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公开(公告)号：CN118600411A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410672307.X
申请日：2024-05-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明属于复合涂层的冷喷涂技术领域，提供了一种电镀镍包覆微小尺寸碳化钨颗粒增强铝基复合涂层的冷喷涂方法，首先在恒温水浴锅中，采用电镀工艺在1‑3μm小尺寸碳化钨颗粒表面电镀镍层，获得镍包覆碳化钨颗粒，接着利用球磨机将电镀镍包覆碳化钨颗粒和铝粉末进行低能球磨，使电镀镍包覆碳化钨颗粒均匀分布在铝粉末中，得到混合粉末；本发明通过采用1‑3μm微小尺寸碳化钨颗粒作为原料，相比大尺寸的碳化钨颗粒，小尺寸的碳化钨颗粒在冷喷涂过程中可以从气流中获得更大的加速度，通过在其表面镀镍，可以减少小尺寸碳化钨颗粒在冷喷涂过程中的损失以及降低到达基体表面产生的弓形冲击效应，从而更容易保留在涂层中。
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公开(公告)号：CN117305828A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311283664.9
申请日：2023-10-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高含量微氧化‑电镀镍包覆碳化硅颗粒增强铝基复合涂层的冷喷涂方法，涉及一种铝基复合涂层的冷喷涂方法。冷喷涂方法：在大气条件下对碳化硅颗粒微氧化处理，在表面电镀镍层，和铝粉末进行低能球磨，最后进行冷喷涂。本发明通过高温氧化和电镀技术，在碳化硅粉颗粒表面镀镍，获得内核为增强相碳化硅颗粒和壳为延展性金属镍组成的核壳结构粉末，避免了增强相碳化硅和基体金属铝结合差以及碳化硅颗粒碰撞碎裂引起的组织缺陷，提高了沉积速率，可以避免有害的微观结构变化或氧化，减少热效应，提高颗粒‑颗粒和颗粒‑基体的结合强度、涂层内部的组织均匀性和减少碳化硅碎裂带来的组织缺陷，具有优异抗氧化性能、防腐性能和耐磨损性能。
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公开(公告)号：CN116087122A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310072520.2
申请日：2023-01-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 长管道内部等离子体密度实时监测系统及其应用方法，本发明为了解决现有长管道内部镀膜时等离子体密度难以检测的问题。本发明长管道内部等离子体密度实时监测系统中在减震平台的台面左右两侧设置有支座，导轨上滑动连接有三个移动架，三个移动架上分别设置有长焦距透镜、短焦距透镜和光谱探头，导轨上固定连接有固定支架，可伸缩暗室设置在固定支架上，长焦距透镜、短焦距透镜和探头位于可伸缩暗室内部，可伸缩暗室的敞口端与镀膜管道对接，可伸缩暗室的另一端封闭，探头通过连接线与光谱分析仪相连。本发明能适合长度较长的管道内放电等离子体监测，实时的自动监控管道内任意位置等离子体密度，并绘制出管道内等离子体光谱强度的分布。
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公开(公告)号：CN114875367A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210485242.9
申请日：2022-05-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制的沉积厚的四面体非晶碳膜(ta‑C)的方法，本发明是为了解决ta‑C碳膜制备过程中较高的固有应力，限制了碳膜厚度的问题。沉积厚的ta‑C的方法：一、真空室内石墨阴极靶材与脉冲阴极弧电源连接，工件基体与工件脉冲偏压电源相连接；二、抽真空通入氩气，通过脉冲阴极弧/工件偏压脉冲协同控制放电模式沉积ta‑C碳膜，其中工件偏压脉冲中先施加多段正向短脉冲，之后的多段负向工件偏压脉冲与脉冲阴极弧多段正向脉冲保持同频率和脉宽工作。本发明通过多段正向偏压脉冲排斥Ar+离子，规避Ar+离子对膜层的轰击夯实作用，降低薄膜应力。通过多段脉冲的设计有效地控制了薄膜沉积过程中的膜层温度。
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公开(公告)号：CN111748789A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010663232.0
申请日：2020-07-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/503 , C23C16/515 , C23C16/517 , C23C14/16 , C23C14/06
Abstract: 一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法，本发明涉及一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法。本发明的目的是解决现有金属阴极弧增强辉光放电制备DLC时金属元素对DLC的“污染”问题，本发明在石墨阴极弧与阳极之间构建放电通路，含碳气体在放电通路上通入，通入的含碳气体被石墨阴极弧发射出来的高密度电子离化，沉积在工件表面形成纯DLC。含碳等离子体中离子与原子的比例可以通过改变阴、阳极之间的放电模式以及调节放电参数来控制。本发明避免了金属靶增强辉光放电制备DLC时，金属掺杂对摩擦学性能的不良影响。本发明应用于等离子体增强化学气相沉积制备DLC领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110205597A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910628957.3
申请日：2019-07-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法，属于材料制造技术领域，本发明为解决现有双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射方法中正向脉冲对负向脉冲所产生的离子的推动加速作用效率低的问题。本发明维持真空室的真空度为0.1～5.5Pa，开启多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源，对待镀样品进行薄膜沉积5～240min，多段式双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源将双极性脉冲高功率脉冲磁控溅射电源的单负向脉冲拆分为两段，分别为负向1脉冲和负向2脉冲，在负向1脉冲后施加正向1脉冲，在负向2脉冲后施加正向2脉冲，在负向1脉冲和正向1脉冲之间施加负向1高脉冲，在负向2脉冲和正向2脉冲之间施加负向2高脉冲。本发明用于磁控溅射。
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公开(公告)号：CN105112883A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201510475012.4
申请日：2015-08-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC方法。它涉及等离子体浸没离子沉积DLC方法。本发明是要解决现有MPIID方法沉积DLC薄膜存在结合力差、薄膜性能不易调控及大型或复杂零件沉积DLC膜不均匀性的问题。方法：一、将栅网连同工件置于真空室内，工件放到栅网内样品架上，栅网与工件绝缘，栅网接栅网高压脉冲电源，工件接工件高压脉冲电源；二、工件溅射清洗；三、等离子氮化处理；四、溅射刻蚀处理；五、SiC过渡层制备；六、偏压调控薄膜的制备。本发明用于制备偏压调控栅网等离子体浸没离子沉积DLC膜。
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公开(公告)号：CN102409371B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110387712.X
申请日：2011-11-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D1/02
Abstract: 利用阳极极化曲线检测合金微弧氧化起弧特性的方法，本发明涉及合金微弧氧化的方法。本发明是要解决现有的利用微弧氧化实验过程去验证电解液中添加剂的种类及用量对微弧氧化起弧特性影响的方法而造成的工作量大、浪费电能和溶液原料的技术问题。本发明的方法：测定合金在待验证电解液中的以电压U为横坐标、以电流I为纵坐标的阳极极化曲线，以是否存在钝化区来确定是否可以进行微弧氧化，以钝化区间宽窄，确定合金在电解液中微弧氧化起弧放电的电压高低，当钝化区间宽度相近时，以钝化膜层失稳前极化电流的大小确定合金在该电解液中微弧氧化起弧放电电压高低；本发明的方法为低压、低电流密度过程，节约能源。可用于预测合金微弧氧化起弧特性。
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公开(公告)号：CN101951146B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201010289165.7
申请日：2010-09-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 陡下降沿低功耗的等离子浸没离子注入用高压脉冲调制器及调制方法，属于脉冲功率技术领域。它解决了现采用的等离子浸没离子注入用高压脉冲调制器输出脉冲的下降沿长的问题。它采用真空电子管作为主开关调制高压脉冲，用充电IGBT串联开关控制高压脉冲电容器的充电过程，消除了充电限流电阻上的功耗；当高压脉冲关断时，下拉IGBT串联开关开通，负载电容和寄生电容中残留的电荷能够迅速流经放电限流器件和下拉IGBT串联开关释放掉，使得输出高压脉冲的下降沿大大减小。本发明用于等离子体浸没离子注入工艺中对高压脉冲的精确控制。
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公开(公告)号：CN102191530A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110107410.2
申请日：2011-04-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C25D11/30
Abstract: 一种基于碳酸盐添加剂诱导CO2增强析气对膜层结构进行调制的镁合金微弧氧化方法，涉及一种微弧氧化方法。本发明提供一种基于碳酸盐添加剂诱导CO2增强析气对膜层结构进行调制的镁合金微弧氧化方法，既可在阳极区产生CO2气体，又可以对膜层表面结构进行调制。方法：一、微弧氧化处理液的配制；二、镁合金表面除油清洗；三、水洗；四、微弧氧化处理；五、干燥，即得到微弧氧化陶瓷膜。本发明在氧气析出的同时有二氧化碳析出，并通过二氧化碳分解逸出在膜层表面形成一定孔隙，达到对膜层的孔隙率进行调节的目的，进而调整膜层结构。应用于材料表面处理技术领域。
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