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公开(公告)号：CN110660702A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910567654.5
申请日：2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统，阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。
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公开(公告)号：CN102593019A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110229006.2
申请日：2011-08-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/81 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L2224/13111 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75283 , H01L2224/75501 , H01L2224/75502 , H01L2224/81055 , H01L2224/81097 , H01L2224/81098 , H01L2224/8121 , H01L2224/8123 , H01L2224/81805 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2224/13139
Abstract: 在一种回流工艺中，将第一工作件和第二工作件之间的多个焊料凸块加热到熔化状态。在多个焊料凸块的固化阶段期间，在第一冷却率下将多个焊料凸块冷却。在完成固化阶段之后，在第二冷却率下将多个焊料凸块冷却，第二冷却率低于第一冷却率。本发明还公开了一种用于降低封装失效率的焊料接点回流工艺。
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公开(公告)号：CN115642111A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211415076.1
申请日：2019-06-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , G06N3/0464 , G06N3/084
Abstract: 本发明提供一种覆盖管理方法、覆盖管理系统及计算系统，阐述用于使用机器学习来管理半导体制造中的垂直对齐或覆盖的技术。通过所公开的技术来评估及管理扇出型晶片级封装工艺中内连特征的对齐。使用大数据及神经网络系统来使覆盖误差源因子与覆盖计量类别相关。所述覆盖误差源因子包括工具相关覆盖源因子、晶片或管芯相关覆盖源因子、以及处理上下文相关覆盖误差源因子。
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公开(公告)号：CN101527272A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910003748.6
申请日：2009-02-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67253 , H01L21/30604 , H01L21/6708 , H01L22/12 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种控制基材厚度的方法和处理基材的装置。该方法包括：自至少一个散布器散布至少一个蚀刻剂至一旋转基材的一表面上的多个不同的位置以实施蚀刻；监控于所述多个位置上该旋转基材的一厚度，使得当散布该蚀刻剂于各别的位置时，该旋转基材的厚度被监控，以及基于位于所述各别的位置上的该相对监控厚度，控制实施蚀刻的一相对量。
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