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公开(公告)号：CN102064250A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010554940.7
申请日：2010-11-23
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种GaN基发光管及其制备方法。器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3、p型GaN上限制层4、p型InxGa1-xN盖层5、上电极6，下电极7构成，特征在于：上电极6制备成兼有反射镜功能，在盖层5和上电极6之间生长一层p型InyGa1-yN位相匹配层8，衬底1是n型SiC单晶衬底，在衬底1下面制备一层ZnO薄膜9或再制备一层ZnO纳米线11，电极7只是覆盖5％～20％面积制备在衬底1下面。本发明利用SiC衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率SiC衬底垂直结构发光管及其制备方法。
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公开(公告)号：CN101237016A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810050429.6
申请日：2008-03-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件领域，特别是涉及一种具有掺杂夹层结构的ZnO基发光器件。由衬底、ZnO基材料缓冲层、ZnO基材料下限制层、ZnO基材料有源层、ZnO基材料上限制层、ZnO基材料盖层、掺杂夹层构成；掺杂夹层位于衬底和ZnO基材料缓冲层之间，或位于ZnO基材料盖层上面，掺杂夹层材料为GaAs、InP或Zn3As2，其厚度为5～150纳米，采用溅射法、PLD法、MBE法或蒸发法，在400～1000摄氏度退火1～5小时制备得到。掺杂夹层还可以为双条形、数字、字母、汉字、图画或点阵结构。本发明通过引入夹层结构，可以克服ZnO基材料p型掺杂难的问题。
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公开(公告)号：CN1328415C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200510017278.0
申请日：2005-11-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 提升蒸发法生长酞菁类化合物单晶的设备，属于有机材料的单晶生长技术领域。本发明所设计的设备由晶体生长管(1)、生长炉(2)、热电偶(3)、数字控温仪(4)构成，晶体生长管(1)放置在生长炉(2)内由推杆(6)推动的可移动底座(5)上，推杆(6)连接在微动台(8)上，由计算机(9)和步进电机控制器(10)控制的步进电机(7)带动可上下移动。晶体生长方法是，使用蒽作为溶剂，将密封好的晶体生长管(1)放入加热的生长炉(2)中，蒽熔化，溶解酞菁类化合物粉末，形成饱和溶液；匀速提升晶体生长管(1)，直到蒽溶液蒸发干，进行晶体生长。本发明的效果和益处是单晶生长时间短，成功率高，成本低。
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公开(公告)号：CN1548422A
公开(公告)日：2004-11-24
申请号：CN03110994.2
申请日：2003-02-11
IPC: C07D209/44 , C07D487/22 , C07F1/08 , C07F15/06 , C07F15/04
CPC classification number: G03G5/0629 , C07D487/22 , C09K11/06 , C09K2211/1074 , C09K2211/187 , G03G5/0646 , G03G5/0648 , G03G5/0651 , G03G5/0655 , G03G5/0696
Abstract: 本发明公开一类紫菜嗪环中具有六个异吲哚结构亚单元的超酞菁类化合物、合成方法及用途，具有全新的酞菁类化合物的基本结构，表现出一系列已有的酞菁类化合物所不具备的新的性质。这些性质是：UV－VIS－NIR吸收光谱具有三个强吸收峰，其中最有特征的是1428nm处时附近出现的近红外吸收；表面光伏特性；光致发光特性；电致发光特性；超高的热稳定性；良好的导电性等。这类分子所具有的一系列独特的性质，使得该类化合物在众多重要领域中具有重要的作用。这项工作将酞菁类化合物分子中紫菜嗪环的基本结构从三种增加到四种，为酞菁类化合物家族增添了一个新族。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115621390A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211245706.5
申请日：2022-10-12
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种p‑NiO为盖层的AlGaN紫外光发光管和激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、AlyGa1‑yN外延下限制层、AlxGa1‑xN材料多量子阱有源发光层、AlzGa1‑zN电子限制层、盖层、上电极和下电极构成；盖层是p‑NiO，空穴浓度可高达1018～1020/cm3。本发明利用p‑NiO高空穴浓度、低电阻率和低折射率的特点，可以形成器件的良好空穴注入和对光形成良好限制，具有工作电压低、发光效率高，激光器易室温连续激射等优点，可提供一种比仅用AlGaN材料系波长更短的紫外光发光管和激光器。
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公开(公告)号：CN106920849A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201710263443.3
申请日：2017-04-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/267 , H01L23/373 , H01L21/02
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02483 , H01L21/02505 , H01L21/02565 , H01L21/0262 , H01L23/3738 , H01L29/267
Abstract: 本发明公开了一种散热性好的Ga2O3基金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，属于功率半导体器件及其制备技术领域，该器件由衬底、Ga2O3缓冲层、Ga2O3沟道层、Ga2O3源、漏区、Al2O3绝缘层、金属电极等部件构成；其特征在于：器件衬底是Si单晶，在衬底和Ga2O3缓冲层中间还制备有氮化物和氧化物混合多层结构；混合多层结构由GaN系多层结构薄膜、Ga2O3氧化薄层、非故意掺杂Ga2O3下缓冲层、镁掺杂Ga2O3半绝缘层构成。本发明解决了Ga2O3材料的异质外延问题，并克服了目前Ga2O3基MOSFET器件所使用的Ga2O3单晶衬底的散热性差，售价高等缺点；该发明还能够利用Si材料的工艺成熟、售价低、易集成、散热性好的优点，使Ga2O3基MOSFET器件接近实用化。
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公开(公告)号：CN105957934A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610263454.7
申请日：2016-04-26
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/105
Abstract: 一种n‑SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n‑SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑AlGaN基DBR下反射层、n‑Alx1Ga1‑x1N电流扩展层、AlGaN基极化诱导隧道结、p‑Alx2Ga1‑x2N空穴注入层、AlGaN基量子阱有源区、n‑Alx3Ga1‑x3N电子注入层、n‑AlGaN基DBR上反射层和上电极层构成，0.1≤x0、x1、x2、x3≤0.9。采用与AlGaN晶格更匹配的SiC衬底，改善AlGaN质量，提高内量子效率；利用谐振腔结构，增强TE模偏振光，提高器件光提取效率；通过隧道结实现结构倒置，减弱了极化电场的影响，提高量子阱内载流子复合发光效率。本发明进一步拓展了半导体紫外发光器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN103022898B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201310011755.7
申请日：2013-01-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，具体涉及一种硅衬底ZnO基低阈值电泵浦随机激光器件及其制备方法。其芯片由硅衬底、近本征的ZnO发光层、n型的MgZnO电流注入层和半透明的电极层构成；硅衬底背面沉积有欧姆接触电极层。MgZnO薄膜既作为电子注入层，又作为发射光的透明窗口层。其特征在于，在硅衬底和近本征的ZnO发光层之间引入图形化的SiO2电流限制层，该电流限制层可以大大降低激光器的阈值电流，提高器件的光电转换效率。本发明方法可以制备低阈值的电泵浦激光器件，并且可与成熟的硅器件工艺兼容，成本较低，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN102263370B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201110173444.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及其制备方法。其芯片依次由衬底、n-GaN外延层、Ga2O3或n型AlGaN电流下限制层、p-ZnO基材料发光层、p型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层、上电极构成，衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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