公开(公告)号：CN118653212A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202410690178.7

申请日：2024-05-30

Applicant: 同济大学

Inventor： 任永春 ,  徐军 ,  李健达 ,  曹笑 ,  薛艳艳 ,  王庆国

IPC: C30B29/24 ,  C30B1/12 ,  C30B1/00 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明涉及一种钬镨共掺钪酸钇中红外波段激光晶体及其制备和应用，所述晶体的化学式为HoxPryY1‑0.5(x+y)Sc1‑0.5(x+y)O3，x为0.005～0.015，y为0.001。与现有技术相比，本发明晶体材料能实现高效中红外波段激光输出，可应用于医疗、军事、通信探测等领域。

公开(公告)号：CN118600526A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410797973.6

申请日：2024-06-20

Applicant: 同济大学

Inventor： 李健达 ,  徐军 ,  曹笑 ,  任永春 ,  黄燚 ,  张帆 ,  王庆国 ,  唐慧丽 ,  薛艳艳

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/34 ,  C30B29/22 ,  C30B27/02

Abstract: 本发明涉及一种生长高熔点氧化物晶体热场结构及导模法生长方法。该热场结构包括：内部形成有空腔的保温部；设置在所述保温部内并利用感应发热的发热部；以及安装在所述发热部内部并容纳晶体的容纳部，所述容纳部不与所述保温部空腔底部接触。与现有技术相比，本发明可生长高质量激光级的高熔点氧化物晶体，大大降低了长晶的成本，在超快超短激光应用上具有巨大的前景。

公开(公告)号：CN118600525A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410797969.X

申请日：2024-06-20

Applicant: 同济大学

Inventor： 李健达 ,  徐军 ,  任永春 ,  黄燚 ,  曹笑 ,  王庆国 ,  唐慧丽

IPC: C30B15/00 ,  C30B27/02 ,  C30B29/16 ,  C30B15/34

Abstract: 本发明涉及一种生长倍半氧化物晶体热场结构及导模法生长方法。该热场结构包括：内部形成有空腔的保温部；设置在所述保温部内并利用感应发热的发热部，所述发热部不与所述保温部空腔底部接触；安装在所述发热部内部并容纳晶体的容纳部，所述容纳部不与所述保温部空腔底部接触；以及围绕部分所述保温部设置的负载部。与现有技术相比，本发明既避免了氧化锆热场高温下使得发热体和坩埚材质熔化，又保证了生长的晶体透明，晶体内无挥发、气泡等散射缺陷。

公开(公告)号：CN118241311A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410338669.5

申请日：2024-03-25

Applicant: 同济大学

Inventor： 曹笑 ,  徐军 ,  李健达 ,  任永春 ,  王庆国 ,  薛艳艳

IPC: C30B29/24 ,  C30B15/34 ,  C30B27/02 ,  H01S3/16

Abstract: 本发明涉及激光材料技术领域，涉及一种铥钬共掺钪酸钇中红外波段激光晶体及其制备，该晶体的化学式为TmxHoyY1‑0.5(x+y)Sc1‑0.5(x+y)O3，其中，x的取值范围0.01‑0.2；y的取值范围为0.001‑0.05。与现有技术相比，本发明制备的材料能够实现高效2微米附近中红外波段激光输出，在科学界、工业界和军事界具有广泛的应用前景。