公开(公告)号：CN111243942A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010060273.0

申请日：2020-01-19

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  栾凯然 ,  陈曦 ,  张文博 ,  刘秀环 ,  赵纪红 ,  侯丽新 ,  高延军

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285

Abstract: 一种利用过渡金属或合金作为缓冲层提高六方氮化硼结晶质量的方法，属于半导体材料外延生长技术领域。本发明是在生长六方氮化硼外延薄膜前，以磁控溅射、电子束蒸发、脉冲激光沉积或热蒸发薄膜制备技术预先在硅、蓝宝石或其他晶格失配较大衬底上沉积过渡金属或合金作为缓冲层，再将带有缓冲层的衬底上采用化学气相沉积、磁控溅射或脉冲激光沉积技术外延生长六方氮化硼薄膜；缓冲层在外延生长六方氮化硼薄膜前做退火处理以进一步提高缓冲层的质量，从而达到进一步提高hBN薄膜结晶质量的目的。缓冲层材料为Cu、Cr、Mo、Ni、W、Mn、Co等过渡金属或其组合形成的过渡金属合金材料。

公开(公告)号：CN111106202A

公开(公告)日：2020-05-05

申请号：CN202010030275.5

申请日：2020-01-13

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  李方野 ,  赵纪红 ,  刘秀环 ,  王帅 ,  陈曦 ,  侯丽新 ,  高延军

IPC: H01L31/108 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18 ,  C23C14/06 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58

Abstract: 一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构的衬底上生长Mg3N2薄膜，最后在Mg3N2薄膜上原位溅射生长一层BN或AlN薄膜作为Mg3N2保护层，从而得到基于Mg3N2薄膜的光电探测器件。本发明拓展了Mg3N2在光电功能材料与器件领域中的应用。BN或AlN薄膜不仅有效抑制了Mg3N2薄膜的水解，提高了Mg3N2薄膜的稳定性，而且在红外、可见光和大部分紫外波段都是透明的，是Mg3N2光电器件理想的光学窗口。