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公开(公告)号：CN102237128A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010153437.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/403 , G11C11/4063
Abstract: 本发明提供一种刷新操作方法以及基于该刷新操作方法的PSRAM(伪静态随机存储器)，属于动态随机存储器(DRAM)技术领域。该刷新操作方法利用增益单元包括两组相互独立的字线和两组相互独立的位线的特点，将所述增益单元存储阵列的其中一行的刷新操作与该增益单元存储阵列的其他任一行的外部访问操作并行进行；该PSRAM也对应包括刷新控制电路，所述刷新控制电路可操作地用于控制增益单元存储阵列中的一行的刷新操作与所述增益单元存储阵列的其他行的外部访问操作并行进行。该刷新操作方法大大提高了增益单元存储阵列的操作速度，使用该刷新操作方法的PSRAM具有操作速度快、与外部SRAM接口兼容的特点。
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公开(公告)号：CN102081963B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910199382.4
申请日：2009-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/409 , G11C11/4063
Abstract: 本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法，属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容，从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间，降低刷新频率，减小由该增益单元eDRAM单元组成的存储器的功耗。同时由于所增加的MOS电容可以与标准MOS工艺兼容，因此具有制备成本低的特点。
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公开(公告)号：CN102081962B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910199380.5
申请日：2009-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/409
Abstract: 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体管和接到固定电压的公共位线而获得，使该增益单元eDRAM单元具有数据保持时间长、刷新频率低的特点，由该增益单元eDRAM单元形成的存储器具有读取速度快、功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN103035283B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201110295340.8
申请日：2011-09-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/4063
Abstract: 一种多级温度控制自刷新存储设备，包括振荡器(101)、分频器(102)以及DRAM阵列，该设备还包括扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)、选择电路(300)、多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，分频器(102)将输入频率frq分频成多个输出频率Refrq1，Refreq2，…Refrqn，衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)通过写入编码信号Code，即外部设置码，生成选择信号Refsel，提供给选择电路(300)，选择电路模块300在扩展模式寄存器设置(EMRS)模块(500)的设置控制下从(VBB1，Refrq1)、(VBB2，Refrq2)、……(VBBn，Refrqn)中选择一组输出到DRAM阵列的刷新频率Refrq和晶体管衬底电压VBB上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102194513B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201010121872.5
申请日：2010-03-11
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406 , G11C11/401
Abstract: 本发明属于存储器技术领域，具体为一种自动调整存储器刷新操作频率的电路、方法及其存储器。该电路通过读取分别存储数据“0”和数据“1”的冗余存储单元来判断其所监测的存储阵列的数据保持情况，其可以根据不同的工作条件、形成工艺条件等影响数据保持特性的因素来自动调整存储器的刷新操作频率。因此，该存储器具有刷新操作功耗低的特点。并且，该存储器的刷新操作是片上自动调整，不需要片外进行控制。
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公开(公告)号：CN102169714A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113756.9
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种体硅浮体晶体管存储器的刷新操作方法。本发明的刷新操作方法包括在体硅FBC的隐埋层上偏置电压脉冲以使隐埋层与浮体区之间的PN结弱导通步骤，使存储器由“强1”状态变为“弱1”状态，或者由“弱0”变为“强0”状态；该方法并不利用Charge Bumping(电荷泵)效应进行刷新操作，因此具有刷新操作的可靠性高的特点。同时，对于FBC存储器单元或存储器，刷新操作过程中不存在读取过程，进而可以对FBC存储器的存储阵列进行整体刷新操作。
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公开(公告)号：CN102081963A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910199382.4
申请日：2009-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/409 , G11C11/4063
Abstract: 本发明提供一种增益单元eDRAM单元、存储器及制备方法，属于嵌入式动态随机存储器(eDRAM)技术领域。该发明提供的增益单元eDRAM单元在存储节点处增加一个MOS电容，从而提高增益单元eDRAM单元的数据保持时间，降低刷新频率，减小由该增益单元eDRAM单元组成的存储器的功耗。同时由于所增加的MOS电容可以与标准MOS工艺兼容，因此具有制备成本低的特点。
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公开(公告)号：CN216962551U
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202122882228.6
申请日：2021-11-23
Applicant: 复旦大学附属中山医院
IPC: A61B17/132 , A61F13/00
Abstract: 本实用新型公开一种股静脉压迫器具，包括弹力松紧带、固定魔术贴、辅助固定魔术贴、校准魔术贴，所述弹力松紧带包括固定弹力松紧带、辅助固定弹力松紧带、校准弹力松紧带，所述固定魔术贴设置在固定弹力松紧带上，所述辅助固定魔术贴设置在辅助固定弹力松紧带上，所述校准魔术贴设置在校准弹力松紧带上。本实用新型通过魔术贴的固定方式，避免了固定时产生位移而进行二次固定，且魔术贴的固定方式简单快捷，可以根据实际需要对魔术贴的粘贴位置进行调节，在去除固定时，避免给患者带来疼痛感，同时弹性松紧带不与患者的身体通过胶粘固定，避免了患者对胶水产生过敏反应或是粘在医护人员的橡胶手套上。
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公开(公告)号：CN221450725U
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202322579534.1
申请日：2023-09-21
Applicant: 复旦大学附属中山医院
Abstract: 本实用新型涉及一种防止导丝整体脱入体内的血管穿刺鞘，包括外鞘、内芯、导引导丝，导引导丝上具有一可收缩、可拉直的弯曲处；导引导丝上，自所述弯曲处A至尾部B的长度大于所述内芯的长度。导引导丝的弯曲处作为导引导丝预先单独伸入血管腔后的限位之处，可避免误操作导致整条导丝完全脱入体内，同时减轻医务人员的操作难度；同时，自所述弯曲处A至尾部B的长度大于所述内芯的长度，因此操作者放置鞘管时无需再关注鞘管尾部情况，只需关注鞘管前端及导丝弯曲处即可，进一步减轻医务人员的操作难度。
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