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公开(公告)号:CN101546767B
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN200910071964.4
申请日:2009-05-07
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H01L27/07 , H01L29/74 , H01L29/73 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供的是一种可降低通态功耗的自关断晶闸管,其内部结构为:一个PNPN型半导体主晶闸管,高掺杂P型层(1)经金属层(1M)引出阳极,在高掺杂P型层(1)上依次为低掺杂N型基区层(2)和P型基区层(3),在P型基区层(3)上为高掺杂N型层(4)经金属层(4M)引出阴极,同时在P型基区层(3)经金属层(3M)引出门极;一个PNP型半导体晶体管,高掺杂P型层(1)经金属层(1M)引出发射极,在高掺杂P型层(1)上依次为低掺杂N型基区层(2)和P型基区层(3),在P型基区层(3)上为高掺杂P型层(5)经金属层(5M)引出集电极。PNPN型主晶闸管和PNP型晶体管部分由N-区隔离。该晶闸管结构具有较低的导通电阻,从而达到提高晶闸管的通态电流的目的。
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公开(公告)号:CN201878130U
公开(公告)日:2011-06-22
申请号:CN201020628170.1
申请日:2010-11-29
Applicant: 哈尔滨工程大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本实用新型提供的是一种信号自动控制峰值检测器。包括PD电路(11)、峰值甄别电路(14)、ADC(12)、后端处理器(13);输入信号一路经PD电路(11)后输出峰值电压到ADC(12)模拟电压输入端,输入信号另一路经微分电路(41)接到比较器(42)负端,与零电压进行比较,输出脉冲控制ADC(12)以及后端处理器(13)产生复位信号给PD电路(11)和ADC(12);ADC(12)在转化完成后由EOC端输出高电平控制处理器(13)读取数据。本实用新型实现了输入信号自动触发控制,使其适用于波形宽度较大、ADC转化速度快的应用场合,消除了对高速ADC的限制,减少系统采集信号的死时间。
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