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公开(公告)号：CN115831627B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202211467957.8
申请日：2022-11-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种MXenes超级电容器电极的辐照改性方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes电极的改性方法或存在电极柔性差的问题，或存在造成MXenes晶体结构破坏并产生氧化的问题，且现有Mxenes的改性方法不适于大规模生产。方法：一、MXenes电极的制备及预处理；二、利用质子束进行辐照改性。本发明用于MXenes超级电容器电极的辐照改性。
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公开(公告)号：CN115831627A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211467957.8
申请日：2022-11-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种MXenes超级电容器电极的辐照改性方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes电极的改性方法或存在电极柔性差的问题，或存在造成MXenes晶体结构破坏并产生氧化的问题，且现有Mxenes的改性方法不适于大规模生产。方法：一、MXenes电极的制备及预处理；二、利用质子束进行辐照改性。本发明用于MXenes超级电容器电极的辐照改性。
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公开(公告)号：CN115650233B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202211350266.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/921
Abstract: 一种基于气液界面作用的超薄MXenes膜的制备方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes薄膜的制备方法，或存在无法制备纳米级别薄膜，或存在无法获得纯净的纳米级别薄膜的问题。方法：一、MXenes湿膜的制备；二、超薄MXenes膜的制备。本发明用于基于气液界面的超薄MXenes膜的制备。
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公开(公告)号：CN115650233A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211350266.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/921
Abstract: 一种基于气液界面作用的超薄MXenes膜的制备方法，本发明属于纳米材料技术领域。本发明要解决现有MXenes薄膜的制备方法，或存在无法制备纳米级别薄膜，或存在无法获得纯净的纳米级别薄膜的问题。方法：一、MXenes湿膜的制备；二、超薄MXenes膜的制备。本发明用于基于气液界面的超薄MXenes膜的制备。
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