公开(公告)号：CN101819975A

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN201010162453.6

申请日：2010-04-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体本发明公开了一种半导体器件，它包括一个N型隧穿晶体管和一个P型MOS晶体管。对于N型隧穿晶体管，采用垂直沟道双栅结构；对于P型MOS晶体管，采用凹陷沟道结构。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流等优点，采用本发明的集成电路大大降低了芯片功耗。

公开(公告)号：CN101807601A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010132082.7

申请日：2010-03-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  丁士进 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管。一方面，窄禁带宽度的源极材料使得栅控PNPN场效应晶体管的驱动电流上升；另一方面，凹陷型的沟道结构抑制了栅控PNPN场效应晶体管漏电流的增加。同时，本发明还提出了一种使用SiGe源极的凹陷沟道型栅控PNPN场效应晶体管的制造方法。

公开(公告)号：CN101777572A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN201010023061.1

申请日：2010-01-21

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  臧松干 ,  孙清清 ,  丁士进 ,  张卫

IPC: H01L27/24 ,  G11C16/06 ,  G11C16/20 ,  G11C16/26

Abstract: 本发明属于半导体非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种半导体存储器结构及其控制方法。该半导体存储器包括至少一个半导体衬底、一个用于对半导体存储器进行控制的隧穿晶体管结构、一个用于存储信息的存储单元和一个用于连接存储单元的顶部电极，所述的隧穿晶体管结构采用自对准工艺制造，而且用来进行对所述的半导体存储器比如擦写操作和读操作的控制。由多个所述的半导体存储器可以组成一个半导体存储器阵列。本发明还公开了一种上述半导体存储器阵列的控制方法，包括复位、置位、读取步骤。

公开(公告)号：CN101819975B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN201010162453.6

申请日：2010-04-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体本发明公开了一种半导体器件，它包括一个N型隧穿晶体管和一个P型MOS晶体管。对于N型隧穿晶体管，采用垂直沟道双栅结构；对于P型MOS晶体管，采用凹陷沟道结构。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流等优点，采用本发明的集成电路大大降低了芯片功耗。

公开(公告)号：CN102104027A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201010592833.3

申请日：2010-12-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管（IMOS）与隧穿场效应晶体管（TFET）的制造方法，其中通过控制第三次离子注入的剂量，不仅可以制造出相同沟道类型的TFET和与IMOS，还可以制造出不同沟道类型的TFET与IMOS直接构成反相器结构。本发明所提出的在单块芯片上集成IMOS器件和TFET器件的制造方法，不仅可以用于高速高性能集成电路制造，还可以用于低功耗集成电路制造；而且由于是在单块芯片上同时制造，降低了生产成本。

公开(公告)号：CN101916782A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010251137.6

申请日：2010-08-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/10 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于快速开关技术领域，具体为一种使用铁电材料的凹陷沟道型晶体管及其制造方法。本发明中，源极为窄禁带宽度，栅介质为铁电材料与氧化硅或高k材料叠层。一方面，窄禁带宽度的源极材料，使得晶体管的驱动电流上升；另一方面，凹陷型沟道的使用，抑制了漏电流的增加；同时，铁电材料的栅介质使得亚阈值电压摆幅变得更小，提高了器件的开关速度。进一步地，本发明还公开了所述半导体场效应晶体管的制造方法。

公开(公告)号：CN101834210A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010162446.6

申请日：2010-04-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种凹陷沟道的PNPN场效应晶体管。凹陷型的沟道结构使得晶体管在减小漏电流的同时增大了驱动电流。同时，本发明还公开了上述PNPN场效应晶体管的制造方法。采用本发明的PNPN场效应晶体管的隧穿结更加陡直，而且可以增加源端横向电场，减小隧穿势垒，改善传统MOS晶体管的类双极型晶体管的漏电流，减小芯片功耗。

公开(公告)号：CN101814503A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN201010141734.3

申请日：2010-04-08

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  臧松干 ,  张卫

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种互补栅控PNPN场效应晶体管及其制备方法。该晶体管由源极为窄禁带宽度的凹陷沟道的N型栅控PNPN场效应晶体管和P型栅控PNPN场效应晶体管组成。所述晶体管的凹陷沟道使其漏电流得到了抑制，同时，该晶体管采用了窄禁带宽度材料，其驱动电流也得到了提升。本发明还公开了上述晶体管的制造方法。本发明所提出的晶体管具有低漏电流、高驱动电流、低功耗、集成度高等优点。

公开(公告)号：CN101777580A

公开(公告)日：2010-07-14

申请号：CN200910247547.0

申请日：2009-12-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 王鹏飞 ,  臧松干 ,  孙清清 ,  张卫

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种隧穿场效应晶体管及其制备方法。该晶体管包括一个源极、一个漏极、一个栅极、以及一个衬底。所述半导体器件的沟道向衬底内凹陷，使其漏电流降低的同时驱动电流上升。本发明还公开了上述半导体器件的制造方法。本发明制造的半导体器件具有低漏电流、高驱动电流、集成度高等优点，采用本发明的集成电路的静态功耗可以得到降低，集成度也可以得到提高。

公开(公告)号：CN102104027B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201010592833.3

申请日：2010-12-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 臧松干 ,  王鹏飞 ,  张卫

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管（IMOS）与隧穿场效应晶体管（TFET）的制造方法，其中通过控制第三次离子注入的剂量，不仅可以制造出相同沟道类型的TFET和与IMOS，还可以制造出不同沟道类型的TFET与IMOS直接构成反相器结构。本发明所提出的在单块芯片上集成IMOS器件和TFET器件的制造方法，不仅可以用于高速高性能集成电路制造，还可以用于低功耗集成电路制造；而且由于是在单块芯片上同时制造，降低了生产成本。