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公开(公告)号：CN107541776A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710692399.8
申请日：2017-08-14
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸氧化镓单晶的生长设备及方法，包括氧化锆保温砖(1)、石英筒(2)、水冷铜电极(3)、铱金坩埚(4)、热交换器(6)、红外测温仪(7)，所述的铱金坩埚(4)置于氧化锆保温砖(1)形成的晶体生长炉炉腔内，氧化锆保温砖(1)外侧依次设有石英筒(2)和水冷铜电极(3)，所述的热交换器(6)置于铱金坩埚(4)底部，所述的红外测温仪(7)连接铱金坩埚(4)，铱金坩埚(4)内装有氧化镓溶液(8)和籽晶(5)。与现有技术相比，本发明用热交换法长晶，提高效率，降低生产成本；同时，生长出的晶体质量优异、应力小、位错密度低、晶体完整性和光学均匀性好、可以提高氧化镓材料的利用率、简化加工程序。
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公开(公告)号：CN107177885A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710311112.2
申请日：2017-05-05
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓单晶闪烁体的制备方法，其为中高压导模法，具体包括以下步骤：(1)取β‑Ga2O3粉末等静压压制成型，烧结，再放入导模炉铂铑合金坩埚内，同时，取β‑Ga2O3籽晶放入籽晶夹具内；(2)导模炉内抽真空后，通入高纯空气至7～12bar，缓慢感应加热铂铑合金发热装置至原料完全熔化，恒温；(3)继续升温，下降籽晶并进行烤籽晶，然后将籽晶充分接触模具刃口处熔体，依次开始高温引晶、缩颈、放肩生长、等径生长；(4)晶体生长结束后，脱模，冷却，即得到目的产物氧化镓单晶闪烁体。与现有技术相比，本发明消除了氧化镓晶体中的多晶、挛晶、开裂、氧空位缺陷，有效抑制了慢衰减成分的发光，能够获得高光输出、快衰减氧化镓单晶闪烁体等。
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公开(公告)号：CN107177885B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710311112.2
申请日：2017-05-05
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种氧化镓单晶闪烁体的制备方法，其为中高压导模法，具体包括以下步骤：(1)取β‑Ga2O3粉末等静压压制成型，烧结，再放入导模炉铂铑合金坩埚内，同时，取β‑Ga2O3籽晶放入籽晶夹具内；(2)导模炉内抽真空后，通入高纯空气至7～12bar，缓慢感应加热铂铑合金发热装置至原料完全熔化，恒温；(3)继续升温，下降籽晶并进行烤籽晶，然后将籽晶充分接触模具刃口处熔体，依次开始高温引晶、缩颈、放肩生长、等径生长；(4)晶体生长结束后，脱模，冷却，即得到目的产物氧化镓单晶闪烁体。与现有技术相比，本发明消除了氧化镓晶体中的多晶、挛晶、开裂、氧空位缺陷，有效抑制了慢衰减成分的发光，能够获得高光输出、快衰减氧化镓单晶闪烁体等。
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公开(公告)号：CN115864119A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211339081.9
申请日：2022-10-28
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种掺铥氟钇钙新型复合近中红外波段激光晶体及其制备方法，该晶体的化学式为TmxYyCa1‑x‑yF2，其中0.001≤x≤0.01，0.005≤y≤0.12；制备方法包括：将TmF3、YF3、CaF2混合，于保护气体氛围中，在1500℃下保温12h，再以1‑3℃/h的速率缓慢降温至1000‑1200℃即得到。与现有技术相比，本发明所制备的近中红外波段激光晶体可实现比现有氟化物的更高输出功率，在1.5μm和2.3μm激光输出的激光材料等方面具有较好的应用潜力。
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