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公开(公告)号:CN113629049A
公开(公告)日:2021-11-09
申请号:CN202011634055.X
申请日:2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本文公开了一种静电放电器件。该静电放电器件包括静电放电(ESD)检测器、偏置发生器和ESD驱动器,该ESD驱动器包括彼此串联耦合的至少两个晶体管。ESD检测器被配置为检测输入信号并响应于检测到ESD事件而生成检测信号。偏置发生器被配置为根据检测信号生成偏置信号。至少两个晶体管根据偏置信号和逻辑控制信号来控制,并且将输入信号施加在至少两个晶体管两端。本文还公开了用于操作静电放电器件的方法。
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公开(公告)号:CN112019204B
公开(公告)日:2025-01-03
申请号:CN202010398153.1
申请日:2020-05-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 一种电平移位器,包括输入电路,具有配置为接收处于第一和第二电压电平互的补输入信号的第一和第二输入端子;交叉锁存电路,耦合至输入电路,交叉锁存电路具有配置为提供处于第三和第四电压电平的互补输出信号的第一和第二输出端子,其中,输入电路包括配置为基于输入信号输出处于第一和第四电压电平的第一和第二控制信号的第一和第二控制节点;以及跟踪电路,耦合至输入电路和交叉锁存电路,配置为基于第一和第二控制信号向交叉锁存电路输入第一和第二跟踪信号,其中,第一跟踪信号是第一和第三电压电平中的较大者,并且第二跟踪信号是第二和第三电压电平中的较大者。本发明的实施例还涉及电平移位方法。
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公开(公告)号:CN113131922A
公开(公告)日:2021-07-16
申请号:CN202011577552.0
申请日:2020-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明的实施例涉及一种电压跟踪电路及其操作方法。该电压跟踪电路包括第一、第二、第三和第四晶体管。第一晶体管在第一阱中,并且包括第一栅极、第一漏极和耦合至第一电压源的第一源极。第二晶体管包括第二栅极、第二漏极和第二源极。第二源极耦合至第一漏极。第二栅极耦合至第一栅极和焊盘电压端子。第三晶体管包括第三栅极、第三漏极和第三源极。第四晶体管包括第四栅极、第四漏极和第四源极。第四漏极耦合至第三源极。第四源极耦合至焊盘电压端子。至少第三晶体管在与第一阱不同的第二阱中,并且沿第一方向与第一阱分离。
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公开(公告)号:CN113054988A
公开(公告)日:2021-06-29
申请号:CN202110147665.5
申请日:2021-02-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明的实施例涉及产生多选通通电控制信号的系统以及方法。一种系统(用于产生多选通通电控制信号)包括:多选通输入/输出(I/O)接口,被配置为接收至少第一选通信号和第二选通信号;以及选通通电控制(POC)信号发生器,被配置成为多选通I/O接口生成至少第一选通信号和第二选通信号,第一选通信号的波形不同于第二选通信号的波形。
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公开(公告)号:CN222441667U
公开(公告)日:2025-02-07
申请号:CN202420535735.3
申请日:2024-03-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H03B5/04
Abstract: 本发明提供一种电路以及用于振荡器的电路,所述电路包括电压限制单元、连接至电压限制单元的电压侦测单元、以及连接至电压侦测单元的电源追踪偏压单元。电压限制单元包括第一电压限制单元及第二电压限制单元。电压侦测单元包括被配置成在输入讯号中侦测第一临限电压的存在的第一电压侦测单元以及被配置成在输入讯号中侦测第二临限电压的存在的第二电压侦测单元。电源追踪偏压单元被配置成向电压侦测单元供应控制讯号。
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公开(公告)号:CN222339885U
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202420788363.5
申请日:2024-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D84/82 , H01L23/528
Abstract: 本申请涉及一种集成电路驱动器及集成电路,集成电路驱动器包括与第二类型晶体管的叠接布置串联耦合的第一类型晶体管的叠接布置,第二类型晶体管不同于第一类型晶体管。每一叠接布置包括:有源区域,在第一方向上延伸;栅极结构,垂直于第一方向延伸且在与叠接布置的晶体管对应的位置处上覆于有源区域上;第一金属段至第四金属段,在IC的第一金属层中在第一方向上延伸;第一通孔及第二通孔,将相应的第一栅极结构及第二栅极结构电性耦合至第一金属段及第二金属段;第三通孔,将叠接布置的源极端子电性耦合至第三金属段;以及第四通孔,将叠接布置的漏极端子电性耦合至第四金属段。第三金属段与第四金属段沿着第一方向对齐。
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