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公开(公告)号：CN101723649A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910112897.6
申请日：2009-11-24
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B35/00 , C04B35/057 , C04B35/64 , C04B35/626
Abstract: 一种骨质瓷及其制备方法，涉及一种骨质瓷。提供一种性能较好的骨质瓷及其制备方法。骨质瓷的坯体原料为骨粉45％～55％，粘土255％～34％，长石85％～14％，石英85％～12％。将骨粉烘干、煅烧后，随炉冷却，球磨水洗后烘干；将粘土、长石和石英球磨；将球磨后的骨粉、粘土粉、长石粉和石英粉混合，加入分散剂研磨得骨质瓷浆料；将骨质瓷浆料倒入模具，成型后脱模，干燥，得坯体，进行修坯，入炉烧结后得产品。解决由于骨质瓷浆料的粘度过大而导致注浆成型的浆料不稳定，强度低容易开裂等问题；骨质瓷的力学强度和透光性提高；合理的烧结制度使得瓷体的综合性能指标达到一个最佳平衡；避免成本较高的生产问题，具有可观的市场前景。
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公开(公告)号：CN101698576A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910112689.6
申请日：2009-10-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C04B7/153
CPC classification number: C04B28/008 , Y02P40/165 , Y02W30/94 , C04B12/04 , C04B14/106 , C04B18/142 , C04B20/04 , C04B40/0028
Abstract: 钢渣-偏高岭土地聚合胶凝材料的制备方法，涉及一种胶凝材料。提供一种钢渣-偏高岭土地聚合胶凝材料的制备方法。将钢渣送入球磨机中球磨，备用；将高岭土粉料输送入煅烧窑煅烧，煅烧后将高岭土取出，冷却至室温，打散后备用；将所得的钢渣和所得的偏高岭土送入混合机中混合均匀，得钢渣-偏高岭土混合物，按质量比，钢渣∶偏高岭土为1∶(1.5～2.5)；将所得的原料送入搅拌机中，加入水玻璃，搅拌均匀后得钢渣-偏高岭土浆料；将钢渣-偏高岭土浆料浇注，得钢渣-偏高岭土地聚合胶凝材料。
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公开(公告)号：CN101671024B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200910112547.X
申请日：2009-09-15
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺及装置。提供一种低成本，高效，适合产业化推广的采用电磁感应熔炼辅助高温等离子除硼提纯多晶硅的生产工艺以及多晶硅除硼提纯装置。提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、转移弧等离子熔炼系统和浇注用石墨模具。将金属硅放入坩埚中，抽真空，加热熔化金属硅；熔化后提高电源功率，使硅液温度保持在1600～1800℃，启动等离子熔炼系统，将等离子枪降至引弧装置上方，通入工作气体引弧；引弧完成后移开引弧装置，调节给定电流和等离子弧长度，对硅液表面进行等离子熔炼后，给定电流调零，断开等离子弧，升起等离子枪，关闭气源，将硅液倒入模具，静置冷却后取出硅锭。
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公开(公告)号：CN101628719A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910112398.7
申请日：2009-08-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法，涉及一种硅提纯方法。提供一种真空感应熔炼去除硅中磷杂质的方法。将多晶硅放入坩埚中，抽真空，预热后关闭粗抽阀，开启扩散泵阀门抽真空，接通中频感应加热电源，坩埚开始感应生热，对坩埚内的硅原料进行低温预热，当温度上升到600℃时，硅自身感应生热；增加中频加热功率为50～200kW，当温度达到1415℃以上时，硅开始熔化；熔化后，调节中频加热功率，使硅液温度控制在1550～1850℃；待温度稳定后，将真空度控制在1.2×10 -2 ～1.0×10 -1 Pa；开始计时，保温时间为45～120min；在水冷铜盘中通入循环水，然后将熔炼完成的硅液浇注入模具中，快速凝固，即完成。
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公开(公告)号：CN101343063A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810071577.6
申请日：2008-08-13
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 太阳能级多晶硅的提纯装置及提纯方法，涉及一种多晶硅。提供一种成本低、纯度高、工艺简单易行、操作方便和适合于规模化生产的太阳能级多晶硅的提纯装置及提纯方法。设有真空系统、熔炼系统和定向凝固系统；真空系统设有机械旋片泵、萝茨泵和油扩散泵，熔炼系统设有真空室、二次加料器、观察窗、可升降的旋转通气装置、感应线圈和石墨坩埚；定向凝固系统设于真空室的下部，定向凝固系统设有电阻丝加热保温炉、石墨模具、保温炉支架、水冷铜盘、可控速的升降杆。通过感应加热熔化金属硅，在低真空高温条件下通入氧化性气体除硼，然后进行高温高真空除磷，最后将熔融硅液浇注入定向模具中进行严格的定向凝固除金属杂质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101871883B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010109814.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种测定高纯硅中磷含量的方法，涉及一种硅中磷含量的测定。提供一种所用设备简单，成本低廉，操作步骤标准化，检测限低，灵敏度以及精确度较高，适合于低磷含量硅检测，可利用分光光度计低成本快速精确检测低磷硅样的测定高纯硅中磷含量的方法。配制磷标准液；配制酸性显色液、2mol/LH2SO4的硫酸、硫代硫酸钠溶液和PVA溶液；绘制磷标准工作曲线；获得未被污染的硅样；依据样品的磷含量范围称取无污染样品；将样品放入聚四氟乙烯烧杯中溶解蒸发；将溶解蒸发的样液进行显色操作；测试显色液的吸光度并计算磷含量。
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公开(公告)号：CN101871883A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010109814.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种测定高纯硅中磷含量的方法，涉及一种硅中磷含量的测定。提供一种所用设备简单，成本低廉，操作步骤标准化，检测限低，灵敏度以及精确度较高，适合于低磷含量硅检测，可利用分光光度计低成本快速精确检测低磷硅样的测定高纯硅中磷含量的方法。配制磷标准液；配制酸性显色液、2mol/L H2SO4的硫酸、硫代硫酸钠溶液和PVA溶液；绘制磷标准工作曲线；获得未被污染的硅样；依据样品的磷含量范围称取无污染样品；将样品放入聚四氟乙烯烧杯中溶解蒸发；将溶解蒸发的样液进行显色操作；测试显色液的吸光度并计算磷含量。
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公开(公告)号：CN101698481A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910112690.9
申请日：2009-10-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037 , C30B29/06
Abstract: 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法，涉及一种多晶硅的提纯方法。提供一种太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法。提纯装置设有主体保温层、感应加热线圈、石墨加热套筒、石墨固定盘、下层保温层、定向升降装置、循环水进出水口、石墨底盘、坩埚、SiN涂层和热电偶测温装置。将多晶硅和铜料放入坩埚中，接通电源使铜和多晶硅融化形成硅铜合金熔体，测定坩埚内竖直方向上各点温度，调节感应加热功率控制器，使坩埚内的合金熔体保持一个温度梯度，从坩埚中部到底部，温度从高到低；启动定向升降装置，带动坩埚连同石墨底盘下拉产生定向凝固；合金熔体凝固后切断电源，冷却后取出合金硅锭，切除上部，剩余部分即为太阳能级多晶硅。
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公开(公告)号：CN101555015A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910111808.6
申请日：2009-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置，涉及一种多晶硅。提供一种低成本，工艺简单，适合产业化推广的多晶硅的除硼提纯方法及装置。多晶硅除硼提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具。将造渣剂预熔，所得矿渣装入加料仓；金属硅放入石墨坩埚，抽真空，接中频感应线圈电源，加热熔化金属硅后使硅液保持在1500～1800℃，将多孔旋转喷嘴降至硅液表面上方预热，通反应气体；旋转加料仓，加入造渣剂，将多孔旋转喷嘴降至石墨坩埚中，启动旋转叶片；待通气造渣完成后，关闭旋转叶片，升起多孔旋转喷嘴，关闭气源，将硅液倒入石墨模具静置，冷却后取出硅锭，去除杂质富集部分，得多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN101555015B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910111808.6
申请日：2009-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅的除硼提纯方法及装置，涉及一种多晶硅。提供一种低成本，工艺简单，适合产业化推广的多晶硅的除硼提纯方法及装置。多晶硅除硼提纯装置设有真空系统、中频感应熔炼系统、二次加料装置、多孔旋转喷嘴和浇注用石墨模具。将造渣剂预熔，所得矿渣装入加料仓；金属硅放入石墨坩埚，抽真空，接中频感应线圈电源，加热熔化金属硅后使硅液保持在1500～1800℃，将多孔旋转喷嘴降至硅液表面上方预热，通反应气体；旋转加料仓，加入造渣剂，将多孔旋转喷嘴降至石墨坩埚中，启动旋转叶片；待通气造渣完成后，关闭旋转叶片，升起多孔旋转喷嘴，关闭气源，将硅液倒入石墨模具静置，冷却后取出硅锭，去除杂质富集部分，得多晶硅锭。
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