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公开(公告)号：CN103469173A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310414275.5
申请日：2013-09-12
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C16/40
Abstract: 本发明提供一种空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜，空穴导电特性氧化镓膜的制备方法包括以下步骤：将衬底置于密封反应室内的生长托盘上，加热托盘到高于氧化镓膜预期生长温度10-200℃，对衬底进行热处理；将托盘温度降到预定生长温度后，在预设压强范围内继续对反应室抽气；向反应室内通入镓源、氧源和掺杂源，实现氧化镓膜的外延生长；当氧化镓膜生长过程结束后，对氧化镓膜进行原位热处理或直接将氧化镓膜缓慢降温取样或取样后再进行热处理，得到空穴导电特性氧化镓膜。本发明步骤科学、合理，克服了现有技术的诸多问题，提供了一种有效的受主掺杂途径，能制备具有不同空穴浓度的氧化镓膜。
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公开(公告)号：CN101236906A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810010103.0
申请日：2008-01-13
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/477
Abstract: 一种氮掺杂的ZnO的受主激活方法，属于半导体材料领域，特别涉及一种采用射频等离子体金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为氮掺杂ZnO后期退火技术。本发明的目的克服氮掺杂p型ZnO难以获得的缺点，提供一种利用射频等离子体退火技术，将氮掺杂的ZnO在氮的氧化物等离子体进行高温退火，从而获得高效稳定的p型ZnO掺杂方法。由于在气氛中形成高激活性的氮与氧，可以防止氮掺杂的ZnO中的氮逸出，同时也防止了ZnO中氧的脱附，又同时进行了氮掺杂ZnO中氮受主的激活，从而实现了p型ZnO的制备，进而可以制备出ZnO的pn结发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN1644754A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410011164.0
申请日：2004-10-19
Applicant: 吉林大学 , 大连理工大学 , 沈阳市超高真空应用技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于生长宽带隙半导体氧化锌薄膜的低压金属有机化学气相淀积设备及其工艺。设备由气体输运系统、反应室(101)、与反应室相联的衬底样品预处理室(102)、控制系统、尾气处理系统等部分构成。与反应室相联的衬底样品预处理室(102)由衬底样品预处理室由预处理室外壁(21)、样品托盘架(22)、样品台(23)、预处理室抽气孔(24)、等离子发生器(25)、等离子发生器装置法兰(26)、衬底样品预处理室与反应室的连接闸板阀(27)、闸板阀法兰(28)、磁力传送杆(29)、磁套(30)、传送杆法兰(31)等部件构成。本发明的优点是可提高ZnO薄膜生长质量和均匀性，有利于p型或高阻掺杂。
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公开(公告)号：CN108197359B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201711401180.4
申请日：2017-12-22
Applicant: 大连理工大学
IPC: G06F30/3953 , G06F30/398
Abstract: 本发明公开了一种欧姆接触电极有效宽度的计算和判定方法。本发明通过设计电极线布局、测量以及计算的方式获得电极有效宽度数值，从而在有效节省电极布局空间的同时保证芯片电极间饱和电流大小不受影响。本发明引入衡量因子k(＝RV/RC)，选取k值曲线变化率最大位置(即取最大值)对应的电极宽度值作为芯片电极有效宽度值(wE)。本专利申请为半导体芯片研究和生产的科研工作者在设计芯片电极布局时提供技术参考，为了获得芯片目标饱和电流值，如何设计制作欧姆接触电极和计算得到有效电极宽度，最后如何获得最合理的电极宽度设计值。
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公开(公告)号：CN108493327A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810440012.4
申请日：2018-05-04
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L41/053 , H01L41/08 , H01L41/113 , H01L41/27 , H01L41/317 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于纳米发电机技术领域，涉及Spiro-MeOTAD/ZnO压电式纳米发电机及其制备方法。纳米发电机结构包括氧化锌纳米线阵列、氧化锌籽晶层、Spiro-MeOTAD有机涂覆层、导电基底、上电极、引线和封装层。导电基底作为发电机的下电极，氧化锌纳米线阵列生长在覆盖有氧化锌籽晶层的导电基底上，Spiro-MeOTAD有机涂覆层覆盖于氧化锌纳米线表面，形成PN结结构；氧化锌纳米线阵列上方设有上电极，上电极和导电基底用两根引线引出作为电流电压的输出端，最后整个器件用封装层包裹。本发明PN结压电式纳米发电机结构简单紧凑、制备工艺简单、并采用特殊方式使输出性能得到大幅提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105576020A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201610109041.3
申请日：2016-02-26
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/1029 , H01L29/42316 , H01L29/66431
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，提供一种具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法，所述HEMT器件包括：层叠设置的衬底、缓冲层、i-GaN层、栅介质层和钝化层，i-GaN层一端、且背离缓冲层的一侧为阶梯形；包覆在阶梯形下层和栅介质层之间的源电极；包覆在阶梯形上层和栅介质层之间的势垒层和漏电极；包覆在栅介质层和钝化层之间的栅电极，栅电极的截面呈“Z”字形，栅电极的上平面位于阶梯形上层的上方，下平面位于阶梯形下层的上方；依次穿过钝化层和栅介质层且与源电极接触的源电极焊盘；依次穿过钝化层和栅介质层且与漏电极接触的漏电极焊盘。本发明能减小栅极开启沟道的长度，降低器件的栅极导通电阻,实现常关型操作。
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公开(公告)号：CN100590820C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200810010103.0
申请日：2008-01-13
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/477
Abstract: 一种氮掺杂的ZnO的受主激活方法，属于半导体材料领域，特别涉及一种采用射频等离子体金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为氮掺杂ZnO后期退火技术。本发明的目的为克服氮掺杂p型ZnO难以获得的缺点，提供一种利用射频等离子体退火技术，将氮掺杂的ZnO在氮的氧化物等离子体进行高温退火，从而获得高效稳定的p型ZnO掺杂方法。由于在气氛中形成高激活性的氮与氧，可以防止氮掺杂的ZnO中的氮逸出，同时也防止了ZnO中氧的脱附，又同时进行了氮掺杂ZnO中氮受主的激活，从而实现了p型ZnO的制备，进而可以制备出ZnO的pn结发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN101275271A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200710159316.5
申请日：2007-12-25
Applicant: 大连理工大学
IPC: C30B23/00 , C30B29/16 , H01L21/363
Abstract: 本发明属于半导体材料与器件技术领域，涉及一种闭管化学气相传输法生长ZnO单晶、微晶薄膜及其p型掺杂的方法。其特征是，在一端封闭的石英管内，放置高纯ZnO粉和清洗过的所需衬底，所放位置由源区、生长区温度及控温炉的温度梯度决定，然后将石英管接真空系统，真空度低于10－2Pa后用氢氧焰封闭，将完全封闭的石英管放入控温炉内升温加热，控制温度分布及生长时间进行ZnO单晶、微晶薄膜的生长，在生长源内或其他温区内放置掺杂源可以实现ZnO的p型掺杂。本发明的效果和益处是采用的闭管化学气相传输法具有工艺简单、设备成本低、生长速度快、无毒无污染等优点。
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公开(公告)号：CN1787248A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510200730.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，涉及一种氧化锌材料发光二极管的制备方法。其特征是在不同的衬底材料表面上，采用超声雾化热分解方法，依次生长p－型和n－型Zn(Mg)O薄膜而制得ZnO基p－n结材料。通过控制先驱体溶液浓度及配比、衬底温度、成膜气氛及雾化气量可实现对制得ZnO基p－n结材料电学性能的控制，以满足制备氧化锌基发光二极管(LEDs)，激光二极管(LDs)等光电子器件方面的需要。通过标准半导体工艺制备上下欧姆接触电极，即可获得氧化锌材料发光二极管。本发明的效果和益处在于提供一种工艺简单易行的制备氧化锌发光二极管(LEDs)的方法。氧化锌材料p－n结室温电注入发光的实现必将进一步促进ZnO光电信息功能材料和器件的应用。
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公开(公告)号：CN1248238C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN03133404.0
申请日：2003-06-04
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于信息技术领域。本发明的目的是提供一种与VCSEL制作工艺相容的集成式微探尖的制作方法，以解决目前SNOM传感器微探尖制作中腐蚀过程难以精确控制、微探尖与VCSEL出光窗口难以对准和不能批量制作等问题。本发明的技术特征是在已外延生长了pin探测器和VCSEL结构的晶片表面上沉积一层氧化物薄膜并通过常规光刻和腐蚀手段在氧化膜上刻蚀成尺寸与VCSEL的出光窗口匹配的方形窗口阵列，然后利用液相外延生长过程中氧化膜对材料生长的阻断作用和晶体生长过程中的快生长面消失、慢生长面长大原理，在窗口阵列上形成与VCSEL出光窗口对准的金字塔状微探尖。本发明的效果和益处是降低了微型集成式SNOM传感器的制作难度，提高了制作效率和成品率。
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