公开(公告)号：CN103915345A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310100068.2

申请日：2013-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈继元 ,  蔡腾群 ,  林国楹 ,  潘婉君 ,  张翔笔 ,  朱熙甯 ,  陈彦友 ,  栾洪发 ,  江国诚

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。在一些实施例中，一种制造半导体器件的方法包括部分地制造鳍式场效应晶体管(FinFET)，该FinFET包括具有第一半导电材料和设置在第一半导电材料上方的第二半导电材料的半导体鳍。去除半导体鳍的第二半导电材料的顶部，并且暴露第一半导电材料的顶部。从第二半导电材料的下方去除第一半导电材料的顶部。氧化第一半导电材料和第二半导电材料，在第一半导电材料上形成具有第一厚度的第一氧化物和在第二半导电材料上形成具有第二厚度的第二氧化物，第一厚度大于第二厚度。从第二半导电材料去除第二氧化物，以及完成FinFET的制造。

公开(公告)号：CN222852559U

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202421501220.8

申请日：2024-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赵翊翔 ,  徐鹏皓 ,  王毓萱 ,  陈继元 ,  廖祐祥 ,  黄俊贤 ,  许宏彰 ,  林威戎 ,  张志维 ,  蔡明兴

IPC: H10D30/62 ,  H10D30/01 ,  H10D62/13

Abstract: 一半导体结构包含一源/漏极特征于半导体层。半导体结构包含介电层于该源/漏极特征上方。半导体结构包含硅化物层于源/漏极特征上方。半导体结构包含阻障层于硅化物层上方。半导体结构包含晶种层于阻障层上方。半导体结构包含金属层介于晶种层的侧墙和介电层的侧墙之间、各硅化物层的侧墙、阻障层和金属层直接接触介电层的侧墙。半导体结构包含源/漏极接触于晶种层上方。