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公开(公告)号：CN101798089B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010023058.X
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种利用锗作为催化剂生长的氧化硅纳米线及其制备方法。采用本发明生长的氧化硅纳米线呈非晶态，其直径为20～30nm左右，长度达到数十微米。与以往报道的生长氧化硅纳米线不同，由于在生长过程中没有利用金属作催化剂，也没有采用退火温度接近硅熔点的高温处理技术，因此将氧化硅纳米线应用于研制硅基光集成器件或硅基光电集成器件，本发明生长方法易于和常用的硅集成器件工艺达到兼容，也不会使集成器件中的电子器件，可能因金属沾污导致性能的退化。
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公开(公告)号：CN102173376A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110045698.5
申请日：2011-02-25
Applicant: 复旦大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法。本发明利用大直径聚苯乙烯纳米球，在Si衬底上自组装生成单层纳米球膜作为掩模，经过反应离子刻蚀，直流溅射金薄膜和选择性腐蚀等多次工艺后，最终得到二维六角点阵排列的小尺寸倒金字塔状纳米坑阵列。其纳米坑阵列的周期由最初选择的聚苯乙烯纳米球的直径决定。这种有序纳米坑阵列有望广泛应用于可控量子结构的生长、光子晶体制造、量子逻辑运算和磁性介质存储等领域。
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公开(公告)号：CN109545682A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811350947.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明属于半导体微纳米结构制备技术领域，具体为一种基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法。本发明在Si(001)单晶衬底上，通过分子束外延设备或其他生长设备生长硅锗合金薄膜，然后利用模板图形转移和化学选择性刻蚀，得到高质量的硅锗微盘。本发明提供了一种简单易行经济适用的方法，来获得高质量的硅锗合金微盘。此发明解决了现有技术在硅衬底上直接制备硅基光学微盘的困难。该发明所制备的硅衬底上的硅锗微盘为硅基光电器件的发展提供了新思路。
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公开(公告)号：CN102173376B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201110045698.5
申请日：2011-02-25
Applicant: 复旦大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法。本发明利用大直径聚苯乙烯纳米球，在Si衬底上自组装生成单层纳米球膜作为掩模，经过反应离子刻蚀，直流溅射金薄膜和选择性腐蚀等多次工艺后，最终得到二维六角点阵排列的小尺寸倒金字塔状纳米坑阵列。其纳米坑阵列的周期由最初选择的聚苯乙烯纳米球的直径决定。这种有序纳米坑阵列有望广泛应用于可控量子结构的生长、光子晶体制造、量子逻辑运算和磁性介质存储等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101704500B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200910199052.5
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种超长芯-壳结构硅纳米线及其制备方法。这种硅纳米线具有直径小，长度长，结晶性良好，氧化硅壳层厚等特点。其中纳米线的直径为5nm左右，长度可达数十微米至数百微米。硅纳米线的生长方向为[111]方向。包围于硅纳米线外围的氧化硅壳层厚度为25nm左右。厚实的氧化硅壳层，将提高硅纳米线的机械强度，增强硅纳米线的抗氧化能力，使硅纳米线的物理性质保持稳定。超长的硅纳米线将使该纳米材料获得更广泛更方便的应用。
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公开(公告)号：CN101704500A
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200910199052.5
申请日：2009-11-19
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于纳米材料技术领域，具体为一种超长芯-壳结构硅纳米线及其制备方法。这种硅纳米线具有直径小，长度长，结晶性良好，氧化硅壳层厚等特点。其中纳米线的直径为5nm左右，长度可达数十微米至数百微米。硅纳米线的生长方向为[111]方向。包围于硅纳米线外围的氧化硅壳层厚度为25nm左右。厚实的氧化硅壳层，将提高硅纳米线的机械强度，增强硅纳米线的抗氧化能力，使硅纳米线的物理性质保持稳定。超长的硅纳米线将使该纳米材料获得更广泛更方便的应用。
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公开(公告)号：CN1208660C
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN02110871.4
申请日：2002-02-21
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属光通讯技术领域，具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论，研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系，缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本发明所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO2多层膜中引入多个缺陷态，利用缺陷态之间的相互耦合，使得器件的透射频谱加宽，满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN2482103Y
公开(公告)日：2002-03-13
申请号：CN01245833.3
申请日：2001-06-08
Applicant: 复旦大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本实用新型光波导是一种折射率反转型硅基平面光波导。由于现有结构的光波导存在着诸如制备方法繁杂、与光纤偶合效果差以及传播损耗大等缺点。本实用新型光波导是一个三层结构的波导,首先在硅衬底上先生长一定厚度的SiO2作为芯层,再在上面淀积一定厚度的多晶硅作为包层,其中SiO2层厚为1.5～10μm,多晶硅层厚度为:2～50μm。经分析和实验表明该波导不仅制备简单、能与硅平面集成工艺兼容,而且具有良好的传输特性。
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公开(公告)号：CN2591654Y
公开(公告)日：2003-12-10
申请号：CN02215812.X
申请日：2002-02-21
Applicant: 复旦大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本实用新型属光通讯技术领域，具体为一种平面光延迟器。本实用新型根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论，研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系，缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响。本实用新型所设计的光延迟器可以是在多晶Si/非晶SiO2多层膜中引入多个缺陷态，利用缺陷态之间的相互耦合，使得器件的透射频谱加宽，满足高速光通信的基本要求。同时该器件能与硅平面集成工艺兼容，具有良好的应用前景。
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