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公开(公告)号:CN111748789B
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202010663232.0
申请日:2020-07-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/503 , C23C16/515 , C23C16/517 , C23C14/16 , C23C14/06
Abstract: 一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法,本发明涉及一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法。本发明的目的是解决现有金属阴极弧增强辉光放电制备DLC时金属元素对DLC的“污染”问题,本发明在石墨阴极弧与阳极之间构建放电通路,含碳气体在放电通路上通入,通入的含碳气体被石墨阴极弧发射出来的高密度电子离化,沉积在工件表面形成纯DLC。含碳等离子体中离子与原子的比例可以通过改变阴、阳极之间的放电模式以及调节放电参数来控制。本发明避免了金属靶增强辉光放电制备DLC时,金属掺杂对摩擦学性能的不良影响。本发明应用于等离子体增强化学气相沉积制备DLC领域。
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公开(公告)号:CN111748789A
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN202010663232.0
申请日:2020-07-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C23C16/26 , C23C16/503 , C23C16/515 , C23C16/517 , C23C14/16 , C23C14/06
Abstract: 一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法,本发明涉及一种石墨阴极弧增强辉光放电沉积纯DLC的装置及其方法。本发明的目的是解决现有金属阴极弧增强辉光放电制备DLC时金属元素对DLC的“污染”问题,本发明在石墨阴极弧与阳极之间构建放电通路,含碳气体在放电通路上通入,通入的含碳气体被石墨阴极弧发射出来的高密度电子离化,沉积在工件表面形成纯DLC。含碳等离子体中离子与原子的比例可以通过改变阴、阳极之间的放电模式以及调节放电参数来控制。本发明避免了金属靶增强辉光放电制备DLC时,金属掺杂对摩擦学性能的不良影响。本发明应用于等离子体增强化学气相沉积制备DLC领域。
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