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公开(公告)号：CN105568382B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201511026629.4
申请日：2015-12-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种致色均匀的蓝色宝石晶体，该蓝色宝石晶体由氧化铝、致色组分和调色组分组成，所述的致色组分用以提供致色离子Fe2+和Ti4+，所述的调色组分用以提供调色离子Si4+、Be2+或Ga3+中的一种；上述蓝色宝石晶体通过将氧化铝、致色组分和调色组分混合研磨，冷干压成型，烧结，获得多晶陶瓷原料，将多晶陶瓷原料采用熔体法进行晶体生长，即可得到目的产物蓝色宝石晶体。与现有技术相比，本发明具有蓝色宝石晶体蓝色均匀纯正，鲜艳，工艺流程大大简化等优点。
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公开(公告)号：CN107177885A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710311112.2
申请日：2017-05-05
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓单晶闪烁体的制备方法，其为中高压导模法，具体包括以下步骤：(1)取β‑Ga2O3粉末等静压压制成型，烧结，再放入导模炉铂铑合金坩埚内，同时，取β‑Ga2O3籽晶放入籽晶夹具内；(2)导模炉内抽真空后，通入高纯空气至7～12bar，缓慢感应加热铂铑合金发热装置至原料完全熔化，恒温；(3)继续升温，下降籽晶并进行烤籽晶，然后将籽晶充分接触模具刃口处熔体，依次开始高温引晶、缩颈、放肩生长、等径生长；(4)晶体生长结束后，脱模，冷却，即得到目的产物氧化镓单晶闪烁体。与现有技术相比，本发明消除了氧化镓晶体中的多晶、挛晶、开裂、氧空位缺陷，有效抑制了慢衰减成分的发光，能够获得高光输出、快衰减氧化镓单晶闪烁体等。
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公开(公告)号：CN105671635A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610074181.1
申请日：2016-02-02
Applicant: 同济大学
IPC: C30B29/20
CPC classification number: C30B29/20
Abstract: 本发明涉及一种可吸收蓝光的蓝宝石晶体及其应用，所述的蓝宝石晶体的化学组分包括氧化铝，以及掺杂的过渡金属离子，所述的过渡金属离子选自Cr3+、Ni2+或V3+中的一种或几种；上述蓝宝石晶体采用与常规蓝宝石晶体相似的制备工艺即可得到；制得的蓝宝石晶体可用于制备智能手表或手机等的屏幕。与现有技术相比，本发明的蓝宝石晶体可有效的吸收蓝光，制备工艺简单，制得的蓝宝石晶体用于制备智能手表或手机等屏幕时，可以实现蓝宝石晶体屏幕对蓝光的吸收，达到保护人眼的目的。
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公开(公告)号：CN119287514A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411339087.5
申请日：2024-09-25
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种铝‑稀土离子共掺氧化镓晶体及其两种制备方法，铝‑稀土离子共掺氧化镓晶体的化学式为β‑(Ga1‑x‑yAlxREy)2O3。其制备方法包括：1)将镓源、铝源、稀土元素源混合，依次经过预烧结、等静压处理、二次烧结，得到铝‑稀土离子共掺的氧化镓多晶陶瓷料棒；2)将所述铝‑稀土离子共掺的氧化镓多晶陶瓷料棒装至光学浮区法单晶炉中在保护气氛下晶体生长，高温退火后得到铝‑稀土离子共掺的氧化镓晶体。与现有技术相比，本发明制备方法与稀土离子共掺Al3+至氧化镓晶体，可有效补偿由于掺杂稀土离子半径较大所导致的晶格畸变效应，提高稀土离子有效掺杂浓度，进而增强稀土荧光效应，共掺Al3+解决了无法在氧化镓晶体中有效掺杂稀土离子，生长大尺寸晶体的问题。
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公开(公告)号：CN118600526A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410797973.6
申请日：2024-06-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种生长高熔点氧化物晶体热场结构及导模法生长方法。该热场结构包括：内部形成有空腔的保温部；设置在所述保温部内并利用感应发热的发热部；以及安装在所述发热部内部并容纳晶体的容纳部，所述容纳部不与所述保温部空腔底部接触。与现有技术相比，本发明可生长高质量激光级的高熔点氧化物晶体，大大降低了长晶的成本，在超快超短激光应用上具有巨大的前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116254602A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202211090107.0
申请日：2022-09-07
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种镨离子掺杂的蓝光及1.1‑1.6微米宽带近红外激光晶体材料及制备与应用，激光晶体包括基质材料与掺杂离子，掺杂离子具体为镱离子和镨离子，其中镱离子的掺杂浓度为1‑8mol％，镨离子的掺杂浓度为0.1‑1mol％；该激光晶体可通过温度梯度法制备得到。与现有技术相比，本发明通过三价镱离子共掺来有效敏化三价镨离子，解决Pr3+离子蓝光激光输出功率和斜效率低，存在严重的自吸收问题及1D2能级无高效可用的泵浦源和1G4能级弱吸收问题，无法实现激光输出的关键科学问题，进而使Pr3+离子获得高效率的可见蓝光及近红外激光晶体的激光输出。实验表明，本发明中的激光晶体可以实现蓝光及1.1‑1.6微米的激光输出，在医疗、科研及光通讯等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN113502530B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202110717877.2
申请日：2021-06-28
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种Yb,Pr共掺氟化铅蓝、绿光及近红外激光晶体及其制备方法与应用，该晶体的化学式为YbxPryPb1‑x‑yF2，其中x的取值范围为0.01‑0.04，y的取值范围为0.001‑0.005，其空间群为Fm‑3m(225)，属于立方晶系，在掺杂浓度范围内，晶胞参数范围为与现有技术相比，本发明晶体材料能实现高效可见波段蓝光、绿光及近红外1.3μm激光输出，在激光生物医学、彩色显示、高密度存储、水下成像、光通讯等领域有着不可替代的作用。
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公开(公告)号：CN113622027B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202110825757.4
申请日：2021-07-21
Applicant: 同济大学
IPC: C30B29/16 , C30B11/04 , C30B13/10 , C30B15/04 , C30B15/34 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/115
Abstract: 本发明涉及一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用，所述高阻氧化镓晶体的分子式为β‑(Ga1‑xAlx)2O3，其中x的取值范围为0.07≤x≤0.3，采用包括光学浮区法、提拉法、导模法或下降法的熔体生长方法制备得到。与现有技术相比，本发明提供的掺铝高阻氧化镓晶体的电阻率≥109Ω·cm，晶体结晶质量高，基于该高阻氧化镓晶体制备的辐射探测器具有制作工艺简单、暗电流小、光暗电流比高、响应速度快、灵敏度高、信噪比高、能量分辨率好等优点。
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公开(公告)号：CN113502539A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110717892.7
申请日：2021-06-28
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种镨钆共掺的混合氟化钙激光晶体及其制备方法与应用，该晶体的化学式为Pr0.006GdxCa1‑xF2.006+x，其中x的取值范围为0.03‑0.28，属于立方晶系，在掺杂浓度范围内，晶胞参数范围为与现有技术相比，本发明晶体材料能实现可见光波段红光高效激光输出，可应用于激光显示、医疗以及倍频获得紫外光等领域。
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公开(公告)号：CN108411359B
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN201810163894.4
申请日：2018-02-27
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种金属管内生长晶体包层的方法，包括以下步骤：将晶体光纤插入金属套管里，套管的芯径大于光纤的直径0.1‑0.8mm，套管下端是直径和晶体光纤直径相同的金属丝；安装到晶体生长提拉炉籽晶杆上，加热提拉炉坩埚内的原料至熔化，下降籽晶杆，使金属套管下端金属丝部分浸入熔体中，金属丝上端露出液面部分长度2‑3mm，熔体即在毛细作用下沿金属套管和晶体光纤及金属丝之间的间隙爬升；继续升高坩埚内熔体的温度，使熔体充满金属套管和晶体光纤的间隙；以5‑10mm/h的拉速将金属套管拉出坩埚内的熔体，降到室温，得到带有晶体包层的晶体光纤。与现有技术相比，本发明使晶体芯和晶体包层无缝连接，获得均匀的折射率分布，从而有能获得高功率的晶体光纤激光器。
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