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公开(公告)号：CN112531012B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202010104334.9
申请日：2020-02-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置，包括基板和在基板中的多个源极/漏极(S/D)区域，其中多个源极/漏极区域中的每一者包括具有第一掺杂剂类型的第一掺杂剂，并且多个源极/漏极区域中的每一者电性耦合在一起。半导体装置还包括在基板上方的栅极堆叠。半导体装置还包括在基板中的通道区域，其中通道区域在栅极堆叠下方且在多个源极/漏极区域中的相邻的源极/漏极区域之间，通道区域包括具有第一掺杂剂类型的第二掺杂剂，并且在通道区域中第二掺杂剂的浓度小于多个源极/漏极区域每一者中的第一掺杂剂的浓度。
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公开(公告)号：CN113053998B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202011635105.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种用于偏置保护环结构的方法，包括将MOS晶体管的栅极偏置至第一偏置电压电平，将MOS晶体管的第一S/D区域和第二S/D区域偏置至电压域电压电平，将保护环结构的栅极偏置至第二偏置电压电平，以及将保护环结构的第一重掺杂区和第二重掺杂区偏置至电压域电压电平。第一S/D区域和第二S/D区域中的每一个都有第一掺杂类型，第一重掺杂区和第二重掺杂区中的每一个都有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型，以及第一S/D区域和第二S/D区域中的每一个以及第一重掺杂区和第二重掺杂区中的每一个都被定位在具有第二掺杂类型的衬底区域中。本申请的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN114964559A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110711450.1
申请日：2021-06-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01K15/00
Abstract: 提供了一种用于校准热感测装置的方法、设备及校准系统。该方法包括从二极管阵列在第一温度下的第一增量电压提取该二极管阵列的增量电压比温度曲线。加热二极管阵列和包括热感测器的被测装置(device under test,DUT)。在加热二极管阵列之后，从该二极管阵列的增量电压比温度曲线及在加热该二极管阵列之后该二极管阵列的第二增量电压确定第一增量温度。从在加热被测装置后的第一增量温度、DUT在第一温度下的第一增量电压、以及DUT的第二增量电压提取DUT的增量电压比温度曲线。由DUT的增量电压比温度曲线确定热感测器的温度误差。
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公开(公告)号：CN114659676A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210406556.5
申请日：2019-09-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种热传感器，包括：单个第一温度敏感器件，包括单个带隙热感测器件；第一电流源，通过第一开关连接至第一温度敏感器件，第一电流源适于通过第一开关器件使第一值的电流通过带隙热感测器件；第二电流源，通过第二开关连接至第一温度敏感器件，带隙热感测器件适于响应于温度和第一值和第二值中的每个的电流生成温度依赖性信号；信号处理电路，通过第三开关器件可操作地连接到带隙热感测器件，并且在其连接到带隙热感测器件时，处理所接收的温度依赖性信号，以生成处理信号；其中，第一、第二和第三开关器件适于协同致动，以交替地将第一电流源和第二电流源连接到带隙热感测器件。本发明的实施例还涉及温度测量的方法。
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公开(公告)号：CN112531012A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010104334.9
申请日：2020-02-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/265 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置，包括基板和在基板中的多个源极/漏极(S/D)区域，其中多个源极/漏极区域中的每一者包括具有第一掺杂剂类型的第一掺杂剂，并且多个源极/漏极区域中的每一者电性耦合在一起。半导体装置还包括在基板上方的栅极堆叠。半导体装置还包括在基板中的通道区域，其中通道区域在栅极堆叠下方且在多个源极/漏极区域中的相邻的源极/漏极区域之间，通道区域包括具有第一掺杂剂类型的第二掺杂剂，并且在通道区域中第二掺杂剂的浓度小于多个源极/漏极区域每一者中的第一掺杂剂的浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106257427A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610384182.6
申请日：2016-06-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F11/30 , H03K17/687
CPC classification number: G01K7/00 , G01K7/01 , G06F11/3058 , H03K17/687
Abstract: 一种热检测电路。本发明的实施例公开了一种电路，电路包括第一差分输入对和第二差分输入对。第一差分输入对根据第二差分输入对的输出而激活，并且接收第一与温度相关的电压和输出信号。第二差分输入对根据第一差分输入对的输出而激活，并且接收第二与温度相关的电压和输出信号。开关电路根据第一差分输入对的输出来将电容元件连接至第一电源电压，并且根据第二差分输入对的输出来将电容元件连接至第二电源电压，以生成输出信号。本发明还提供了一种操作电路的方法。
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公开(公告)号：CN110858265B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN201910773341.5
申请日：2019-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F30/367 , G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F115/06
Abstract: 一种评估热敏结构的方法。揭露了一种电迁移(EM：electromigration)验证方法，该电迁移验证方法分析集成电路设计布局以识别热敏结构、自我加热效应、发热结构和散热结构。该EM验证方法包括通过以下方式来对热敏结构的评估温度进行调节：计算温度敏感结构内的自我加热效应，以及作为与位于限定的热耦合范围内的周围发热结构和/或散热元件的热耦合的函数的额外加热和/或冷却。评估集成电路设计的热敏结构的方法亦在此揭露。
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公开(公告)号：CN113658947B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110845945.3
申请日：2021-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06
Abstract: 本发明的实施例公开了一种解耦电容系统及方法。一种解耦电容系统，包括：解耦电容电耦接在第一或第二参考电压轨与第一节点之间；偏压电路耦接于第一节点与对应的第二参考电压轨或第一参考电压轨之间。由于解耦电容电路和偏置电路之间的串联连接，偏置电路两端的电压降有效地降低了解耦电容电路两端的电压降，从而使解耦电容电路两端的电压降小于解耦电容系统两端的电压降。
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公开(公告)号：CN115513204A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210134654.8
申请日：2022-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/08 , H01L27/118
Abstract: 一种集成电路及制作集成电路的方法，集成电路包括第一与第二金属‑绝缘体‑半导体电容器及金属‑绝缘体‑金属电容器。第一与第二金属‑绝缘体‑半导体电容器各自的第一端分别接收较高电压域的第一参考电压及较高电压域的第二参考电压。第一金属‑绝缘体‑半导体电容器的第二端与金属‑绝缘体‑金属电容器的第一端导电连接，第二金属‑绝缘体‑半导体电容器的第二端与金属‑绝缘体‑金属电容器的第二端导电连接。金属‑绝缘体‑金属电容器的第一端接收较低电压域的第一电源电压，第二金属‑绝缘体‑半导体电容器的第一端接收较低电压域的第二电源电压。
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公开(公告)号：CN115473416A
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN202210731046.5
申请日：2022-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置及监测半导体装置的温度的方法，半导体装置包括：温度无关电流产生器，产生实质上与温度无关的参考电流及为参考电流实质上的复制品的镜像电流；脉冲信号产生器，对镜像电流进行采样以产生脉冲信号；及计数器，获取由脉冲信号产生器产生的脉冲信号的数量，当判定由此获得的脉冲信号的数量小于预定临限值时，允许脉冲信号产生器产生脉冲信号，且当判定由此获得的脉冲信号的数量等于预定临限值时，禁止脉冲信号产生器产生脉冲信号。
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