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公开(公告)号：CN118291613A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410554545.0
申请日：2024-05-07
Applicant: 复旦大学附属中山医院
IPC: C12Q1/6883 , G01N33/68 , C12N15/11
Abstract: 本发明公开了一种评估高龄RIF患者子宫内膜容受性的生物标志物及其应用，该生物标志物为S100A10基因或蛋白，检测S100A10基因表达水平和/或S100A10蛋白水平的试剂用于制备评估高龄RIF患者子宫内膜容受性的产品，产品可为试剂盒，检测样本为高龄RIF患者胚胎种植窗口期的子宫内膜组织，其中S100A10基因表达水平或S100A10蛋白水平降低的子宫内膜组织内膜容受性差。本发明中S100A10基因用于诊断不明原因的高龄RIF患者子宫内膜容受性，为临床诊断RIF以及评估RIF治疗效果提供新的指标，对辅助生殖治疗具有指导意义。
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公开(公告)号：CN1964075A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610119294.5
申请日：2006-12-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/792 , H01L29/51 , H01L27/115
Abstract: 本发明为一种可编程/擦除的金属－绝缘体－硅(MIS)电容器结构，使用SiO2/HfO2－Al2O3纳米叠层(HAN)/Al2O3的介质层结构。本电容器具有高电容密度值4.5fF/μm2，分别在+12V的电压下编程和在－12V电压下擦除5毫秒所得的存储窗口为1.45V。在相同的工作电压和工作时间下，该电容器在进行编程和擦除操作时具有对称的正、负平带电压值，并且不存在擦除饱和现象。这原因在于原子层淀积高介电常数HAN/Al2O3层的采用，使得隧穿氧化层(SiO2)上的电压降增大，减小了阻挡氧化层(Al2O3)上的电压降，因此有效地防止了透过阻挡氧化层的Fowler－Nordheim隧穿电流。
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公开(公告)号：CN101060078A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710040770.9
申请日：2007-05-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法。该方法包括在在硅片表面热生长一层SiO2或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用溅射方法沉积厚度为2－5nm的钌薄膜，然后经高温快热退火处理，制得所需高密度钌纳米晶。本发明方法与CMOS工艺相兼容，且操作简单，制得的钌纳米晶可适用快闪存储器。
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公开(公告)号：CN101673772A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910196299.1
申请日：2009-09-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于电容器技术领域，具体为一种可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构。本发明依次采用高温干氧热氧化的SiO 2 薄膜做电荷隧穿层；原子层淀积的HfO 2 /Al 2 O 3 /HfO 2 三明治纳米叠层做电荷俘获层；原子层淀积的Al 2 O 3 薄膜做电荷阻挡层；衬底采用P型单晶硅；金属电极采用磁控溅射反应制备的HfN/TaN双层金属薄膜，其中HfN与电荷阻挡层Al 2 O 3 直接接触。本发明在擦写模式下均能有效遏制通过阻挡层的电子注入，显著提高电容的存储特性，使得电容具有快速的编程/擦除特性，大存储窗口和高电容密度，同时不存在擦除饱和现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100477095C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710040770.9
申请日：2007-05-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法。该方法包括在硅片表面热生长一层SiO2或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用溅射方法沉积厚度为2-5nm的钌薄膜，然后经高温快速热退火处理，制得所需高密度钌纳米晶。本发明方法与CMOS工艺相兼容，且操作简单，制得的钌纳米晶可适用快闪存储器。
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公开(公告)号：CN100477094C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200710040766.2
申请日：2007-05-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法。该方法包括在硅片表面热生长一层SiO2或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用原子层淀积方法沉积厚度为2-5mm的钌薄膜，然后经高温快速热退火处理，制得所需高密度钌纳米晶。本发明方法与CMOS工艺相兼容，且操作简单，制得的钌纳米晶可适用快闪存储器。
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公开(公告)号：CN101060077A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710040766.2
申请日：2007-05-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
Abstract: 本发明属于半导体制备工艺技术领域，具体为一种适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法。该方法包括在在硅片表面热生长一层SiO2或采用原子层淀积的方法生长高介电常数介质薄膜，再用原子层淀积方法沉积厚度为2－5nm的钌薄膜，然后经高温快热退火处理，制得所需高密度钌纳米晶。本发明方法与CMOS工艺相兼容，且操作简单，制得的钌纳米晶可适用快闪存储器。
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公开(公告)号：CN210248873U
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201920186258.3
申请日：2019-02-02
Applicant: 复旦大学附属中山医院
Abstract: 本实用新型提供了一种携带微型医疗器械的腰包，包主体上设有透明的观察窗，包主体上还设有用于平时盖住所述观察窗、需要使用所述观察窗时再掀开的避光帘；包主体背面设有用于固定于佩戴者腰上的腰带；包主体端部设有用作输注导管的出口和/或用于将所述包主体挂于输液架上的孔。本实用新型提供的携带微型医疗器械的腰包操作使用方便，病人能将微量输注装置随身携带，避免了微量输注装置跌落和受压的风险，增加了使用时的安全性和便捷性，提高病人使用时的生活质量；也能满足避光类化疗药物的存放要求，保证了治疗的安全性和有效性。
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公开(公告)号：CN221770996U
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202420110419.1
申请日：2024-01-16
Applicant: 复旦大学附属中山医院
Abstract: 本实用新型提供一种24小时尿液收集装置，包括集尿袋、引流管及收集器，所述收集器通过所述引流管连通所述集尿袋，所述集尿袋的底部连通有出液管，以及设于所述出液管上的阀门，所述集尿袋的相对两侧分别设有第一支撑板和第二支撑板，所述第一支撑板与所述第二支撑板之间活动连接有一支撑杆。使用时，医护人员可通过操作支撑杆驱使第一支撑板和第二支撑板相对并拢或远离，从而实现集尿袋的折叠或展开，相比现有方案中采用大容量的广口玻璃器皿收集尿液，本方案中集尿袋的设计更为轻便，且在折叠后利于收纳，能够有效节约空间。
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