利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法

    公开(公告)号:CN112877773B

    公开(公告)日:2022-05-24

    申请号:CN202110034019.8

    申请日:2021-01-13

    Abstract: 利用固态碳源的无气流MPCVD单晶金刚石生长方法,本发明要解决现有MPCVD法单晶金刚石生长工艺中需要消耗大量高纯氢气,碳源利用率较低的问题。单晶金刚石生长方法:一、清洗金刚石籽晶;二、将单晶金刚石籽晶放置于样品台中心的样品托上,将固态碳源放置于单晶金刚石籽晶的四周;三、将反应舱内抽真空,随后通入高纯氢气,并升高气压与微波功率;四、在无气流稳定生长过程中,采用光谱仪对反应舱内的等离子体进行监控,通过调节微波功率来调节固态碳源表面的温度;五、结束生长。本发明在无气流生长过程中,原子氢刻蚀固态碳源产生碳氢基团,随后通过热扩散粒子输运到金刚石籽晶表面,此过程持续循环进行,实现单晶金刚石的快速生长。

    基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN114068681A

    公开(公告)日:2022-02-18

    申请号:CN202111361547.0

    申请日:2021-11-17

    Abstract: 基于金刚石肖特基二极管的高温工作的逻辑器件及其制备方法,它要解决现有高集成度的电子元器件等由于发热导致电路不能正常工作的问题。本发明基于金刚石肖特基二极管的逻辑器件在金刚石衬底上沉积有掺硼或者掺磷金刚石层,在掺硼或者掺磷金刚石层表面上沉积有选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层,选择性生长金属掩膜和选择性同质外延生长层位于掺硼或者掺磷金刚石层表面的两侧,选择性生长金属掩膜作为欧姆电极,在选择性同质外延生长层上沉积至少两个肖特基电极,欧姆电极作为信号输出端;欧姆电极通过导线连接负载电阻,在负载电阻的另一端施加偏置电压。本发明的金刚石逻辑与门在600K及以上高温正常工作,实现逻辑与门的功能。

    一种CAN总线故障模拟系统及故障模拟方法

    公开(公告)号:CN108737187B

    公开(公告)日:2021-07-20

    申请号:CN201810505715.0

    申请日:2018-05-23

    Abstract: 一种CAN总线故障模拟系统及故障模拟方法,本发明涉及CAN总线故障模拟系统及故障模拟方法。本发明为了解决现有技术故障注入的操作过程复杂、只能进行物理层故障注入以及不能直接返回故障注入结果的问题。本发明包括:信息收发模块、故障注入模块和控制软件模块;所述信息收发模块用于将来自两端的目标机的数据帧进行数字信号和模拟信号的转化;所述故障注入模块用于根据控制软件模块发送的数据,对CAN总线的链路层或物理层进行故障注入;所述控制软件模块用于提供人机交互界面,发送故障注入参数到故障注入模块;所述故障注入参数包括故障注入方式、故障的时间类型、注入位置。本发明用于计算机可靠性评价领域。

    一种利用磁控溅射制备高光电稳定性透明导电膜的方法

    公开(公告)号:CN111593310A

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN202010384746.2

    申请日:2020-05-09

    Abstract: 一种利用磁控溅射制备高光电稳定性透明导电膜的方法,本发明涉及制备透明导电膜的方法。本发明要解决现有Ag基多层薄膜在长期或高温条件下会发生光电性能劣化的问题。方法:一、将AZO靶材、Ni靶材及Ag靶材安装在多靶磁控溅射设备的靶位上,抽真空;二、AZO靶材溅射直至第一AZO层厚度为25nm~55nm,Ag靶材溅射直至Ag层厚度为6nm~10nm,Ni靶材溅射直至Ni层厚度为2nm~4nm,AZO靶材溅射直至第二AZO层厚度为25nm~55nm;三、关闭所有电源,取样。本发明可用于太阳能电池的电极、平板显示器等对透明导电薄膜有高光电性能及优异稳定性需求的领域。

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