公开(公告)号：CN110837206A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910758158.8

申请日：2019-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许峻嘉 ,  郑博中 ,  陈立锐 ,  简上傑 ,  苏彦硕 ,  谢劼 ,  杨基

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00

Abstract: 一种产生极紫外(EXTREME ULTRAVIOLET；EUV)辐射的装置，其包含液滴产生器、激发激光源、能量检测器以及回授控制器。液滴产生器是配置以产生目标液滴。激发激光源是配置以产生预脉冲和主脉冲，以通过加热来将目标液滴转换为电浆。能量检测器是配置以量测当目标液滴被转换为电浆时所产生的极紫外能量的偏差。回授控制器是配置以基于极紫外能量的偏差来调整透过激发激光源所产生的后续预脉冲和主脉冲间的时间延迟，极紫外能量的偏差是透过给定主脉冲来产生。

公开(公告)号：CN106057784A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201510769800.4

申请日：2015-11-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郭俊聪 ,  卢玠甫 ,  苏彦硕

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01F17/0033 ,  H01F41/046 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/645 ,  H01L27/0288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/1206 ,  H01L2924/19042

Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，方法包括在位于衬底上方的第一介电层中形成下线圈片段，在下线圈片段和第一介电层上方形成第二介电层，各向异性蚀刻第二介电层的顶部以在下线圈片段上方形成开口，在开口中沉积磁性材料以形成磁芯，在磁芯和第二介电层上方形成第三介电层，形成延伸穿过第二介电层和第三介电层的通孔，以及在形成通孔之后，在第三介电层和磁芯上方形成上线圈片段，其中，通孔将上线圈片段和下线圈片段连接。本发明实施例涉及集成磁芯感应器及其制造方法。