上的氢注入区域。接着，通过激光退火使n+型阴极层(4)活性化，之后形成阴极电极。因而，不会使漏电流增加，且不会使制造线发生污染，能廉价、局部性地进行载流子寿命控制。