公开(公告)号：CN100445870C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200410057194.5

申请日：2004-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林本坚 ,  杨平 ,  谢弘璋 ,  辜耀进 ,  林进祥 ,  游秋山

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/72 ,  G03F1/76 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70383 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7046 ,  G03F9/7049

Abstract: 揭露一种方法与系统，用以处理在一掩模或倍缩掩模基底上一个或多个倾斜的特征。在将所述掩模或倍缩掩模基底与一预定的参考系统对准之后，决定在所述掩模或倍缩掩模基底上要被处理的一个特征的一个偏移角，所述偏移角是对于所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向而言。所述掩模或倍缩掩模基底在一预定的方向上被旋转所述偏移角度；而且使用所述预定的参考系统处理在所述掩模或倍缩掩模基底上的所述特征，其中所述特征是在所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向上被处理。

公开(公告)号：CN111403277A

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN202010259126.6

申请日：2013-11-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢铭峰 ,  刘如淦 ,  谢弘璋 ,  高蔡胜 ,  辜耀进

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/66 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明提供了用于集成电路(IC)的方法的一个实施例。该方法包括通过第一光刻工艺在衬底上形成心轴图案；在心轴图案的侧壁上形成第一间隔件图案；去除心轴图案；在第一间隔件图案的侧壁上形成第二间隔件图案；去除第一间隔件图案；以及将第二间隔件图案用作蚀刻掩模来蚀刻衬底。本发明还公开了集成电路布局以及具有双重图案结构的方法。

公开(公告)号：CN101887469A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN200910253458.7

申请日：2009-12-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘潮权 ,  鲁立忠 ,  辜耀进

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5072 ,  G06F17/5031 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5077 ,  G06F2217/84

Abstract: 本发明提供设计集成电路(IC)的方法及使用该方法的计算机系统，包括：进行IC设计的布局(placing)，其中IC设计包括第一元件、第二元件，以及路径耦接第一和第二元件；进行IC设计的布线(routing)；取得关于一路径的电阻数据和电容值数据的至少一个；取得关于路径的时序数据；使用电阻数据、电容值数据与时序数据的至少一个，用以决定路径的关键尺寸变化；以及修正IC设计，其中修正的步骤包括进行路径的关键尺寸变化。本发明能够降低20％的功率需求，并且增加5-10％的执行效能。另一潜在优点是提供一种额外的因素予IC设计者，使IC设计者通过该因素调整IC以符合设定时序需求和/或保持时序需求。

公开(公告)号：CN101510048A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200810133212.1

申请日：2008-07-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄义雄 ,  吕启纶 ,  李宏仁 ,  秦圣基 ,  辜耀进

IPC: G03F1/00

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/36 ,  G03F1/80 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67236

Abstract: 本发明是有关于一种蚀刻基材的方法及系统，首先，提供多个制程室，其中所述制程室的至少一者是适用于容置至少一电浆过滤平板，且所述制程室的至少一者中具有一电浆过滤平板库。接着，自此电浆过滤平板库选出一电浆过滤平板。然后，将此电浆过滤平板嵌入所述制程室的一者，所述制程室的此者是适用于容置至少一电浆过滤平板。随后，于此基材中进行一蚀刻制程。本发明所提供的蚀刻基材的方法及系统，能够改善掩模的关键尺寸均匀度，非常适于实用。

公开(公告)号：CN1648775A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN200410057194.5

申请日：2004-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林本坚 ,  杨平 ,  谢弘璋 ,  辜耀进 ,  林进祥 ,  游秋山

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70425 ,  G03F1/72 ,  G03F1/76 ,  G03F1/84 ,  G03F7/70383 ,  G03F9/7003 ,  G03F9/7011 ,  G03F9/7046 ,  G03F9/7049

Abstract: 揭露一种方法与系统，用以处理在一掩模或倍缩掩模基底上一个或多个倾斜的特征。在将所述掩模或倍缩掩模基底与一预定的参考系统对准之后，决定在所述掩模或倍缩掩模基底上要被处理的一个特征的一个偏移角，所述偏移角是对于所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向而言。所述掩模或倍缩掩模基底在一预定的方向上被旋转所述偏移角度；而且使用所述预定的参考系统处理在所述掩模或倍缩掩模基底上的所述特征，其中所述特征是在所述预定的参考系统的水平或垂直参考方向上被处理。

公开(公告)号：CN1450409A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN02106272.2

申请日：2002-04-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林本坚 ,  刘如淦 ,  陈世颖 ,  游信胜 ,  林华泰 ,  严涛南 ,  辜耀进

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种消除微影制程中线末端变短效应的方法，其步骤为：(1)曝光此感光层于第一罩幕下，其中将感光层所欲形成的图案上的每一条线或开口的末端往外延伸一第一延长部分所形成的图案，即为第一罩幕的图案；(2)曝光此感光层于第二罩幕下，其中第二罩幕的图案包含至少一开口，且当第一、第二罩幕重叠时，第一罩幕上的任一个第一延长部分以及此第一延长部分往外延伸的一第二延长部分刚好与第二罩幕的图案上的一个开口重叠，而第二罩幕的图案上的所有开口刚好只将第一罩幕上的所有第一延长部分以及第二延长部分覆盖住。所述第一延长部分以及第二延长部分的长度大于或等于感光层上的欲形成图案上的线或开口的末端因为光学近接效应所缩短的量。