公开(公告)号：CN1187820C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN02103494.X

申请日：2002-02-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡肇杰 ,  王是琦

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/78 ,  H01L21/304

Abstract: 一种晶片结构，包括晶片本体以及防护环。晶片本体上具有多个切割道，藉由上述切割道以形成集成电路区。防护环设置于集成电路区的周围，而上述导电性防护环是以第一导电型构件以及与上述第一导电型构件具有不同阻抗的第二导电型构件彼此电连接而形成。

公开(公告)号：CN1458692A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN02120269.9

申请日：2002-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 史望澄 ,  丁文琪 ,  李自强 ,  林志贤 ,  王是琦

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/04 ,  H01G4/00

Abstract: 一种具有高介电常数与低漏电流特性的金属电容器。位于一基底上的该金属电容器，自基底依序往上至少包括有第一金属层，具有高能隙特性的第一介电层，具有高介电常数的第二介电层，具有高能隙特性的第三介电层，以及第二金属层。