公开(公告)号：CN102173376A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110045698.5

申请日：2011-02-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟振扬 ,  马英杰 ,  崔健 ,  樊永良 ,  蒋最敏

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法。本发明利用大直径聚苯乙烯纳米球，在Si衬底上自组装生成单层纳米球膜作为掩模，经过反应离子刻蚀，直流溅射金薄膜和选择性腐蚀等多次工艺后，最终得到二维六角点阵排列的小尺寸倒金字塔状纳米坑阵列。其纳米坑阵列的周期由最初选择的聚苯乙烯纳米球的直径决定。这种有序纳米坑阵列有望广泛应用于可控量子结构的生长、光子晶体制造、量子逻辑运算和磁性介质存储等领域。

公开(公告)号：CN102173376B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201110045698.5

申请日：2011-02-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟振扬 ,  马英杰 ,  崔健 ,  樊永良 ,  蒋最敏

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明属于纳米结构制备技术领域，具体为一种高度有序的小尺寸硅基纳米坑阵列的制备方法。本发明利用大直径聚苯乙烯纳米球，在Si衬底上自组装生成单层纳米球膜作为掩模，经过反应离子刻蚀，直流溅射金薄膜和选择性腐蚀等多次工艺后，最终得到二维六角点阵排列的小尺寸倒金字塔状纳米坑阵列。其纳米坑阵列的周期由最初选择的聚苯乙烯纳米球的直径决定。这种有序纳米坑阵列有望广泛应用于可控量子结构的生长、光子晶体制造、量子逻辑运算和磁性介质存储等领域。