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公开(公告)号：CN116458282A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202180076885.1
申请日：2021-11-10
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： 崔起植 , 安藤崇志 , P·C·贾米森 , J·G·梅西 , E·A·卡迪尔
IPC: H10N97/00
Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，包括包含与第二金属层交错的第一金属层的序列的多电极堆叠电容器。四层堆叠体将第一金属层中的每个与第二金属层中的每个分隔开，四层电介质堆叠体包括由Al2O3制成的第一电介质层、由HfO2制成的第二电介质层、由Al2O3制成的第三电介质层和由HfO2制成的第四电介质层。
