公开(公告)号：CN1248238C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN03133404.0

申请日：2003-06-04

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 胡礼中 ,  张红治 ,  王志俊 ,  梁秀萍 ,  赵宇 ,  王美田

IPC: G12B21/06 ,  G11B11/26

Abstract: 本发明属于信息技术领域。本发明的目的是提供一种与VCSEL制作工艺相容的集成式微探尖的制作方法，以解决目前SNOM传感器微探尖制作中腐蚀过程难以精确控制、微探尖与VCSEL出光窗口难以对准和不能批量制作等问题。本发明的技术特征是在已外延生长了pin探测器和VCSEL结构的晶片表面上沉积一层氧化物薄膜并通过常规光刻和腐蚀手段在氧化膜上刻蚀成尺寸与VCSEL的出光窗口匹配的方形窗口阵列，然后利用液相外延生长过程中氧化膜对材料生长的阻断作用和晶体生长过程中的快生长面消失、慢生长面长大原理，在窗口阵列上形成与VCSEL出光窗口对准的金字塔状微探尖。本发明的效果和益处是降低了微型集成式SNOM传感器的制作难度，提高了制作效率和成品率。

公开(公告)号：CN1461012A

公开(公告)日：2003-12-10

申请号：CN03133404.0

申请日：2003-06-04

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 胡礼中 ,  张红治 ,  王志俊 ,  梁秀萍 ,  赵宇 ,  王美田

IPC: G12B21/06 ,  G11B11/26

Abstract: 本发明属于信息技术领域。本发明的目的是提供一种与VCSEL制作工艺相容的集成式微探尖的制作方法，以解决目前SNOM传感器微探尖制作中腐蚀过程难以精确控制、微探尖与VCSEL出光窗口难以对准和不能批量制作等问题。本发明的技术特征是在已外延生长了pin探测器和VCSEL结构的晶片表面上沉积一层氧化物薄膜并通过常规光刻和腐蚀手段在氧化膜上刻蚀成尺寸与VCSEL的出光窗口匹配的方形窗口阵列，然后利用液相外延生长过程中氧化膜对材料生长的阻断作用和晶体生长过程中的快生长面消失、慢生长面长大原理，在窗口阵列上形成与VCSEL出光窗口对准的金字塔状微探尖。本发明的效果和益处是降低了微型集成式SNOM传感器的制作难度，提高了制作效率和成品率。

公开(公告)号：CN102012438A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN201010296998.6

申请日：2010-09-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 胡礼中 ,  梁秀萍 ,  曲光伟 ,  张贺秋 ,  骆英民 ,  赵宇 ,  邱宇

IPC: G01Q60/38 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种用于改善GaAs微探尖质量的生长液旋转倾倒脱片方法，属于信息技术领域。本发明的技术特征是通过绕水平轴将石墨舟旋转180度的方式使已完成生长使命的生长液在重力作用下自动地从外延片上脱落下来，从而可避免由较高的微探尖造成的生长液在微探尖的表面上的残留问题。本发明的效果和益处是能够简单有效地改进基于选择液相外延技术制备的GaAs集成式SNOM传感器的工作性能。