-
公开(公告)号：CN100493615C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610118923.2
申请日：2006-11-30
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了单修饰的聚乙二醇化胰岛素及其制备方法。本发明的单修饰的聚乙二醇化胰岛素以碳氮键相连，分子量范围6550～10800。其按如下步骤制备：将胰岛素溶于pH3.0～5.0醋酸盐缓冲液，加入mPEG-醛和NaBH3CN，搅拌，加入小分子氨基酸终止反应，透析浓缩后上SP Sepharose FF层析柱，用含NaCl的缓冲液进行梯度洗脱，收集的峰3洗脱液，浓缩，透析，冷冻干燥，得PheB1-PEG-胰岛素。与现有技术相比，本发明的PheB1-PEG-胰岛素保留了胰岛素的原有活性且提高其物理生物稳定性，该制备方法操作简便，适于工业化大生产。
-
公开(公告)号：CN100477094C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710040766.2
申请日：2007-05-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法。该方法包括在硅片表面热生长一层SiO2或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用原子层淀积方法沉积厚度为2-5mm的钌薄膜，然后经高温快速热退火处理，制得所需高密度钌纳米晶。本发明方法与CMOS工艺相兼容，且操作简单，制得的钌纳米晶可适用快闪存储器。
-
公开(公告)号：CN101060077A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710040766.2
申请日：2007-05-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法。该方法包括在在硅片表面热生长一层SiO2或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用原子层淀积方法沉积厚度为2－5nm的钌薄膜，然后经高温快热退火处理，制得所需高密度钌纳米晶。本发明方法与CMOS工艺相兼容，且操作简单，制得的钌纳米晶可适用快闪存储器。
-
公开(公告)号：CN1434054A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03115489.1
申请日：2003-02-21
Applicant: 复旦大学附属中山医院
IPC: C07H21/02 , A61K31/7088 , A61K48/00 , A61P35/00
Abstract: 本发明属生物技术领域，涉及一种双链RNA及其抑制哺乳动物肿瘤细胞的用途。本发明采用RNA干扰技术，将体外合成的双链RNA通过非病毒载体和/或病毒载体结合导入哺乳动物肿瘤细胞，能抑制表皮生长因子受体的表达，从而改变NSCLC细胞生物学特性，增加哺乳动物肿瘤细胞对放化疗的敏感性。本发明双链RNA可制备新的抗肿瘤生物制剂和抗肿瘤药物，行瘤体内直接注射或静脉给药有效抑制肿瘤生长。
-
公开(公告)号：CN120029965A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411856555.6
申请日：2024-12-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种基于光伏效应的能算一体光计算芯片元件及其制备方法和应用，涉及光学计算和光伏技术领域。所述元件包括衬底基板层、导电电极、导电接触件、挠曲光伏层、光致应变层，入射挠曲光伏层的光能因光伏效应被转化为电能，与挠曲光伏层物理接触的光致应变层受特殊光束照射会产生应变，光致应变层的应变使得与之接触的挠曲光伏层产生受光束调控的局部应变，挠曲光伏层因光伏效应产生的光电流会因材料的局部应变梯度而受到应变调控。与现有技术相比，该元件集光伏效应与光学计算功能于一身，单个元件即可同时实现光能至电能的转换和光计算结果的电信号输出，是新一代的“能算一体”光计算元件，可作为绿色低碳芯片的核心计算元件。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119667933A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202510003477.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种转镜组件，用于激光扫描系统，包括：旋转轴；转镜本体，套设于旋转轴，可围绕旋转轴转动，转镜本体包括：多个反射件，用于接收入射光并反射到光接收面，多个反射件沿第一方向分布，并与第一方向的夹角不同，使得入射光入射到反射件后，反射到光接收面同时形成沿分束方向分布的多行扫描轨迹，其中第一方向平行于旋转轴。本发明的转镜组件可无需额外的振镜或空分复用光路进行分行扫描。
-
公开(公告)号：CN119595605A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411847963.5
申请日：2024-12-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种荧光收集装置，包括：物镜，接收荧光束并使其穿过；荧光收集通道，沿第一方向延伸；荧光传递收集组件，设在荧光收集通道内，传递并收集来自物镜的荧光束，包括在荧光收集通道中沿第一方向依次设置的：透镜组件，包括至少两个透镜；圆台镜，包括沿第一方向相对设置的第一端面和第二端面，以及在第一方向上位于第一端面和第二端面之间的侧面，第一端面直径大于第二端面直径，从透镜组件传来的荧光束从第一端面进入圆台镜，并从第二端面穿出，侧面将到达侧面的荧光束反射到第二端面；光子探测器，接收从第二端面传来的荧光束并将荧光束转换为电信号。该荧光收集装置的收集效率高。本发明还公开了荧光显微镜。
-
公开(公告)号：CN101673772A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910196299.1
申请日：2009-09-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电容器技术领域，具体为一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构。本发明依次采用高温干氧热氧化的SiO 2 薄膜做电荷隧穿层；原子层淀积的HfO 2 /Al 2 O 3 /HfO 2 三明治纳米叠层做电荷俘获层；原子层淀积的Al 2 O 3 薄膜做电荷阻挡层；衬底采用P型单晶硅；金属电极采用磁控溅射反应制备的HfN/TaN双层金属薄膜，其中HfN与电荷阻挡层Al 2 O 3 直接接触。本发明在擦写模式下均能有效遏制通过阻挡层的电子注入，显著提高电容的存储特性，使得电容具有快速的编程/擦除特性，大存储窗口和高电容密度，同时不存在擦除饱和现象。
-
公开(公告)号：CN100477095C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710040770.9
申请日：2007-05-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法。该方法包括在硅片表面热生长一层SiO2或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用溅射方法沉积厚度为2-5nm的钌薄膜，然后经高温快速热退火处理，制得所需高密度钌纳米晶。本发明方法与CMOS工艺相兼容，且操作简单，制得的钌纳米晶可适用快闪存储器。
-
公开(公告)号：CN101109692A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710045193.2
申请日：2007-08-23
Abstract: 本发明属于材料测试技术领域，具体为一种博物馆藏展材料评估筛选用金属薄膜试片及其制备方法。本发明运用现代成熟的镀膜技术在不同基质材料表面镀制厚度为100－300nm纳米级银、铜粒子薄膜，得到所需金属薄膜试片。本发明可大幅度减少金属原材料的用量，并简化操作，降低成本；可避免块状金属试片所带来的实验数据重复性差的不足，有利于数据化分析腐蚀前后试片的差异，避免传统的Oddy Test法所采用的肉眼观察而带来的人为误差。并可大大减少试验周期，便于大规模推广和应用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
27
records
(took 0.04 seconds)
