公开(公告)号：CN109545682B

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN201811350947.X

申请日：2018-11-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟振扬 ,  张宁宁 ,  陈培宗 ,  樊永良 ,  蒋最敏

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明属于半导体微纳米结构制备技术领域，具体为一种基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法。本发明在Si(001)单晶衬底上，通过分子束外延设备或其他生长设备生长硅锗合金薄膜，然后利用模板图形转移和化学选择性刻蚀，得到高质量的硅锗微盘。本发明提供了一种简单易行经济适用的方法，来获得高质量的硅锗合金微盘。此发明解决了现有技术在硅衬底上直接制备硅基光学微盘的困难。该发明所制备的硅衬底上的硅锗微盘为硅基光电器件的发展提供了新思路。

公开(公告)号：CN109545682A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811350947.X

申请日：2018-11-14

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟振扬 ,  张宁宁 ,  陈培宗 ,  樊永良 ,  蒋最敏

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明属于半导体微纳米结构制备技术领域，具体为一种基于硅衬底的硅锗合金微盘的制备方法。本发明在Si(001)单晶衬底上，通过分子束外延设备或其他生长设备生长硅锗合金薄膜，然后利用模板图形转移和化学选择性刻蚀，得到高质量的硅锗微盘。本发明提供了一种简单易行经济适用的方法，来获得高质量的硅锗合金微盘。此发明解决了现有技术在硅衬底上直接制备硅基光学微盘的困难。该发明所制备的硅衬底上的硅锗微盘为硅基光电器件的发展提供了新思路。

公开(公告)号：CN112382558B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202011142806.6

申请日：2020-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟振扬 ,  陈培宗 ,  张宁宁 ,  张立建 ,  樊永良 ,  蒋最敏

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于半导体量子结构技术领域，具体为一种基于微纳米金属/半导体肖特基结的可控量子结构制备方法。本发明方法，是在含有量子阱的半导体表面，制备金属微纳米结构，形成微纳米尺度的金属/半导体肖特基结，该微纳米肖特基结附近存在一个局域静电场，可以在量子阱层中对载流子产生一个横向限制，从而在半导体量子阱中得到新型可控的量子结构；所述量子结构包括量子点、量子线、量子环及其混合结构和阵列；本发明方法简单易行，在不损坏半导体晶体质量和不引入额外杂质的前提下,制备得到可控的半导体量子结构，甚至可用于制备复杂高质量的半导体量子结构体系，为新型半导体量子器件的制备提供了新途径。

公开(公告)号：CN112382558A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011142806.6

申请日：2020-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟振扬 ,  陈培宗 ,  张宁宁 ,  张立建 ,  樊永良 ,  蒋最敏

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于半导体量子结构技术领域，具体为一种基于微纳米金属/半导体肖特基结的可控量子结构制备方法。本发明方法，是在含有量子阱的半导体表面，制备金属微纳米结构，形成微纳米尺度的金属/半导体肖特基结，该微纳米肖特基结附近存在一个局域静电场，可以在量子阱层中对载流子产生一个横向限制，从而在半导体量子阱中得到新型可控的量子结构；所述量子结构包括量子点、量子线、量子环及其混合结构和阵列；本发明方法简单易行，在不损坏半导体晶体质量和不引入额外杂质的前提下,制备得到可控的半导体量子结构，甚至可用于制备复杂高质量的半导体量子结构体系，为新型半导体量子器件的制备提供了新途径。