基于信令大数据的旅游路线挖掘方法

    公开(公告)号:CN113313307B

    公开(公告)日:2024-12-06

    申请号:CN202110597996.9

    申请日:2021-05-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于信令大数据的旅游路线挖掘方法,包括:获取预设区域原始手机信令数据,去除数据中因乒乓效应产生的噪声数据,得到全域手机信令数据表;爬取预设区域内景区POI数据,筛选景区范围内的基站,构建基站‑景区表,并据此去除全域手机信令数据表中的非景区基站连接数据,得到景区手机信令数据表;去除过路行人、景区工作人员及附近常驻居民产生的干扰数据,得到景区游客手机信令数据表;对景区游客手机信令数据表按时间顺序构造景区序列,并进行聚集计算,得到初步游客游览路线表;采用基于欧式距离的层次聚类法对初步游客浏览路线中的相邻景区进行合并,获得最优旅游路线表。该方法挖掘过程稳定性高,挖掘的旅游路线更准确。

    一种提高SONOS型FLASH电荷保持特性的方法

    公开(公告)号:CN117373518A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311393061.4

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本发明的一种提高SONOS型FLASH电荷保持特性的方法,涉及一种半导体器件特性优化方法。目的是为了克服现有SONOS型非易失性存储器件数据保持能力容易降低变差的问题,本发明具体步骤如下:步骤一、对SONOS型FLASH存储器件进行高压擦除;步骤二、对SONOS型FLASH存储器件进行编程;步骤三、对SONOS型FLASH存储器件进行软擦除;并判断SONOS型FLASH存储器件编程后的阈值电压是否达到饱和;是则完成处理;否则返回执行步骤二。

    片状晶氧化铝/氧化锆复合陶瓷粉末的制备方法

    公开(公告)号:CN116655393A

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202310605925.8

    申请日:2023-05-26

    Abstract: 片状晶氧化铝/氧化锆复合陶瓷粉末的制备方法,涉及复合陶瓷材料领域,尤其涉及片状晶氧化铝/氧化锆复合陶瓷粉末的制备方法。是要解决现有方法制备的含片状晶结构陶瓷的强度和韧性不足的问题。方法:一、将铝粉和稀释剂干燥,稀释剂为氧化锆和氧化铝的混合物;二、将干燥后的铝粉和稀释剂混合,球磨过筛,得到混合物料;三、将混合物料装入高压反应器中,点燃混合物料,进行高温燃烧合成反应,形成高温熔体,开启喷嘴,熔体喷出,冷却得复合陶瓷粉末;四、将粉末与水混合形成浆料,砂磨,即为片状晶氧化铝/氧化锆复合陶瓷粉末。本方法片状晶含量高、尺寸小,分布均匀,增加陶瓷的强度和韧性。本发明用于制备片状晶氧化铝/氧化锆复合陶瓷粉末。

    一种MXenes超级电容器电极的辐照改性方法

    公开(公告)号:CN115831627A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211467957.8

    申请日:2022-11-22

    Abstract: 一种MXenes超级电容器电极的辐照改性方法,本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes电极的改性方法或存在电极柔性差的问题,或存在造成MXenes晶体结构破坏并产生氧化的问题,且现有Mxenes的改性方法不适于大规模生产。方法:一、MXenes电极的制备及预处理;二、利用质子束进行辐照改性。本发明用于MXenes超级电容器电极的辐照改性。

    基于MiniVPX构架的ARINC429总线通信组件及装置

    公开(公告)号:CN115550098A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211126307.7

    申请日:2022-09-16

    Abstract: 基于MiniVPX构架的ARINC429总线通信组件及装置,涉及航空总线信号通信技术。针对现有技术中存在的先前设计的ARINC429通信板卡,因为电路芯片集成度低,需要实现通信功能的硬件电路使用元器件多、规模大、复杂程度高以及目前已经推出的ARINC429通信板卡数据处理功能固定的问题,本发明提供的技术方案为:基于MiniVPX构架的ARINC429总线通信组件,组件包括:FPGA模块、ARINC429协议芯片、驱动芯片和供电电路模块;FPGA模块连接ARINC429协议芯片,用于为协议芯片提供参数初始化配置;ARINC429协议芯片连接FPGA模块,用于通过驱动芯片实现数据发送功能,以及用于数据接收;供电电路模块用于为FPGA模块、协议芯片和驱动芯片供电。适合应用于基于MiniVPX构架的ARINC429总线通信板卡的研究领域以及总线通信的应用中。

    一种面向FLASH阵列的器件仿真方法
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117371368A

    公开(公告)日:2024-01-09

    申请号:CN202311393066.7

    申请日:2023-10-25

    Abstract: 本发明的一种面向FLASH阵列的器件仿真方法,涉及一种半导体器件仿真方法。目的是为了克服FLASH存储器阵列中FLASH存储单元仿真难以准确评估不同位置FLASH存储单元的电性能的问题,具体步骤如下:一、在FLASH阵列的漏端和源端分别施加电压Vd施加电压Vs,计算得到该FLASH阵列中待仿真的FLASH存储单元的漏端电压和源端电压;二、向待仿真的FLASH存储单元的漏端和源端分别施加漏端电压和源端电压,计算待仿真的FLASH存储单元的电性能。

    一种基于聚沉自组装的MXene薄膜的制备方法、产品及应用

    公开(公告)号:CN117116671A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311103130.3

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本发明涉及储能技术领域,特别是涉及一种基于聚沉自组装的MXene薄膜的制备方法、产品及应用。本发明基于聚沉自组装的MXene薄膜的制备方法,包括以下步骤:将MXene的前驱体加入到刻蚀剂中进行刻蚀,之后离心、清洗,得到Ti3C2TX沉淀;用去离子水稀释所述Ti3C2TX沉淀后超声得到少层Ti3C2TX纳米片悬浊液;向所述少层Ti3C2TX纳米片悬浊液中加入一价阳离子溶液,搅拌,得到絮状沉淀;将所述絮状沉淀进行抽滤、冻干得到所述基于聚沉自组装的MXene薄膜。本发明方法通过聚沉自组装的方式在MXene中引入孔洞,并使之形成三维大孔的结构,这种方法不仅可以阻碍纳米片的重堆积,还可以极大地提高活性表面积。

    基于MiniVPX构架的ARINC429总线通信组件及装置

    公开(公告)号:CN115550098B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202211126307.7

    申请日:2022-09-16

    Abstract: 基于MiniVPX构架的ARINC429总线通信组件及装置,涉及航空总线信号通信技术。针对现有技术中存在的先前设计的ARINC429通信板卡,因为电路芯片集成度低,需要实现通信功能的硬件电路使用元器件多、规模大、复杂程度高以及目前已经推出的ARINC429通信板卡数据处理功能固定的问题,本发明提供的技术方案为:基于MiniVPX构架的ARINC429总线通信组件,组件包括:FPGA模块、ARINC429协议芯片、驱动芯片和供电电路模块;FPGA模块连接ARINC429协议芯片,用于为协议芯片提供参数初始化配置;ARINC429协议芯片连接FPGA模块,用于通过驱动芯片实现数据发送功能,以及用于数据接收;供电电路模块用于为FPGA模块、协议芯片和驱动芯片供电。适合应用于基于MiniVPX构架的ARINC429总线通信板卡的研究领域以及总线通信的应用中。

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