公开(公告)号：CN101785095A

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200880103633.8

申请日：2008-08-14

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社 ,  宇部兴产株式会社 ,  宇部日东化成株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  松冈孝明 ,  井口敦智 ,  绵贯耕平 ,  小池匡 ,  足立龙彦

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/02255 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/316 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76835 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/53295 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法。在包含浅沟槽元件分离区域、多层结构的层间绝缘膜的半导体器件的制造工序中，需要反复使用CMP，然而由于CMP本身成本高，因此CMP的反复使用导致制造成本上升。作为浅沟槽(ST)元件分离区域中所用的绝缘膜和/或最下层的层间绝缘膜，使用可以利用旋转涂布来涂布的绝缘性涂布膜。该绝缘性涂布膜具有以((CH3)nSiO2-n/2)x(SiO2)1-x(其中，n＝1～3、0≤x≤1.0)表示的组成，通过选择热处理条件，形成比介电常数k不同的膜。另外，通过将绝缘性涂布膜完全地改性为SiO2膜，可以形成STI元件分离区域，通过设为不完全改性的状态，可以形成比介电常数k小的层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101563782A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780047515.5

申请日：2007-12-19

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本瑞翁株式会社 ,  宇部日东化成株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  杉谷耕一 ,  小池匡 ,  番场昭典 ,  小林章洋 ,  绵贯耕平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78639

Abstract: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外，所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成，所述涂布剂由将RxMXm－x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。