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公开(公告)号:CN112877773B
公开(公告)日:2022-05-24
申请号:CN202110034019.8
申请日:2021-01-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法,本发明要解决现有MPCVD法单晶金刚石生长工艺中需要消耗大量高纯氢气,碳源利用率较低的问题。单晶金刚石生长方法:一、清洗金刚石籽晶;二、将单晶金刚石籽晶放置于样品台中心的样品托上,将固态碳源放置于单晶金刚石籽晶的四周;三、将反应舱内抽真空,随后通入高纯氢气,并升高气压与微波功率;四、在无气流稳定生长过程中,采用光谱仪对反应舱内的等离子体进行监控,通过调节微波功率来调节固态碳源表面的温度;五、结束生长。本发明在无气流生长过程中,原子氢刻蚀固态碳源产生碳氢基团,随后通过热扩散粒子输运到金刚石籽晶表面,此过程持续循环进行,实现单晶金刚石的快速生长。
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公开(公告)号:CN114068681A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202111361547.0
申请日:2021-11-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/16 , H01L29/167 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法,它要解决现有高集成度的电子元器件等由于发热导致电路不能正常工作的问题。本发明基于金刚石肖特基二极管的逻辑器件在金刚石衬底上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层,在掺硼或者掺磷金刚石层表面上沉积有选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层,选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层位于掺硼或者掺磷金刚石层表面的两侧,选择性生长金属掩膜作为欧姆电极,在选择性同质外延生长层上沉积至少两个肖特基电极,欧姆电极作为信号输出端;欧姆电极通过导线连接负载电阻,在负载电阻的另一端施加偏置电压。本发明的金刚石逻辑与门在600K及以上高温正常工作,实现逻辑与门的功能。
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公开(公告)号:CN108737187B
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN201810505715.0
申请日:2018-05-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种CAN总线故障模拟系统及故障模拟方法,本发明涉及CAN总线故障模拟系统及故障模拟方法。本发明为了解决现有技术故障注入的操作过程复杂、只能进行物理层故障注入以及不能直接返回故障注入结果的问题。本发明包括:信息收发模块、故障注入模块和控制软件模块;所述信息收发模块用于将来自两端的目标机的数据帧进行数字信号和模拟信号的转化;所述故障注入模块用于根据控制软件模块发送的数据,对CAN总线的链路层或物理层进行故障注入;所述控制软件模块用于提供人机交互界面,发送故障注入参数到故障注入模块;所述故障注入参数包括故障注入方式、故障的时间类型、注入位置。本发明用于计算机可靠性评价领域。
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公开(公告)号:CN110643972B
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN201910932384.3
申请日:2019-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/517 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/58 , G01N21/65 , G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 一种金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用,它涉及一种金修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用。本发明要解决其中一个问题是现有方法制备的掺硼金刚石在其表面修饰其他物质时,两者结合力较差,解决的另一个问题是掺硼金刚石电极材料的电化学检测灵敏度较低,现有修饰方法会阻碍掺硼金刚石材料本身电化学性能发挥。制备方法:一、硼源的制备;二、掺硼金刚石薄膜的制备;三、镀膜及退火。本发明用于金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备及应用。
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公开(公告)号:CN111593310A
公开(公告)日:2020-08-28
申请号:CN202010384746.2
申请日:2020-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用磁控溅射制备高光电稳定性透明导电膜的方法,本发明涉及制备透明导电膜的方法。本发明要解决现有Ag基多层薄膜在长期或高温条件下会发生光电性能劣化的问题。方法:一、将AZO靶材、Ni靶材及Ag靶材安装在多靶磁控溅射设备的靶位上,抽真空;二、AZO靶材溅射直至第一AZO层厚度为25nm~55nm,Ag靶材溅射直至Ag层厚度为6nm~10nm,Ni靶材溅射直至Ni层厚度为2nm~4nm,AZO靶材溅射直至第二AZO层厚度为25nm~55nm;三、关闭所有电源,取样。本发明可用于太阳能电池的电极、平板显示器等对透明导电薄膜有高光电性能及优异稳定性需求的领域。
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公开(公告)号:CN110643972A
公开(公告)日:2020-01-03
申请号:CN201910932384.3
申请日:2019-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/517 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C14/58 , G01N21/65 , G01N27/30 , G01N27/327
Abstract: 一种金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用,它涉及一种金修饰掺硼金刚石电极的制备方法及应用。本发明要解决其中一个问题是现有方法制备的掺硼金刚石在其表面修饰其他物质时,两者结合力较差,解决的另一个问题是掺硼金刚石电极材料的电化学检测灵敏度较低,现有修饰方法会阻碍掺硼金刚石材料本身电化学性能发挥。制备方法:一、硼源的制备;二、掺硼金刚石薄膜的制备;三、镀膜及退火。本发明用于金纳米粒子修饰掺硼金刚石电极的制备及应用。
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公开(公告)号:CN118713900B
公开(公告)日:2025-02-18
申请号:CN202410920732.6
申请日:2024-07-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor: 刘立坤 , 龚家兴 , 余翔湛 , 胡智超 , 史建焘 , 苗钧重 , 郭明昊 , 葛蒙蒙 , 程明明 , 张森 , 陈东鑫 , 王钲皓 , 高展鹏 , 郭一澄 , 鲁宇 , 周杰 , 傅言晨 , 李岱林 , 张靖宇 , 张垚
IPC: H04L9/40
Abstract: 本发明公开了一种基于数据包长度分布的动态低开销流量混淆方法,属于防御加密流量指纹检测技术领域。解决了现有技术中传统的流量混淆方法动态性不足且资源开销大的问题;本发明结合基于分布的数据包长度映射方法以及基于分割和堆叠的数据包修改方法,最终提出一个基于数据包长度分布的动态低开销流量混淆方法,对于一个数据包序列中的每个数据包,首先通过基于分布的数据包长度映射方法获得目标数据包长度,然后利用基于分割和堆叠的数据包修改方法将数据包修改为目标长度,最终得到混淆之后的数据包序列。本发明有效避免了对数据包修改过程中引入填充数据的操作,降低了额外的带宽开销,可以应用于在实际网络环境下混淆流量。
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公开(公告)号:CN118410483B
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202410498504.4
申请日:2024-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor: 刘立坤 , 郭一澄 , 余翔湛 , 胡智超 , 史建焘 , 郭明昊 , 葛蒙蒙 , 苗钧重 , 程明明 , 张森 , 陈东鑫 , 王钲皓 , 高展鹏 , 周杰 , 傅言晨 , 李岱林 , 张靖宇 , 张垚
Abstract: 本发明公开了一种基于启发式动态分析的移动应用网络信息提取方法,属于网络信息安全技术领域。解决了现有技术中传统的动态网络分析方法和静态网络分析方法难以实现全面地对APP提取有效网络特征信息的问题;本发明通过逆向待分析应用的apk文件获取程序源码,遍历所得逆向结果中同网络信息相关的关键位置,提取输出静态启发信息及静态网络特征数据;基于随机动作点击和控件坐标生成原始流量,并通过基于代理的方法实现常用协议流量实时解密,对明密文流量中相关协议特征参数进行提取获得动态网络特征数据,对静态网络字符串变量结果和动态网络分析结果进行清洗,输出最终结果。本发明有效提升了流量生成和分析的效率,可以应用于APP测试。
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公开(公告)号:CN118523948A
公开(公告)日:2024-08-20
申请号:CN202410729180.0
申请日:2024-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Inventor: 余翔湛 , 陈东鑫 , 葛蒙蒙 , 高展鹏 , 刘立坤 , 胡智超 , 史建焘 , 程明明 , 郭一澄 , 王钲皓 , 张森 , 傅言晨 , 牟铎 , 周杰 , 张靖宇 , 李岱林 , 张垚
IPC: H04L9/40 , H04L47/2441 , G06F18/24 , G06F18/214 , G06N3/096
Abstract: 本发明提出一种基于大语言模型的加密网络流量分类方法,属于网络安全技术领域。本发明提出了基于BERT的开源大语言模型的基础上,通过双向流级别的网络流量测信道特征文本数据(数据包长度)作为预训练数据,训练能够利用开放域未标记流量数据学习具有较强泛化能力的表示的基座模型,并在下流任务中,通过较少数量的带标签的具体分类数据,完成快速迁移学习,增强了模型的适应能力。本发明比起使用不具有可读意义的数据包载荷作为训练样本,使用了数据包长度序列作为测信道特征,够学习到加密网络流量的行为模式;本发明比起使用专家提出的有限特征,通过数据包长度即可完美刻画加密网络流量行为模式。
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