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公开(公告)号：CN115312610B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210963862.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜及其制备方法，涉及电源设备技术领域。所述带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜材料的化学通式为：Zn0.92‑xCux(Fe0.04Li0.04)O；其中x＝0～0.07。本发明提供一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜(ZCFLO薄膜材料)，薄膜的光伏性能得到大幅度提高。最佳掺杂含量的薄膜经过电场极化后的填充因子为83.4％，光电转换效率为14.4％，禁带宽度降低至1.93eV，具有优异的光伏性能。
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公开(公告)号：CN114325283A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111611204.5
申请日：2021-12-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明公开了一种真空光辐照条件下的半导体性能测试系统及其控制方法，属于半导体性能测试技术领域，其中，该系统包括：主控模块、六探针臂探针台、探针台控制模块和液氦制冷系统，主控模块包括主控计算机、超连续谱激光器、半导体器件分析仪、阻抗分析仪和开关矩阵，主控计算机分别与超连续谱激光器、开关矩阵、半导体器件分析仪和阻抗分析仪连接，开关矩阵分别与半导体器件分析仪、阻抗分析仪和六探针臂探针台连接，超连续谱激光器通过光纤引入六探针臂探针台；探针台控制模块与六探针臂探针台、主控计算机连接。该系统可模拟真空、可变温度、可变磁场和连续可调光场等多种环境条件作用下，进而测得航天器相关器件及材料的半导体性能。
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公开(公告)号：CN111664978A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010470968.6
申请日：2020-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种曲面异形件的残余应力表征方法，本发明涉及曲面异形件的残余应力表征方法。本发明的目的是为了解决现有方法对残余应力的测定准确率低的问题。过程为：一、计算该窗口宽度引起的衍射峰的宽化；二、对于球形样品，将球形样品半球进行遮挡，从出射窗口发射的X射线，只有一半的光线照射到球形样品上，不考虑球面曲率的影响，则将直接导致峰位向高角偏移Δθ/4；三、对于平面样品，计算衍射峰位向低角偏移的角度与偏移距离的关系；四、计算出出射窗口沿衍射圆周弧长方向的宽度L照射在球面上的弧长；五、确定各个入射角下球面曲率引起的最终峰位偏移；六、得到球形样品的残余应力。本发明用于材料的残余应力表征领域。
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公开(公告)号：CN115312610A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210963862.9
申请日：2022-08-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜及其制备方法，涉及电源设备技术领域。所述带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜材料的化学通式为：Zn0.92‑xCux(Fe0.04Li0.04)O；其中x＝0～0.07。本发明提供一种带隙可调和高填充因子的掺杂氧化锌铁电光伏薄膜(ZCFLO薄膜材料)，薄膜的光伏性能得到大幅度提高。最佳掺杂含量的薄膜经过电场极化后的填充因子为83.4％，光电转换效率为14.4％，禁带宽度降低至1.93eV，具有优异的光伏性能。
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公开(公告)号：CN111548149B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010456718.7
申请日：2020-05-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B41/88 , H01L41/187
Abstract: 一种高温度稳定性的钛酸钡无铅压电陶瓷及其制备方法，涉及压电陶瓷领域，尤其涉及一种钛酸钡基无铅压电陶瓷及其制备方法。是要解决现有的钛酸钡基无铅压电陶瓷存在压电性能较差、滞后较大、温度稳定性差的问题。该钛酸钡无铅压电陶瓷的结构通式为Ba1‑x(Li0.5,B0.5)xTiO3，其中0.001≤x≤0.1。方法：一、原料称量；二、球磨，干燥；三、将干燥好的粉料加热至预烧制温度后进行保温，冷却；四、将预烧制后的粉料球磨，干燥；五、将球磨干燥后的粉料压制成型；六、将压制成型的样品加热至烧结温度后进行保温，冷却；七、将烧结后的陶瓷元件进行恒场强保温，之后恒场强冷却至室温。本发明应用于无铅压电陶瓷领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113091939A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110333309.2
申请日：2021-03-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01K7/22
Abstract: 基于石墨烯/钛酸锶钡异质结的高灵敏度温度传感器的制备方法，本发明属于温度传感器领域，它为了解决现有温度传感器的灵敏度和响应速度较低的问题。制备方法：一、采用固相烧结法制备钛酸锶钡陶瓷；二、裁剪负载于铜片上的石墨烯，在石墨烯上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯；三、将旋涂后的石墨烯放入铜刻蚀液中，从铜刻蚀液中捞取石墨烯；四、将石墨烯转移至钛酸锶钡陶瓷的抛光面上，烘干处理；五、将烘干后的钛酸锶钡陶瓷放入丙酮中溶解聚甲基丙烯酸甲酯；六、将石墨烯‑钛酸锶钡异质结放入烘箱中烘干。当温度升高至钛酸锶钡的相变温度附近，电流相比室温而言分别上升速率较高，在较窄的相变温区内具有很高的电流变化率，从而具有较高的探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN111664977A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010470020.0
申请日：2020-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种丝织构薄膜残余应力检测方法，它属于薄膜材料的特性表征技术领域。本发明解决了采用传统方法对丝织构薄膜残余应力的测试不准确的问题。本发明基于丝织构薄膜所具有的横向等方性，对其残余应力分析提出了具体的解决方案。通过坐标系转换，直接计算出样品坐标系下样品的弹性张量，从而根据广义胡克定律就可以建立样品坐标系下的宏观残余应力和应变的关系。采用本发明建立的残余应力和应变关系的理论模型，可以有效解决传统X射线衍射应力测试方法对丝织构薄膜残余应力测试的不准确问题。本发明可以应用于丝织构薄膜残余应力的检测。
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公开(公告)号：CN115057701A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210651299.1
申请日：2022-06-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/057 , C04B35/622 , H05K7/20
Abstract: 一种具有室温大电卡效应的复合薄膜材料及其制备方法，它为了解决目前电卡制冷温变较小，使用温度较高难以实用化的问题。制备方法：一、PbZrO3前驱体溶质称量及配置；二、PbZrO3薄膜旋涂；三、PbZrO3薄膜预烧；四、PbZrO3薄膜晶化处理；五、(CaMnO3)nCaO前驱体溶质称量及配置；六、(CaMnO3)nCaO薄膜旋涂；七、(CaMnO3)nCaO薄膜预烧；八、(CaMnO3)nCaO薄膜晶化处理。本发明采用溶胶凝胶旋涂法制备得到了具有室温大电卡效应的复合薄膜，该复合薄膜的耐压性高，并具有优异的制冷效果，300K时温变可以达到66.5K，在室温下实现了更大的制冷效果。
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公开(公告)号：CN112002799B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010921361.5
申请日：2020-09-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L41/187 , H01L41/257 , H01L41/318 , H01L41/39 , C01G9/02
Abstract: 一种铁‑锂离子对掺杂改性的高压电系数氧化锌基压电薄膜及其制备方法，涉及一种高压电系数的掺杂氧化锌压电薄膜的制备方法。是要解决现有方法无法使ZnO薄膜的压电性能得到优化提高的问题。该氧化锌基压电薄膜材料，化学通式为Zn1‑2x(FexLix)O。方法：一、将二水合醋酸锌和乙醇胺溶解于乙二醇甲醚中，搅拌得到前驱体溶液；二、将九水合硝酸铁和二水合醋酸锂加入前驱体溶液中，搅拌得到溶液；三、将溶液陈化形成胶体；四、利用溶胶凝胶旋涂法将胶体在Si衬底上涂覆薄膜；五、热解；六、通过重复步骤四和步骤五；七、将薄膜进行晶化处理；八、将薄膜进行电场极化处理，至室温，得到极化后的薄膜。本发明用于无铅压电陶瓷领域。
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公开(公告)号：CN114349334A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210079510.7
申请日：2022-01-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C03C3/06 , C03B19/06 , C03B20/00 , C08F220/20 , C08F222/20 , C08F222/14
Abstract: 用于熔融石英光固化成型的光敏浆料及其制备方法和固化成型方法，它为了解决玻璃的3D打印成型工艺中产品的致密度较低，透光率不好的问题。本发明用于熔融石英光固化成型的光敏浆料按照重量份数包括：单官能度稀释剂400～800份，多官能度稀释剂200～600份，苯氧乙醇0～300份，SiO2粉末700～1500份，光引发剂1～10份，阻聚剂1～10份，染料1～10份。本发明通过向光敏树脂中加入纳米SiO2粉末，采用光固化成型技术实现SiO2‑树脂复合材料成型，再通过热处理工艺去除树脂成分，最终实现纯SiO2熔融石英的烧结成型。本发明能够有效实现复杂构型熔融石英的快速成型制造，成型精度高、工序简单。
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