公开(公告)号：CN118173436A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410276314.8

申请日：2024-03-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘俊扬 ,  赵鑫 ,  杨家强 ,  赵骄阳 ,  洪文晶 ,  赵艺 ,  甘津瑜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明提供了一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片及制备方法，通过使用光刻胶和干法刻蚀工艺，实现了高精度的硅通孔制备。通过在沟道表面进行化学气相沉积，形成二氧化硅绝缘层，为后续的电子电镀提供保护。磁控溅射沉积钛和铜，形成阻挡层和种子层，有助于维持导电性，实现后续的电镀工艺。通过使用阳极键合技术，将制备好的硅通孔样品与玻璃盖板结合，形成键合样品。利用多步切割的方法，将键合样品切割成两块大小相同的芯片。然后，再次进行磁控溅射，实现阻挡层和种子层的再沉积，确保内外导电层的互连性。最终获得的产品是高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片。