公开(公告)号：CN107003768A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064720.7

申请日：2015-11-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 多田宪史 ,  小川裕之 ,  木田和寿 ,  山岸慎治 ,  丸山武纪 ,  牟金德

IPC: G06F3/041 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/044

CPC classification number: G02F1/13338 ,  G02F1/133308 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/133311 ,  G02F2201/123 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103

Abstract: 液晶显示装置10包括：阵列基板11b，其包含显示用电路，该显示用电路至少包含配置于显示区域AA的TFT19及配置于非显示区域NAA的单片电路部37；CF基板11a，其以与阵列基板11b形成对向状的形式空开间隔而配置；检测电极38，其在CF基板11a的外表面上被配置于显示区域AA且沿着第一方向延伸；驱动电极39，其在CF基板11a的内表面上被配置于显示区域AA且沿着第二方向延伸；及位置检测布线部40，其为在CF基板11a的内表面上被配置于非显示区域NAA并对驱动电极39传输信号的位置检测布线部40，且为被以与单片电路部37重叠的形式配置的位置检测布线部40。

公开(公告)号：CN101971306A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980108572.9

申请日：2009-03-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  守口正生 ,  多田宪史 ,  史蒂芬·罗伊·德鲁斯

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、其制造方法和显示装置，所述半导体装置可以提高在被薄膜化的基体层中所形成的、且被接合到其它基板上的PMOS晶体管的亚阈特性。本发明的半导体装置是具备基板和器件部的半导体装置，所述器件部被接合到上述基板，上述器件部包含基体层和PMOS晶体管，上述PMOS晶体管包含第一电传导路径和第一栅极电极，上述第一电传导路径形成在上述基体层的配置有上述第一栅极电极的一侧。

公开(公告)号：CN101884096A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880119080.5

申请日：2008-11-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 多田宪史 ,  高藤裕 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  竹井美智子 ,  中川和男 ,  松本晋

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/263 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/6675 ,  H01L29/7836

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。器件部形成工序包括：在基体层的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序、在绝缘膜的表面均匀地形成导电层的导电层形成工序、和通过对导电层进行图案形成来形成电极的电极形成工序。而且，对基体层离子注入剥离用物质来形成剥离层的剥离层形成工序，在电极形成工序之前进行。

公开(公告)号：CN101884090A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118934.8

申请日：2008-09-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中川和男 ,  竹井美智子 ,  福岛康守 ,  富安一秀 ,  松本晋 ,  多田宪史 ,  高藤裕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606

Abstract: 在形成有被转移层(16)的器件基板中注入氢离子或者稀有气体离子后，将器件基板接合到载体目标基板，通过氢离子或者稀有气体离子的注入部劈开剥离器件基板而将被转移层(16)转移到载体基板(30)上的半导体装置的制造方法中，在成为器件基板和载体基板的接合界面的接合面(13)与被转移层(16)之间，设置隔断层(11)，其隔断成为气泡产生原因的物质的扩散。其结果是：可以防止成为气泡产生原因的物质扩散所造成的、在半导体基板和目标基板的接合界面中的气泡的产生。

公开(公告)号：CN109952553A

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201780037460.3

申请日：2017-08-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 丸山武纪 ,  杉田靖博 ,  木田和寿 ,  山岸慎治 ,  多田宪史 ,  牟金德 ,  川森秀次

IPC: G06F3/041 ,  G01L1/00 ,  G01L5/00

Abstract: 本发明提供同时检测导电体的位置和由上述导电体施加的压力的内置压力传感器的静电容式触摸面板。触摸面板(1)具备：多个传感电极(2)，所述多个传感电极(2)为了基于静电容检测触摸位置而沿第一方向延伸；和压力检测电极(4)，其在多个传感电极(2)之间以比传感电极(2)小的宽度沿第一方向延伸，电阻值根据压力的施加而变化。

公开(公告)号：CN107710126A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201680039158.7

申请日：2016-07-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木田和寿 ,  多田宪史 ,  丸山武纪 ,  塩江英纪 ,  石田丰 ,  前田一佳 ,  斎藤崇志 ,  细吕木秀夫 ,  道林浩司

IPC: G06F3/041

Abstract: 一种带触摸面板的显示装置，其抑制由为了触摸位置检测而对驱动电极供给驱动信号所引起的对图像显示的影响。带触摸面板的显示装置至少具备：显示控制部，其对显示控制元件供给扫描信号以及数据信号而进行显示控制；和触摸位置检测控制部，其对驱动电极供给驱动信号，并通过对从检测电极输出的位置检测信号进行检测来检测触摸位置。显示控制部在对显示控制元件供给数据信号时，相对于分别与构成一个显示像素的多个像素电极连接的多个显示控制元件依次供给数据信号。触摸位置检测控制部在对显示控制元件供给扫描信号的扫描写入期间中，且在对与多个颜色中的视灵敏度最高的颜色对应的显示控制元件供给数据信号的期间以外的期间，开始驱动信号向驱动电极的供给。

公开(公告)号：CN105765498A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480058034.4

申请日：2014-08-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 多田宪史 ,  小川裕之 ,  杉田靖博 ,  山岸慎治 ,  牟金德

IPC: G06F3/041 ,  G06F3/044

CPC classification number: G06F3/0416 ,  G02F1/134336 ,  G02F1/136209 ,  G06F3/041 ,  G06F3/0412 ,  G06F3/044 ,  G06F2203/04103 ,  G06F2203/04111

Abstract: 本发明的某实施方式的带触摸传感器的显示装置(100)具备：具有多个像素电极(2)的像素基板(20)；与像素基板(20)相对的相对基板(10)；在第1方向和与第1方向不同的第2方向上延伸的黑矩阵(8)；以及在第1方向上延伸的触摸传感器电极(6)。在从与相对基板(10)的平面方向垂直的方向观看相对基板(10)时的俯视时，黑矩阵(8)的在第1方向上延伸的线的第2方向的宽度比黑矩阵(8)的在第2方向上延伸的线的第1方向的宽度宽，触摸传感器电极(6)的在第1方向上延伸的线的第2方向的宽度(W1)比黑矩阵(8)的在第1方向上延伸的线的第2方向的宽度(W2)窄，触摸传感器电极(6)的在第1方向上延伸的线与黑矩阵(8)的在第1方向上延伸的线重叠。

公开(公告)号：CN101855703B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200880115929.1

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  福岛康守 ,  多田宪史 ,  中川和男 ,  松本晋 ,  富安一秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。

公开(公告)号：CN101878534A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200880117043.0

申请日：2008-09-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 福岛康守 ,  高藤裕 ,  多田宪史

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/84 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78621

Abstract: 本发明提供一种半导体装置和显示装置。该半导体装置(10)通过由剥离层剥离一部分而形成的包含CMOS晶体管(3)的半导体基板(1)与玻璃基板(2)相互贴合而构成。与NMOS晶体管(3n)的沟道区域(35n)同一导电型的P型、并且比沟道区域(35n)高浓度的p型高浓度杂质区域(39n)，与沟道区域(35n)电连接而形成，以使得沟道区域(35n)的电位被固定。与PMOS晶体管(3p)的沟道区域(35p)同一导电型的N型、并且比沟道区域(35p)高浓度的N型高浓度杂质区域(39p)，与沟道区域(35p)电连接而形成，以使得沟道区域(35p)的电位被固定。由此，提供一种通过抑制薄膜晶体管的特性变动能够实现高性能化的半导体装置和包括该半导体装置的显示装置。

公开(公告)号：CN101855703A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200880115929.1

申请日：2008-10-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高藤裕 ,  福岛康守 ,  多田宪史 ,  中川和男 ,  松本晋 ,  富安一秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66772

Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。