-
公开(公告)号：CN102064111A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010574126.1
申请日：2010-12-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种利用含氟（F）等离子体释放金属栅/高k栅介质体系费米能级钉扎的方法。高k栅介质中缺陷的主要类型是氧空位，F具有较小的离子半径能够对氧空位进行填补，它是电负性最强的元素，也是唯一一种电负性比氧强的元素。用含F的等离子体对淀积好的高k栅介质进行处理，能够很好地对高k栅介质中的氧空位进行钝化，从而达到释放费米能级钉扎的目的，使金属栅/高k介质晶体管的亚阈值特性和阈值电压漂移得到改善。
Search Results
11
records
(took 0.034 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
