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公开(公告)号：CN115142100B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210732452.3
申请日：2022-06-24
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种用于PCB通孔金属致密填充的酸性硫酸盐电子电镀铜组合添加剂，由桥连剂、运载剂、细化剂和整平剂以10‑100∶50‑1500∶0.1‑20∶0.1‑100的质量比组成。本发明以提供卤素阴离子的无机物为桥连剂，以聚醇或聚醚或聚酯类化合物为运载剂，以含硫化合物为细化剂，以伯/仲/叔胺或季铵盐为整平剂，结合特定的高铜低酸、温度、镀液搅拌、鼓空气、阴极移动和电镀的电流密度条件，实现PCB通孔致密填充。
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公开(公告)号：CN116555848A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310655774.7
申请日：2023-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体电子电镀技术领域，特别涉及一种用于硅通孔铜填充的酸性镀铜液添加剂、酸性镀铜液及硅通孔的铜金属填充方法。所述添加剂由运载剂、光亮剂和整平剂组成；所述运载剂、光亮剂和整平剂以(100～5000):(1～100):(5～200)的质量比组成。本发明提供的酸性镀铜液以水为溶剂，以甲基磺酸铜或五水硫酸铜为主盐，采用恒定阶梯电流密度进行电镀铜填充。本发明在适用条件范围内，能够实现孔径在2～10μm范围内，孔深在16～300μm范围内，深径比大于8:1的硅通孔致密完全填充，填充层无孔洞及缝隙，满足3D封装领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN113846358A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111083262.5
申请日：2021-09-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种复合配位体系的碱性电子电镀铜方法，包括配位剂选择、电镀铜溶液的配制及电镀工艺，其中，强配位剂与弱配位剂以过电位值、络合稳定常数以及金属络合物的LUMO值与基材的HOMO值之差为分类标准；电镀铜溶液包括主盐、不足配位化学计量比的强配位剂、过量弱配位剂、pH缓冲剂和光亮剂。本发明应用于电子电镀孔填充及加厚，为实现孔金属化提供了全新、便捷的途径，所获得的铜填充/加厚镀层致密、平整度高，通孔镀液分散可达到85％以上，满足硅通/盲孔及PCB通孔高深径比孔加厚、完全填充的需求。
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公开(公告)号：CN111364074B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN202010107186.6
申请日：2020-02-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D3/48
Abstract: 本发明公开了一种复合配位低浓度一价金无氰镀金电镀液和制备方法。该电镀液的pH为8.0～11.5，直接以稳定、方便易购的氯金酸为主盐来源，还包括主配位剂、复合配位剂Ⅰ、复合配位剂Ⅱ、缓冲剂、光亮剂和润湿剂。本发明采用复合配位方式对一价金进行辅助配位，不仅提高了一价金无氰镀金电镀液的稳定性和稳定放电点位区间，而且显著降低镀液中的亚硫酸盐浓度，避免镀层中硫的夹杂，获得的金镀层外观光亮金黄、与基底结合力良好，适合于装饰性镀金；且本发明镀液配制过程简单、条件温和，镀液稳定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116180169A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211619036.9
申请日：2022-12-15
Applicant: 厦门大学 , 深圳顺络电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电子电镀添加剂组合物及其在抑制银‑铁氧体界面镍横向电沉积中的应用，该电子电镀添加剂组合物，其特征在于：由作为镍横向沉积抑制剂的含硫化合物、表面活性剂和光亮剂以1‑30：5‑50：4‑15的质量比组成。本发明结合特定的电子电镀条件，可实现完全抑制银‑铁氧体界面镍横向沉积，且镍镀层外观金属光亮，结合力好。
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公开(公告)号：CN113337857A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110477776.2
申请日：2021-04-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种用于PCB通孔金属加厚的酸性硫酸盐电镀铜组合添加剂，由载体阻化剂、细化剂和均镀剂以100‑800∶0.5‑10∶1.5‑20的质量比组成，且载体阻化剂在酸性硫酸盐电镀铜镀液中的浓度为100‑800mg/L，该酸性硫酸盐电镀铜镀液以水为溶剂，含有60‑90g/L五水硫酸铜、160‑240g/L浓硫酸和0.04‑0.08g/L氯离子。本发明在使用条件范围内，能够有效降低镀液表面张力，细化铜层颗粒，实现PCB厚径比高的通孔(12∶1)均匀电镀加厚，分散能力值高。
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公开(公告)号：CN118173436A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410276314.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C16/40
Abstract: 本发明提供了一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片及制备方法，通过使用光刻胶和干法刻蚀工艺，实现了高精度的硅通孔制备。通过在沟道表面进行化学气相沉积，形成二氧化硅绝缘层，为后续的电子电镀提供保护。磁控溅射沉积钛和铜，形成阻挡层和种子层，有助于维持导电性，实现后续的电镀工艺。通过使用阳极键合技术，将制备好的硅通孔样品与玻璃盖板结合，形成键合样品。利用多步切割的方法，将键合样品切割成两块大小相同的芯片。然后，再次进行磁控溅射，实现阻挡层和种子层的再沉积，确保内外导电层的互连性。最终获得的产品是高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片。
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公开(公告)号：CN113337857B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202110477776.2
申请日：2021-04-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种用于PCB通孔金属加厚的酸性硫酸盐电镀铜组合添加剂，由载体阻化剂、细化剂和均镀剂以100‑800∶0.5‑10∶1.5‑20的质量比组成，且载体阻化剂在酸性硫酸盐电镀铜镀液中的浓度为100‑800mg/L，该酸性硫酸盐电镀铜镀液以水为溶剂，含有60‑90g/L五水硫酸铜、160‑240g/L浓硫酸和0.04‑0.08g/L氯离子。本发明在使用条件范围内，能够有效降低镀液表面张力，细化铜层颗粒，实现PCB厚径比高的通孔(12∶1)均匀电镀加厚，分散能力值高。
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公开(公告)号：CN111364074A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010107186.6
申请日：2020-02-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D3/48
Abstract: 本发明公开了一种复合配位低浓度一价金无氰镀金电镀液和制备方法。该电镀液的pH为8.0～11.5，直接以稳定、方便易购的氯金酸为主盐来源，还包括主配位剂、复合配位剂Ⅰ、复合配位剂Ⅱ、缓冲剂、光亮剂和润湿剂。本发明采用复合配位方式对一价金进行辅助配位，不仅提高了一价金无氰镀金电镀液的稳定性和稳定放电点位区间，而且显著降低镀液中的亚硫酸盐浓度，避免镀层中硫的夹杂，获得的金镀层外观光亮金黄、与基底结合力良好，适合于装饰性镀金；且本发明镀液配制过程简单、条件温和，镀液稳定。
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