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公开(公告)号：CN107381496A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710242800.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2207/012 , B81C2201/112 , B81C2201/115 , B81B7/02 , B81B7/0032 , B81B7/0077 , B81C1/00912
Abstract: 本发明提供了一种用于高质量抗粘滞的具有粗糙度的微机电系统（MEMS）封装件。在支撑器件上方布置器件衬底。器件衬底包括具有粗糙的下表面的可移动元件并且可移动元件布置在腔体内。在支撑器件和器件衬底之间布置介电层。介电层横向围绕腔体。抗粘滞层衬里可移动元件的下表面。本发明也提供了一种用于制造微机电系统(MEMS)封装件的方法。
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公开(公告)号：CN107043086A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201611261004.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C3/00 , H01L21/762
CPC classification number: B81C1/00357 , B81C1/00269 , B81C2203/036 , B81C2203/037 , H01L21/02334 , H01L21/02337 , H01L21/2007 , H01L21/3105 , B81C3/001 , B81C2203/01 , H01L21/76251
Abstract: 提供一种用硅烷预处理将一对衬底熔融粘合在一起的方法。用硅烷预处理第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。将第一氧化物层和第二氧化物层分别布置于第一半导体衬底和第二半导体衬底上。将水施用到第一氧化物层的表面或第二氧化物层的表面。使第一氧化物层的表面和第二氧化物层的表面直接接触。使第一氧化物层和第二氧化物层退火。还提供一种用于使用熔融粘合制造微机电系统(microelectromechanical systems，MEMS)封装的方法。
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公开(公告)号：CN103928699B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310156467.0
申请日：2013-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01M10/04
CPC classification number: H01M10/0436 , H01M4/0421 , H01M4/13 , H01M6/40 , H01M10/02 , H01M10/049 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M2010/0495 , H01M2220/30 , Y10T29/49114
Abstract: 本发明提供了一种集成结构的一个实施例，该集成结构包括由埋置在第一半导体衬底中的第一导电材料形成的第一电极；由埋置在第二半导体衬底中的第二导电材料形成的第二电极；以及设置在第一和第二电极之间的电解质。通过接合焊盘将第一和第二半导体衬底接合在一起，从而使得第一和第二电极被封闭在第一和第二半导体衬底之间。第二导电材料不同于第一导电材料。本发明还提供了一种具有微电池的半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103928699A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310156467.0
申请日：2013-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01M10/04
CPC classification number: H01M10/0436 , H01M4/0421 , H01M4/13 , H01M6/40 , H01M10/02 , H01M10/049 , H01M10/052 , H01M10/0585 , H01M2010/0495 , H01M2220/30 , Y10T29/49114
Abstract: 本发明提供了一种集成结构的一个实施例，该集成结构包括由埋置在第一半导体衬底中的第一导电材料形成的第一电极；由埋置在第二半导体衬底中的第二导电材料形成的第二电极；以及设置在第一和第二电极之间的电解质。通过接合焊盘将第一和第二半导体衬底接合在一起，从而使得第一和第二电极被封闭在第一和第二半导体衬底之间。第二导电材料不同于第一导电材料。本发明还提供了一种具有微电池的半导体结构及其制造方法。
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