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公开(公告)号：CN102169956B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010113771.3
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电阻型存储器技术领域，具体为一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法。本发明的制备方法中以在钨金属层上直接形成厚度小于或等于10纳米的硅层、然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层，从使其氧化钨基电阻型存储器的制备具有工艺简单、制备成本低的特点，同时其制备的氧化钨基电阻型存储器成品率高、功耗低，抗读干扰性能和高疲劳特性均得以提高。
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公开(公告)号：CN102332454A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010226845.4
申请日：2010-07-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/112 , H01L21/8246 , G11C17/16 , G11C17/18
CPC classification number: H01L27/112 , G11C17/00 , H01L21/768 , H01L23/5252 , H01L23/538 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及置于上电极和下电极之间的存储介质层，所述存储介质层包括：第一金属氧化物层以及第二金属氧化物层，其中，第一金属氧化物层和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个以上所述及的一次可编程存储单元。该OTP单元以及OTP具有编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强的特点，并且其制备方法相对简单、成本低。
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公开(公告)号：CN119964876A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202311468840.6
申请日：2023-11-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种抗摩擦可拉伸电子皮肤及其制备方法与应用，该可拉伸电子皮肤的制备方法包括以下步骤：取弹性基体材料分散于溶剂中，得到弹性基体溶液，再倒入容器中烘干成膜，得到可拉伸衬底薄膜；通过微纳沉积工艺并结合图案化掩模板工艺，在可拉伸衬底薄膜上沉积制备金属功能层，即得到目标产物抗摩擦可拉伸电子皮肤。与现有技术相比，本发明通过界面扩散诱导内聚效应，使得惰性金属能够牢牢地粘附在可拉伸衬底表面，在保证器件优异的导电性前提下，赋予器件出色的抵抗外界摩擦干扰和拉伸、弯曲变形的能力。
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公开(公告)号：CN117332826A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210731785.4
申请日：2022-06-25
Applicant: 复旦大学
IPC: G06N3/063 , G06N3/06 , G06N3/0499 , G06N3/084 , G06N20/00
Abstract: 本发明涉及一种自组装雪崩响应器件及其制备和应用，该响应器件通过以下过程制备得到：(1)取绝缘衬底并在其上表面两端分别沉积制备金属电极；(2)取纳米导电填料和界面调节剂，加入弹性基体溶液中，搅拌混合，并超声分散，得到导电聚合物溶液；(3)通过旋转涂膜工艺，将所得导电聚合物溶液旋涂于硅衬底上，并覆盖两金属电极相向设置的端部，烘干，得到响应层，即完成。本发明的响应器件在受电学刺激时，表现出指数级雪崩响应特征，从而提高器件的响应幅度，且对刺激表现出良好的电学响应均一性，此外，基于响应器件的动态非线性响应和短时记忆特征，将其用于硬件实现储备池计算系统的储备池网络层，从而替代传统软件随机生成的储备池网络层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102339949B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201010239033.3
申请日：2010-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种高可靠性一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及两个或两个以上并联置于上电极和下电极之间的存储介质层。该存储介质层包括：第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，第一和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个所述一次可编程存储单元。本发明OTP可靠性高、编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强，其制备方法相对简单、成本低。
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公开(公告)号：CN102339949A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201010239033.3
申请日：2010-07-28
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于一次可编程存储器技术领域，具体为一种高可靠性一次可编程存储（OTP）单元、存储器及其制备方法。该OTP单元包括下电极、上电极以及两个或两个以上并联置于上电极和下电极之间的存储介质层。该存储介质层包括：第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，第一和第二金属氧化物层之间形成用于编程的相邻接区域。该OTP包括按行和列排列的多个所述一次可编程存储单元。本发明OTP可靠性高、编程电压低、单元面积小、可集成于集成电路的后端结构中、工艺灵活性强，其制备方法相对简单、成本低。
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公开(公告)号：CN102169956A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113771.3
申请日：2010-02-25
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电阻型存储器技术领域，具体为一种氧化钨基电阻型存储器及其制备方法。本发明的制备方法中以在钨金属层上直接形成厚度小于或等于10纳米的硅层、然后对所述钨金属层和硅层同时一起氧化处理形成氧化钨基存储介质层，从使其氧化钨基电阻型存储器的制备具有工艺简单、制备成本低的特点，同时其制备的氧化钨基电阻型存储器成品率高、功耗低，抗读干扰性能和高疲劳特性均得以提高。
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公开(公告)号：CN101894907A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200910051873.4
申请日：2009-05-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00 , G11C11/56 , H01L21/8238
Abstract: 一种CuxO基电阻型存储器制备方法，属于集成电路制造技术领域。通过在CuSi化合物缓冲层上氧化形成CuxO基存储介质后，再对CuxO基存储介质进行硅化处理，能够在CuxO基存储介质中的掺入的更多Si元素，实现Si元素在CuxO基存储介质中整体分布相对更均匀，特别是在CuxO基存储介质上表层也形成了Si元素掺杂，从而提高该电阻型存储器的Ron和数据保持特性。采用该方法制备的CuxO电阻型存储器具有低功耗、长数据保持特性的优点。
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公开(公告)号：CN101740717A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910145691.3
申请日：2009-05-15
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于金属氧化物不挥发存储器技术领域，涉及一种CuxO基电阻型存储器及其制备方法，该CuxO基电阻型存储器包括上电极、铜下电极、以及设置在上电极和铜下电极之间的CuxO基存储介质，所述CuxO基存储介质是通过对覆盖在铜下电极上的CuSi化合物缓冲层氧化处理形成，其中，1＜x≤2。该发明提供的电阻型存储器能避免存储介质之下产生空洞，从而保证器件的良率以及可靠性，同时具有相对低功耗的特点。
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