有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置

    公开(公告)号:CN112051690B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202010493248.1

    申请日:2020-06-03

    Abstract: 一种有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置,有源矩阵基板具备:源极金属层,其包含源极总线;下部绝缘层,其覆盖源极金属层;顶栅型的氧化物半导体TFT,其包含设置在下部绝缘层上的氧化物半导体层;层间绝缘层,其覆盖氧化物半导体TFT;像素电极,其设置在层间绝缘层上;共用电极,其包含能作为触摸传感器用的电极发挥功能的多个子共用电极;栅极金属层,其包含栅极总线和栅极电极;漏极金属层,其包含漏极电极;以及多个触摸传感器用配线,其分别电连接到多个子共用电极中的任意一个子共用电极,并且包含于漏极金属层。

    有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置

    公开(公告)号:CN112051690A

    公开(公告)日:2020-12-08

    申请号:CN202010493248.1

    申请日:2020-06-03

    Abstract: 一种有源矩阵基板及带触摸传感器的液晶显示装置,有源矩阵基板具备:源极金属层,其包含源极总线;下部绝缘层,其覆盖源极金属层;顶栅型的氧化物半导体TFT,其包含设置在下部绝缘层上的氧化物半导体层;层间绝缘层,其覆盖氧化物半导体TFT;像素电极,其设置在层间绝缘层上;共用电极,其包含能作为触摸传感器用的电极发挥功能的多个子共用电极;栅极金属层,其包含栅极总线和栅极电极;漏极金属层,其包含漏极电极;以及多个触摸传感器用配线,其分别电连接到多个子共用电极中的任意一个子共用电极,并且包含于漏极金属层。

    有源矩阵基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN113764517B

    公开(公告)日:2024-10-18

    申请号:CN202110613024.4

    申请日:2021-06-02

    Abstract: 提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板,具备第1TFT和第2TFT,第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极,第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构,第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极,第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率,第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上,第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜,并且不包含第1绝缘膜,在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。

    有源矩阵基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN113764517A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202110613024.4

    申请日:2021-06-02

    Abstract: 提供具备特性相互不同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板。一种有源矩阵基板,具备第1TFT和第2TFT,第1TFT具有第1氧化物半导体层和隔着第1栅极绝缘层配置在第1氧化物半导体层的一部分上的第1栅极电极,第1栅极绝缘层具有包含第1绝缘膜和配置在第1绝缘膜上的第2绝缘膜的层叠结构,第2TFT具有第2氧化物半导体层和第2栅极电极,第2氧化物半导体层具有比第1氧化物半导体层高的迁移率,第2栅极电极隔着第2栅极绝缘层配置在第2氧化物半导体层的一部分上,第2栅极绝缘层包含第2绝缘膜,并且不包含第1绝缘膜,在第2氧化物半导体层与基板之间还具备包含第1绝缘膜的下部绝缘层。

    具有触摸面板的显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN109313517B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN201780035818.9

    申请日:2017-06-07

    Abstract: 提供不使显示品质下降,而能够提高触摸感测的精度的具有触摸面板的显示装置及其制造方法。具有触摸面板的显示装置包括有源矩阵基板。有源矩阵基板包括:多个像素电极、在与多个像素电极之间形成电容的多个对向电极、多条触摸检测用配线、第一绝缘层以及第二绝缘层。多条触摸检测用配线与多个对向电极的任意一个连接并对所连接的对向电极提供触摸检测用驱动信号。一个像素电极与一个对向电极之间配置有第二绝缘层。另外,一个触摸检测用配线上配置有第一绝缘层,该第一绝缘层上配置有所述第二绝缘层,该第二绝缘层上配置有一个对向电极。

    有源矩阵基板及其制造方法

    公开(公告)号:CN112349732A

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN202010782151.2

    申请日:2020-08-06

    Abstract: 有源矩阵基板包括栅极总线、源极总线、下部绝缘层以及氧化物半导体TFT,氧化物半导体TFT具有配置在下部绝缘层上的氧化物半导体层、栅电极、源电极、以及连接氧化物半导体层以及源电极的第一欧姆导电部,下部绝缘层具有使源电极的至少一部分露出的源极用开口部,第一欧姆导电部配置在下部绝缘层上以及源极用开口部内,且在源极用开口部内与源电极的至少一部分直接接触,氧化物半导体层的第一区域与第一欧姆导电部的上表面直接接触。

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