公开(公告)号：CN108330458B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201810112003.2

申请日：2018-02-05

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  王鑫 ,  侯丽新 ,  刘秀环 ,  全海燕 ,  王帅 ,  高延军 ,  贾刚

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体材料制备和半导体掺杂技术领域。其是将高纯的hBN靶、高纯Zn靶和清洗后的衬底放入磁控溅射生长室内，采用射频磁控双靶共溅射技术，在hBN薄膜生长过程中原位掺入Zn杂质，生长结束后，在N2气氛下对薄膜进行原位退火，并在N2气保护下冷却至室温，从而在衬底上得到Zn原位掺杂的P型hBN薄膜。本发明方法简单，成本低廉，安全可靠，无毒无害；可以通过调节Zn靶的靶距和溅射功率来控制掺杂浓度；Zn在hBN薄膜中易于占据B原子的格点位，作为替位式杂质具有较低的形成能和较小的杂质激活能，因而能够获得电阻率较低的Zn掺杂P型hBN薄膜，且性能稳定。

公开(公告)号：CN109666913A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201910139644.1

申请日：2019-02-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈占国 ,  王帅 ,  陈曦 ,  赵纪红 ,  刘秀环 ,  侯丽新 ,  李方野 ,  高延军

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 一种氮化镁(Mg3N2)薄膜及其制备方法，属于无机非金属材料领域。其是将高纯Mg靶和清洗后的衬底(硅、蓝宝石、石英、以六方氮化硼为缓冲层的硅、以六方氮化硼为缓冲层的蓝宝石等)放入射频磁控溅射生长室内，采用反应射频磁控溅射技术，利用高纯N2在强电场下电离形成等离子体与溅射出来的Mg反应，生成Mg3N2沉积在衬底上形成薄膜。本发明方法简单，成本低廉，安全可靠，无毒无害；同时可以通过调节Mg靶的靶距、溅射功率、溅射时间以及衬底温度等参数来控制薄膜的生长速率和薄膜厚度，可获得大面积、高质量的Mg3N2薄膜，实现薄膜的可控性以及重复性生长。