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公开(公告)号：CN108456926B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201810163892.5
申请日：2018-02-27
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法，包括以下步骤：(1)采用微孔晶体生长方法得到长度40‑160mm的微孔晶体，微孔晶体内径小于等于1mm，或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的微孔晶体；(2)将步骤(1)得到的微孔晶体安装在微下拉炉籽晶杆上；(3)坩埚内装入1‑2g原料；(4)升温熔化坩埚内的原料；(5)籽晶杆上升，使微孔晶体接触坩埚底的小孔，坩埚内的熔体即在重力和毛细作用下进入微孔晶体的孔内；(6)控制后加热器的温度以100‑300℃/h的降温速率降到室温，完成整个长晶过程。与现有技术相比，本发明使晶体芯和晶体包层无缝连接，获得均匀的折射率分布，从而有能获得高功率的晶体光纤激光器。
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公开(公告)号：CN106498488B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610962756.3
申请日：2016-10-28
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及同时生长多种掺杂CaF2晶体的装置及基于该装置的制备方法，装置包括托盘、保温筒、感应线圈、由下而上依次设置在保温筒中的底部保温层、坩埚、生长模具单元、籽晶以及籽晶杆，籽晶固定在籽晶杆底端，并通过籽晶杆可上下移动地设置在生长模具单元的正上方，坩埚中布设有多个相互平行排列的坩埚隔板，坩埚隔板将坩埚的内腔分隔成多个相互独立且互不相通的晶体生长区间，生长模具单元包括多个分别与晶体生长区间一一对应设置的晶体生长模具。与现有技术相比，本发明生长成本低，生长周期短，多种掺杂浓度同时生长，适用其他多种氟化物晶体，惰性气体保护生长，无氧杂质，生长过程可见可控，晶体质量高。
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公开(公告)号：CN108456926A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810163892.5
申请日：2018-02-27
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种晶体包层内生长晶体光纤纤芯的方法，包括以下步骤：(1)采用微孔晶体生长方法得到长度40-160mm的微孔晶体，微孔晶体内径小于等于1mm，或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的微孔晶体；(2)将步骤(1)得到的微孔晶体安装在微下拉炉籽晶杆上；(3)坩埚内装入1-2g原料；(4)升温熔化坩埚内的原料；(5)籽晶杆上升，使微孔晶体接触坩埚底的小孔，坩埚内的熔体即在重力和毛细作用下进入微孔晶体的孔内；(6)控制后加热器的温度以100-300℃/h的降温速率降到室温，完成整个长晶过程。与现有技术相比，本发明使晶体芯和晶体包层无缝连接，获得均匀的折射率分布，从而有能获得高功率的晶体光纤激光器。
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公开(公告)号：CN108441937A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810184308.4
申请日：2018-03-06
Applicant: 同济大学
IPC: C30B11/00
Abstract: 本发明涉及一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，包括感应线圈(1)、保温层(2)、感应发热体(3)、原料(4)、坩埚(5)和坩埚支柱(6)，所述的坩埚(5)内设有搅拌原料(4)的搅拌器(7)。与现有技术相比，本发明在传统坩埚与熔体相对静止的基础上增加了坩埚旋转功能，增加坩埚与国内熔体的相对运动，更加容易排除熔体中的气泡，同时使得原料中的掺杂元素分布更加均匀，有利于生长出高质量晶体。
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公开(公告)号：CN108418085B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201810072452.9
申请日：2018-01-25
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种全晶体光纤及包层制作工艺，包括以下步骤：(1)用微下拉或导模法，或是激光加热基座法得到直径0.1‑3mm的晶体光纤；(2)采用微孔晶体生长方法得到长度大于等于光纤长度的微孔晶体，或者用机械加工的方法在晶体棒中心打孔得到带有微孔的晶体套管，套管的芯径略大于光纤的直径；(3)将步骤1得到的晶体光纤插入步骤2得到的微孔晶体或晶体套管中，在微下拉炉或激光加热炉内熔化部分晶体光纤，将晶体光纤作为原料和籽晶，晶体套管为坩埚，熔化的部分晶体光纤在未熔化的晶体光纤表面结晶，完成整个长晶过程。与现有技术相比，本发明能够获得晶体芯和晶体包层的无缝连接，获得均匀的折射率分布，从而有可能获得高功率的晶体光纤激光器。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN107059114A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710134118.7
申请日：2017-03-08
Applicant: 同济大学
IPC: C30B15/34
CPC classification number: C30B15/34
Abstract: 本发明涉及一种导模法生长晶体光纤的模具及方法，包括模具底座、模具盘、模具钼丝，所述的模具盘设置在模具底座中心，所述的模具盘设有8‑100个开孔，每个开孔内设有一模具钼丝。生长方法包括：S01，组装模具：模具盘平放在模具底座上，模具钼丝装入模具盘的开孔里；S02，装炉；S03，抽真空及充氩气；S04，升温；S05，引晶；S06，晶体生长；S07，降温；与现有技术相比，本发明可以一次性生长出上百根直径1mm以下，长度几米或十几米长的晶体纤维。
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公开(公告)号：CN106498488A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610962756.3
申请日：2016-10-28
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及同时生长多种掺杂CaF2晶体的装置及基于该装置的制备方法，装置包括托盘、保温筒、感应线圈、由下而上依次设置在保温筒中的底部保温层、坩埚、生长模具单元、籽晶以及籽晶杆，籽晶固定在籽晶杆底端，并通过籽晶杆可上下移动地设置在生长模具单元的正上方，坩埚中布设有多个相互平行排列的坩埚隔板，坩埚隔板将坩埚的内腔分隔成多个相互独立且互不相通的晶体生长区间，生长模具单元包括多个分别与晶体生长区间一一对应设置的晶体生长模具。与现有技术相比，本发明生长成本低，生长周期短，多种掺杂浓度同时生长，适用其他多种氟化物晶体，惰性气体保护生长，无氧杂质，生长过程可见可控，晶体质量高。
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公开(公告)号：CN110453283A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910859058.4
申请日：2019-09-11
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种封盖式引晶的导模法生长封口蓝宝石管的模具及方法，包括熔炉、籽晶(1)、坩埚(5)，以及装在坩埚(5)内的原料(6)和模具，所述的模具为组合式钼质长晶模具，包括外筒(3)和内芯(4)，外筒(3)和内芯(4)之间为环形供料缝，其中内芯(4)顶端设有凹槽(41)。方法包括：热场安装、投料、抽真空、充保护气、升温化料、升坩埚供料、引晶、提拉生长、降坩埚停止供料并提拉晶体脱离模具、降温退火等过程。与现有技术相比，本发明能够有效控制整个晶体管上下及壁厚的均匀性，坩埚升高高度控制可通过长晶长度所需原料重量体积和模具高度位置等计算得到，生长过程可见可控，晶体质量高。
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公开(公告)号：CN108411359A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810163894.4
申请日：2018-02-27
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种金属管内生长晶体包层的方法，包括以下步骤：将晶体光纤插入金属套管里，套管的芯径大于光纤的直径0.1-0.8mm，套管下端是直径和晶体光纤直径相同的金属丝；安装到晶体生长提拉炉籽晶杆上，加热提拉炉坩埚内的原料至熔化，下降籽晶杆，使金属套管下端金属丝部分浸入熔体中，金属丝上端露出液面部分长度2-3mm，熔体即在毛细作用下沿金属套管和晶体光纤及金属丝之间的间隙爬升；继续升高坩埚内熔体的温度，使熔体充满金属套管和晶体光纤的间隙；以5-10mm/h的拉速将金属套管拉出坩埚内的熔体，降到室温，得到带有晶体包层的晶体光纤。与现有技术相比，本发明使晶体芯和晶体包层无缝连接，获得均匀的折射率分布，从而有能获得高功率的晶体光纤激光器。
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