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公开(公告)号：CN115084363A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210609606.X
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种铁电半导体结型神经形态忆阻器件及其制备方法。该铁电半导体结型神经形态忆阻器件包括：衬底，其为高掺杂硅片；阻挡层，形成在衬底上，设有凹槽，使底部的高掺杂硅片露出作为底电极；铁电层，形成在凹槽中，与底电极相接触；顶电极，形成在铁电层上，其延伸方向与底电极的延伸方向正交，通过调节施加在顶电极的电压的大小和正负，实现神经形态计算中所需的电导权重逐级调节过程：在顶电极施加正向电压时，铁电层中的铁电畴极化方向翻转向下，器件处于低电阻的状态；施加较小的正向电压时，铁电层中铁电畴发生不完全翻转，器件处于中间电阻状态；施加负向电压时，铁电层中的铁电畴极化方向发生翻转，器件处于高电阻的状态。
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公开(公告)号：CN115084362A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210609538.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器及其制备方法。该具有垂直双栅结构的铁电神经突触存储器包括：衬底；背栅电极，形成在所述衬底上；铪基铁电背栅介质，其为正交相，覆盖所述背栅电极；二维沟道材料，形成在所述铪基铁电背栅介质上，其在水平方向的投影与背栅电极在水平方向的投影有交叠；源电极和漏电极，形成在所述二维沟道材料两端；铪基铁电顶栅介质，其为正交相，覆盖上述器件；顶栅电极，形成在所述铁电顶栅介质上，其在水平方向的投影与二维沟道材料和背栅电极在水平方向的投影有交叠，在垂直方向上实现基于双铁电耦合的双突触调控，完成时间与空间信息调整。
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公开(公告)号：CN114944440A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210693525.2
申请日：2022-06-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/032 , H01L31/18 , G06N3/063
Abstract: 本发明公开一种仿生视觉神经突触器件及其制备方法。该仿生视觉神经突触器件包括：衬底，作为栅电极；栅介质层，形成在所述栅电极上；沟道，形成在所述栅介质层上，包括能带相匹配的第一二维半导体薄膜和第二二维半导体薄膜，两者相互邻接且有重叠的区域，形成异质结；源电极和漏电极分别形成在所述沟道两侧，通过光脉冲输入图像信息，利用两种二维半导体薄膜构建的异质结形成的光电响应增强效果，对光电信息进行采集、处理与存储，实现视觉系统的图像处理功能，用于构建感存算一体化的神经形态感知系统。
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公开(公告)号：CN112331773A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011155925.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种全透明的防水柔性有机忆阻器件及其制备方法。该全透明的防水柔性有机忆阻器件，包括：柔性衬底；底层电极，形成在柔性衬底上；经过低温退火的PEDOT:PSS有机功能层，形成在底层电极上；顶层电极，相互隔离分布在PEDOT:PSS有机功能层上。本发明解决了有机材料器件易受到水的影响而使得器件性能衰减或失效的问题，为有机忆阻器件的防水应用场景提供了可能。
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公开(公告)号：CN110416085A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910618159.2
申请日：2019-07-10
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/161 , H01L29/788
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种SiGe沟道结构的半浮栅晶体管及其制作方法。本发明的半浮栅晶体管包括：衬底；SiGe层，衬底上的SiGe层；衬底中的U型槽；第一栅极叠层，包括第一栅氧化层和第一多晶硅层，第一栅氧化层覆盖U型槽的表面并部分覆盖SiGe层，在SiGe层形成开口，第一多晶硅层覆盖第一栅介质层，在开口处与SiGe层相接触；第二栅极叠层，包括第二栅氧化层和第二多晶硅层，第二栅氧化层覆盖第一多晶硅层和部分SiGe层，第二多晶硅层覆盖第二栅氧化层；栅极侧墙，以及源区和漏区。本发明通过改变沟道材料为SiGe，提高了电子和空穴的迁移率，提高了半导体存储器的速度，并克服了器件微缩带来的短沟道效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110265547A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910512415.X
申请日：2019-06-13
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种基于COMS后端工艺的柔性3D存储器的制备方法。本发明包括以下步骤：提供柔性衬底；利用硬掩膜，采用低温溅射方法生长第一电极；在第一电极上形成阻变功能层；利用硬掩膜，采用低温溅射方法生长第二电极；在第二电极上形成阻变功能层；交替重复上述两步骤，形成具有多层阻变功能层的柔性3D存储器，其中，位于各层的第一电极的位置不相重叠，位于各层的第二电极的位置不相重叠，并且位于顶层的第二电极形成后，不再形成阻变功能层。本发明简化了工艺过程，降低了成本；制备过程全采用CMOS后端生产工艺，为柔性3D存储器的进一步发展应用提供基础。
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公开(公告)号：CN108666335A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810478676.X
申请日：2018-05-18
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种CMOS图像传感器三维集成方法。本发明方法包括：提供制备在全耗尽的SOI晶片上的CMOS图像传感器芯片；形成第一金属互连布线层和钝化层；在所述第一金属互连线上形成嵌入式电极；切割所述CMOS图像传感器芯片，并进行表面等离子体激活处理；以及使两块所述CMOS图像传感器芯片的嵌入式电极相互对应完成键合。本发明利用嵌入式电极将绝缘体上硅层直接结合，不需占用额外的空间，得到高密度堆叠的三维COMS图像传感器。本发明适用于高密度集成。
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公开(公告)号：CN113517285B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110248345.9
申请日：2021-03-08
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体为一种二维互补型存储器及其制备方法。本发明二维互补型存储器包括：衬底；底电极阵列，包括多条沿第一方向延伸，沿第二方向排列的线状底电极；在底电极阵列上依次形成的第一BN二维材料层、石墨烯二维材料层、第二BN二维材料层；以及顶电极阵列，包括多条沿第二方向延伸，沿第一方向排列的线状顶电极，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。本发明采用独立的互补型存储器解决交叉阵列中的“潜行电流”问题，提高了材料的选择范围，同时全二维材料构建的范德瓦尔斯异质结作为互补型存储器的功能层，可缩减至原子级别的厚度，有效提高二维存储器的高密度集成能力。
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公开(公告)号：CN112331772B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202011155918.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机忆阻器包括：柔性衬底(100)；底层电极(101)，其以一定间隔分布在柔性衬底(100)上；有机功能层(102)，其形成底层电极(101)上，具有紫外光响应，并且可以在紫外光脉冲的激励下进行电荷的存储与擦除，撤去光脉冲后的电流状态与施加光脉冲前的初始电流状态不同，且能保持较长的时间；顶层电极(103)，其以一定间隔分布在有机功能层(102)上，且其延伸方向与底层电极(101)的延伸方向垂直；当利用紫外光脉冲源对所形成的感存算一体的柔性有机忆阻器进行照射时，忆阻器可感应到光信号并产生电流信号，相应的电流信号可被忆阻器存储记忆并用于多态神经计算，从而实现感存算一体化。
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公开(公告)号：CN112331772A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011155918.5
申请日：2020-10-26
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机忆阻器包括：柔性衬底(100)；底层电极(101)，其以一定间隔分布在柔性衬底(100)上；有机功能层(102)，其形成底层电极(101)上，具有紫外光响应，并且可以在紫外光脉冲的激励下进行电荷的存储与擦除，撤去光脉冲后的电流状态与施加光脉冲前的初始电流状态不同，且能保持较长的时间；顶层电极(103)，其以一定间隔分布在有机功能层(102)上，且其延伸方向与底层电极(101)的延伸方向垂直；当利用紫外光脉冲源对所形成的感存算一体的柔性有机忆阻器进行照射时，忆阻器可感应到光信号并产生电流信号，相应的电流信号可被忆阻器存储记忆并用于多态神经计算，从而实现感存算一体化。
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