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公开(公告)号：CN101026217A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710084935.2
申请日：2007-02-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/32341
Abstract: 本发明提供了一种能够得到高的光发射输出同时减小正向电压Vf的氮化物半导体发光装置，并提供其制造方法。该氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于该n型氮化物半导体和p型氮化物半导体之间的有源层(5)；其中该n型氮化物半导体包括多层氮化物半导体层(101)，其具有由第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层重复至少两次组成的堆叠结构；该多层氮化物半导体层(101)形成与该有源层(5)接触；该第一氮化物半导体层为包含n型杂质的层，且该第二氮化物半导体层为非掺杂层或者为包含n型杂质的浓度低于所述第一氮化物半导体层的层。
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公开(公告)号：CN109787087B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201811246829.4
申请日：2018-10-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明的课题在于在使用由氮化物半导体构成的基板的半导体激光元件中，一面抑制裂缝的产生一面良好地限制光，从而减低远场图案的纹波。氮化物半导体激光元件1在氮化物半导体基板11和n侧包覆层13之间顺次包括：AlGaN层的第一氮化物半导体层121、Al组分比小于第一氮化物半导体层121的AlGaN层的第二氮化物半导体层122、GaN层的第三氮化物半导体层123、InGaN层的第四氮化物半导体层124、以及AlGaN层的第五氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN103035793B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210520669.4
申请日：2012-10-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02505 , H01L21/02516 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01S5/0207 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件的制造方法，该方法包括步骤：通过金属有机化学气相沉积形成具有倾斜面的第二氮化物半导体层，其中提供到金属有机化学气相沉积生长设备的生长腔中的V族元素气体对III族元素气体的摩尔流量比率设置为240或更小。
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公开(公告)号：CN101609867B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200910146195.X
申请日：2009-06-18
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光二极管元件和该氮化物半导体发光二极管元件的制造方法，氮化物半导体发光二极管元件含有：n型氮化物半导体层、p型氮化物半导体层、设置于n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层之间的氮化物半导体有源层，在p型氮化物半导体层的与氮化物半导体有源层的设置侧相反的一侧的表面上具有：含有氧化铟锡的第一透明电极层、含有氧化锡的第二透明电极层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102097551A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010569367.7
申请日：2010-12-01
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/22 , H01L33/46
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，包括：n型氮化物半导体层；发光层，其形成在该n型氮化物半导体层上；第一p型氮化物半导体层，其形成在该发光层上；中间层，其以使覆盖第一p型氮化物半导体层表面的部分和露出第一p型氮化物半导体层表面的部分交替的方式形成在第一p型氮化物半导体层上；第二p型氮化物半导体层，其形成在该中间层上。中间层由作为构成元素含有Si和N的化合物构成。
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公开(公告)号：CN101859853A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010158575.8
申请日：2010-04-07
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体发光二极管，其至少由n型氮化物半导体层、有源层、p型氮化物半导体层构成。所述有源层由发光二极管中In混晶比最大的一层第一氮化物半导体层构成，该发光二极管具有第二氮化物半导体层及第三氮化物半导体层中的至少任一方，该第二氮化物半导体层位于所述有源层和所述n型氮化物半导体层之间且包含InGaN层，该第三氮化物半导体层位于所述有源层和所述p型氮化物半导体层之间且包含InGaN层，所述第二氮化物半导体层所含有的InGaN层及所述第三氮化物半导体层所含有的InGaN层中至少任一方的In混晶比，小于构成所述有源层的第一氮化物半导体层的In混晶比。根据本发明，可以提供发光效率高的LED。
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公开(公告)号：CN101188263A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710188675.3
申请日：2007-11-21
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 驹田聪
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/02 , H01L33/14
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光器件的制造方法，包括步骤：在基板上依次沉积第一n型氮化物半导体层、发光层、p型氮化物半导体层和含铟的p型氮化物半导体隧道结层；在所述基板的温度最高高于沉积所述p型氮化物半导体隧道结层时的基板的温度150℃时，在所述p型氮化物半导体隧道结层上沉积氮化物半导体蒸发减少层，所述氮化物半导体蒸发减少层具有大于所述p型氮化物半导体隧道结层的带隙；和在所述基板的温度高于沉积所述氮化物半导体蒸发减少层时的基板温度时，在所述氮化物蒸发减少层上沉积第二n型氮化物半导体层。
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公开(公告)号：CN101030698A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710084339.4
申请日：2007-02-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01S5/0217 , H01S5/0422 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供了一种能够得到高的光发射输出同时减小正向电压(Vf)的氮化物半导体发光装置制造方法。本发明涉及一种氮化物半导体发光装置制造方法，该氮化物半导体发光装置包括至少n型氮化物半导体、p型氮化物半导体、以及形成于n型氮化物半导体和p型氮化物半导体之间的有源层(4)；其中n型氮化物半导体包括至少n型接触层(3)和n侧GaN层(101)，n侧GaN层(101)由单个或多个非掺杂和/或n型层组成，且该方法包括步骤：将生长温度设定于范围500至1000℃通过金属有机物化学气相沉积形成n侧GaN层(101)，使得n侧GaN层(101)形成于n型接触层(3)和有源层(4)之间。
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