公开(公告)号：CN113782669B

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202110111784.5

申请日：2021-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宏礼 ,  郑兆钦 ,  邱荣标 ,  陈自强 ,  陈佑昇

IPC: H10B63/00 ,  H10B63/10

Abstract: 在一些实施例中，本申请的实施例公开了一种存储器件。该存储器件包括设置在衬底上方的底部电极和设置在底部电极上方的顶部电极。底部电极的上表面背向衬底。顶部电极的底表面面向衬底。数据存储层设置在底部电极和顶部电极之间。顶部电极的底表面的至少部分沿平行于顶部电极的底表面的第一方向不与底部电极的顶表面的任何部分重叠。此外，底部电极的顶表面的至少部分沿第一方向不与顶部电极的底表面的任何部分重叠。本申请的实施例还提供了一种制造存储器件的方法。

公开(公告)号：CN115497978A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210048496.4

申请日：2022-01-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林毓超 ,  涂元添 ,  邱荣标

IPC: H01L27/24

Abstract: 一种存储单元包括底部电极、存储元件、选择器、顶部电极及连接结构。存储元件设置在底部电极上。选择器设置在存储元件上。顶部电极设置在选择器上。连接结构将存储元件电连接到选择器，其中连接结构包括基底部分及柱部分。基底部分设置在存储元件上。柱部分设置在基底部分上，其中柱部分实体连接到选择器且包括斜角柱脚。

公开(公告)号：CN113782669A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110111784.5

申请日：2021-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江宏礼 ,  郑兆钦 ,  邱荣标 ,  陈自强 ,  陈佑昇

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 在一些实施例中，本申请的实施例公开了一种存储器件。该存储器件包括设置在衬底上方的底部电极和设置在底部电极上方的顶部电极。底部电极的上表面背向衬底。顶部电极的底表面面向衬底。数据存储层设置在底部电极和顶部电极之间。顶部电极的底表面的至少部分沿平行于顶部电极的底表面的第一方向不与底部电极的顶表面的任何部分重叠。此外，底部电极的顶表面的至少部分沿第一方向不与顶部电极的底表面的任何部分重叠。本申请的实施例还提供了一种制造存储器件的方法。

公开(公告)号：CN106158856A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510187697.2

申请日：2015-04-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭成毅 ,  杨玉麟 ,  何嘉政 ,  邱荣标 ,  李宗霖 ,  叶致锴 ,  张智胜 ,  杨育佳

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/823814 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0922 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/0928 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/161 ,  H01L29/20 ,  H01L29/7848

Abstract: 一种半导体器件，包括：具有第一区和第二区的衬底；位于第一区中的n型晶体管，n型晶体管包括第一组源极/漏极部件；以及位于第二区中的p型晶体管，p型晶体管包括第二组源极/漏极部件。第二组源极/漏极部件比第一组源极/漏极部件延伸得更深。本发明涉及非对称源极/漏极深度。