公开(公告)号：CN111748789B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202010663232.0

申请日：2020-07-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田修波 ,  胡健 ,  巩春志

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/503 ,  C23C16/515 ,  C23C16/517 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06

Abstract: 一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法，本发明涉及一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法。本发明的目的是解决现有金属阴极弧增强辉光放电制备DLC时金属元素对DLC的“污染”问题，本发明在石墨阴极弧与阳极之间构建放电通路，含碳气体在放电通路上通入，通入的含碳气体被石墨阴极弧发射出来的高密度电子离化，沉积在工件表面形成纯DLC。含碳等离子体中离子与原子的比例可以通过改变阴、阳极之间的放电模式以及调节放电参数来控制。本发明避免了金属靶增强辉光放电制备DLC时，金属掺杂对摩擦学性能的不良影响。本发明应用于等离子体增强化学气相沉积制备DLC领域。

公开(公告)号：CN111748789A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010663232.0

申请日：2020-07-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 田修波 ,  胡健 ,  巩春志

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/503 ,  C23C16/515 ,  C23C16/517 ,  C23C14/16 ,  C23C14/06

Abstract: 一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法，本发明涉及一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法。本发明的目的是解决现有金属阴极弧增强辉光放电制备DLC时金属元素对DLC的“污染”问题，本发明在石墨阴极弧与阳极之间构建放电通路，含碳气体在放电通路上通入，通入的含碳气体被石墨阴极弧发射出来的高密度电子离化，沉积在工件表面形成纯DLC。含碳等离子体中离子与原子的比例可以通过改变阴、阳极之间的放电模式以及调节放电参数来控制。本发明避免了金属靶增强辉光放电制备DLC时，金属掺杂对摩擦学性能的不良影响。本发明应用于等离子体增强化学气相沉积制备DLC领域。