公开(公告)号：CN116458282A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180076885.1

申请日：2021-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 崔起植 ,  安藤崇志 ,  P·C·贾米森 ,  J·G·梅西 ,  E·A·卡迪尔

IPC: H10N97/00

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，包括包含与第二金属层交错的第一金属层的序列的多电极堆叠电容器。四层堆叠体将第一金属层中的每个与第二金属层中的每个分隔开，四层电介质堆叠体包括由Al2O3制成的第一电介质层、由HfO2制成的第二电介质层、由Al2O3制成的第三电介质层和由HfO2制成的第四电介质层。

公开(公告)号：CN110610864A

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201910495345.1

申请日：2019-06-10

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 权兑勇 ,  徐康一 ,  权五成 ,  崔起植

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了形成垂直场效应晶体管(VFET)器件的方法。所述方法可以包括：形成从衬底的上表面沿竖直方向突出的沟道区；在所述沟道区的侧面上形成栅极绝缘体层；在形成所述栅极绝缘体层之后，在所述沟道区上形成顶部源极/漏极；以及在所述栅极绝缘体层上形成栅电极。

公开(公告)号：CN104347426B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201410383611.9

申请日：2014-08-06

Applicant: 格罗方德半导体公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  崔起植 ,  S·C·范 ,  S·普诺施

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

Abstract: 本揭露是包括形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置。在一些具体实施例中，该间隔物的该内表面具有阶梯剖面结构或锥形剖面结构。在一范例中，揭露一装置，其中，用于PMOS装置的该P型功函数金属仅设在由该间隔物的未修整内表面所定义的侧向空间内，同时用于NMOS装置的功函数调整金属是侧向地设在由该侧壁间隔物的已修整内表面和未修整内表面两者所定义的侧向空间之间。

公开(公告)号：CN104347426A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410383611.9

申请日：2014-08-06

Applicant: 格罗方德半导体公司 ,  国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  崔起植 ,  S·C·范 ,  S·普诺施

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823864 ,  H01L27/092 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/78

Abstract: 本揭露是包括形成用于晶体管的替换闸极结构的方法及其造成的装置。在一些具体实施例中，该间隔物的该内表面具有阶梯剖面结构或锥形剖面结构。在一范例中，揭露一装置，其中，用于PMOS装置的该P型功函数金属仅设在由该间隔物的未修整内表面所定义的侧向空间内，同时用于NMOS装置的功函数调整金属是侧向地设在由该侧壁间隔物的已修整内表面和未修整内表面两者所定义的侧向空间之间。