公开(公告)号：CN1198314C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN02105020.1

申请日：2002-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 史望澄 ,  丁文琪

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明涉及一种具有高载子迁移率芯片的制造方法，首先在绝缘层覆硅芯片的第一硅层上磊晶第一硅锗层，此时第一硅锗层的晶格为伸张态，之后使伸张态的第一硅锗层转变成松弛态，继续于松弛态的第一硅锗层上磊晶第二硅锗层，此时第二硅锗层的晶格为松弛态，最后于第二硅锗层上磊晶第二硅层，此时第二硅层的晶格呈伸张态。本方法简单，且可以降低制造成本及制造时间。

公开(公告)号：CN1438675A

公开(公告)日：2003-08-27

申请号：CN02105020.1

申请日：2002-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 史望澄 ,  丁文琪

IPC: H01L21/00

Abstract: 本发明涉及一种具有高载子迁移率芯片的制造方法，首先在绝缘层覆硅芯片的第一硅层上磊晶第一硅锗层，此时第一硅锗层的晶格为伸张态，之后使伸张态的第一硅锗层转变成松弛态，继续于松弛态的第一硅锗层上磊晶第二硅锗层，此时第二硅锗层的晶格为松弛态，最后于第二硅锗层上磊晶第二硅层，此时第二硅层的晶格呈伸张态。本方法简单，且可以降低制造成本及制造时间。

公开(公告)号：CN1458692A

公开(公告)日：2003-11-26

申请号：CN02120269.9

申请日：2002-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 史望澄 ,  丁文琪 ,  李自强 ,  林志贤 ,  王是琦

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/04 ,  H01G4/00

Abstract: 一种具有高介电常数与低漏电流特性的金属电容器。位于一基底上的该金属电容器，自基底依序往上至少包括有第一金属层，具有高能隙特性的第一介电层，具有高介电常数的第二介电层，具有高能隙特性的第三介电层，以及第二金属层。

公开(公告)号：CN1288756C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN02120269.9

申请日：2002-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 史望澄 ,  丁文琪 ,  李自强 ,  林志贤 ,  王是琦

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/04 ,  H01G4/00

Abstract: 一种具有高介电常数与低漏电流特性的金属电容器。位于一基底上的该金属电容器，自基底依序往上至少包括有第一金属层，具有高能隙特性的第一介电层，具有高介电常数的第二介电层，具有高能隙特性的第三介电层，以及第二金属层。